公开(公告)号：KR100585436B1

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020047004313

申请日：2002-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  사에구사히데히토 ,  오카야마노부유키 ,  이무로슌이치 ,  이마후쿠고스케 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  후앙야후이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: A member of processing a quartz member for a plasma processing device capable of suppressing the production of particles at the beginning of the use thereof and the production of chips thereafter, the quartz member for the plasma processing device, and the plasma processing device having the quartz member mounted thereon, the method comprising the steps of removing a large number of cracks 155 produced, after a diamond grinding, in the quartz member 151 for the plasma processing device used for a shield ring and a focus ring by performing a surface processing with abrasive grains of, for example, #320 to 400 in grain size, and performing the surface processing by using abrasive grains of smaller grain size to remove ruptured layers 163 while maintaining irregularities capable of adhering and holding deposit thereto.

公开(公告)号：KR100613947B1

公开(公告)日：2006-08-18

申请号：KR1020017002296

申请日：1999-08-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토스스무 ,  스기야마노리카즈

IPC: H01L21/3065

Abstract: 반도체 웨이퍼(W)를 위한 플라즈마 에칭 장치(100)는 서셉터(3) 및 샤워 헤드(4) 사이의 플라즈마 생성 공간에서 플라즈마를 생성한다. 처리실(1)의 측벽(1b)의 내측에 반응 생성물의 부착을 방지하기 위한 실드 부재(11)가 탈착 가능하게 배치된다. 플라즈마에서 발생한 플라즈마광을 처리실(1)의 외측으로 추출하기 위해서, 윈도우 디바이스(12)가 사용된다. 윈도우 디바이스(12)는 처리실(1)의 측벽(1b)에 기밀하게 설치된 석영제의 윈도우 플레이트(21)를 갖는다. 또한, 윈도우 디바이스(12)는 윈도우 플레이트(21)에 대하여 플라즈마광을 도입하기 위한 다수의 미세 관통 구멍(22a)을 갖는 알루미늄제의 광 안내부(22)와, 윈도우 플레이트(21) 및 광 안내부(22) 사이에서 관통 구멍(22a)의 개구를 덮는 사파이어제의 커버 플레이트(23)를 갖는다. 광 안내부(22) 및 커버 플레이트(23)는 실드 부재(11)에 설치된다.

Abstract translation: 用于半导体晶片（W）的等离子体蚀刻装置100，以产生在基座3和喷淋头之间的等离子体生成空间中产生等离子体（4）。 处理室（1），用于防止在所述侧壁（1b）中的可拆卸地设置的内部的反应产物的粘合性屏蔽部件11。 为了将在等离子体中产生的等离子体光提取到处理室1的外部，使用窗户装置12。 窗装置12具有密封地设置在处理室1的侧壁1b上的由石英制成的窗口板21。 窗装置12包括具有用于将等离子体光引导到窗板21的多个微通孔22a的铝导光部分22， 以及由蓝宝石制成并覆盖第一部分22a和第二部分22b之间的通孔22a的开口的盖板23。 导光部分22和盖板23设置在屏蔽部件11上。

