公开(公告)号：KR100469047B1

公开(公告)日：2005-01-31

申请号：KR1019997009083

申请日：1998-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준 ,  하야시다이스케 ,  다카야마나오키 ,  가자마고이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/532 ,  Y10T29/53204

Abstract: 본 발명은, 가스토출구멍에 착탈 및 위치결정이 용이하고 내플라즈마성이 우수한 절연부재를 끼워 장착한 처리장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 에칭장치(100)의 상부전극(128)에 배치된 가스토출구멍(128a)은 절연부재(144)의 외형형상에 대응한 형상으로 형성된다. 절연부재(144)는 폴리에테르에테르케톤이나 폴리이미드나 폴리에테르이미드로 이루어지고, 그 외부 표면에 단부(144a)가 형성된다. 절연부재(144)의 긴 쪽 방향의 길이는 가스토출구멍(128a)의 긴 쪽 방향의 길이보다 짧게 형성된다. 절연부재(144) 내에는 그 긴 쪽 방향을 따라 관통구멍(144d)이 설치됨과 더불어, 관통구멍(144d)의 처리실(102) 측 개구부 부근이 처리실(102) 측으로 향하여 직경이 확대되는 거의 테이퍼모양으로 형성된다. 절연부재(144)를 가스토출구멍(128a) 내에 가스토출구멍(128a)의 취출구 측으로부터 삽입하고, 단부(144a)와 가스토출구멍(128a) 내벽에 형성된 견부(128b)가 맞추어지도록 절연부재(144)를 밀어 넣고 끼워 장착시킨다. 이 때, 절연부재(144)는 상부전극의 서셉터(110) 측의 면보다도 돌출하여 배치된다.

Abstract translation: 处理系统设置有能够容易地装配在气体排放孔中，并且能够容易地定位在气体排放孔中的绝缘构件。 蚀刻系统（100）设置有设置有与绝缘构件（144）的外部形状对应的形状的气体排出孔（128a）的上电极（128）。 绝缘部件（144）由聚醚醚酮树脂，聚酰亚胺树脂，聚醚酰亚胺树脂等形成。 每个绝缘构件144在其外表面上设有台阶（144a）。 绝缘部件（144）的长度比气体排出孔（128a）的长度短。 在各绝缘部件144上设有纵长的贯通孔144d，处理室102侧的贯通孔144d的端部形成为向处理室102侧扩大的锥状， ）。 绝缘部件144从气体排出孔128a的出口端侧被压入气体排出孔128a中，以使台阶144a与形成在其中的肩部128b接触。 排气孔（128a）的侧壁。 装配在气体排出孔128a中的每个绝缘构件144的一部分从上电极128的面对基座110的表面突出。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020040035884A

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020047004313

申请日：2002-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  사에구사히