公开(公告)号：KR1020040035884A

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020047004313

申请日：2002-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  사에구사히데히토 ,  오카야마노부유키 ,  이무로슌이치 ,  이마후쿠고스케 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  후앙야후이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 사용 초기의 파티클 발생 및 그 후의 치핑 발생을 억제한 플라즈마 처리 장치용 석영부재의 가공 방법, 플라즈마 처리 장치용 석영부재 및 그 석영부재가 실장된 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 쉴드 링, 포커스 링 등에 이용되는 플라즈마 처리 장치용 석영부재(151)에 발생하고 있는 다이아몬드 연삭 후의 다수의 크랙(155)을 예컨대 입도가 #320 내지 400인 연마 입자에 의한 표면 가공을 실행하여 제거한다. 그 후, 더욱 작은 입자 직경의 연마 입자를 이용하여 표면 가공을 실행하여, 퇴적물을 부착 및 유지 가능한 요철을 유지하면서 파쇄층(163)을 제거한다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置用石英材料的加工用部件，其能够在开始使用时抑制粒子的产生，其后用于制造芯片，等离子体处理装置用石英材料以及具有石英的等离子体处理装置 该方法包括以下步骤：通过用研磨剂进行表面处理，去除在用于屏蔽环和聚焦环的等离子体处理装置的石英部件151中在金刚石研磨之后产生的大量裂纹155 例如晶粒尺寸为＃320至400的晶粒，并通过使用较小晶粒尺寸的磨粒进行表面处理以除去破裂层​​163，同时保持能够粘附和保持沉积于其上的不规则性。

公开(公告)号：KR1020010072886A

公开(公告)日：2001-07-31

申请号：KR1020017002296

申请日：1999-08-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토스스무 ,  스기야마노리카즈

IPC: H01L21/3065

Abstract: 반도체 웨이퍼(W)를 위한 플라즈마 에칭 장치(100)는 서셉터(3) 및 샤워 헤드(4) 사이의 플라즈마 생성 공간에서 플라즈마를 생성한다. 처리실(1)의 측벽(1b)의 내측에 반응 생성물의 부착을 방지하기 위한 실드 부재(11)가 탈착 가능하게 배치된다. 플라즈마에서 발생한 플라즈마광을 처리실(1)의 외측으로 추출하기 위해서, 창 디바이스(12)가 사용된다. 창 디바이스(12)는 처리실(1)의 측벽(1b)에 기밀하게 설치된 석영제의 창 플레이트(21)를 갖는다. 또한, 창 디바이스(12)는 창 플레이트(21)에 대하여 플라즈마광을 도입하기 위한 다수의 미세 관통 구멍(22a)을 갖는 알루미늄제의 광 안내부(22)와, 창 플레이트(21) 및 광 안내부(22) 사이에서 관통 구멍(22a)의 개구부를 피복하는 사파이어제의 커버 플레이트(23)를 갖는다. 광 안내부(22) 및 커버 플레이트(23)는 실드 부재(11)에 설치된다.

公开(公告)号：KR1020010041677A

公开(公告)日：2001-05-25

申请号：KR1020007009890

申请日：1999-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준

IPC: H01L21/3063

Abstract: 본 발명은 기밀한 처리 용기(102)와, 처리 용기(102)내의 가스를 배기하는 배기계(128)와, 대상물에 대하여 소정의 처리가 실시되는 처리 공간(122)과 배기계(128)에 연통하는 배기 경로(124)에 처리 용기(102)내를 구획하는 배플판(120)을 구비한 처리 장치(100)에 있어서, 배플판(120)에는 처리 공간(122)과 배기 경로(124)를 연통시키는 복수의 슬릿(120a)이 형성되고, 각 슬릿(120a)의 처리 공간측의 내면 부위에는 슬릿의 깊이의 1/4 이상에 걸쳐서 테이퍼 면(132)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100536313B1

公开(公告)日：2005-12-12

申请号：KR1020007009890

申请日：1999-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준

IPC: H01L21/3063

Abstract: 본 발명은 기밀한 처리 용기(102)와, 처리 용기(102)내의 가스를 배기하는 배기계(128)와, 대상물에 대하여 소정의 처리가 실시되는 처리 공간(122)과 배기계(128)에 연통하는 배기 경로(124)에 처리 용기(102)내를 구획하는 배플판(120)을 구비한 처리 장치(100)에 있어서, 배플판(120)에는 처리 공간(122)과 배기 경로(124)를 연통시키는 복수의 슬릿(120a)이 형성되고, 각 슬릿(120a)의 처리 공간측의 내면 부위에는 슬릿의 깊이의 1/4 이상에 걸쳐서 테이퍼 면(132)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.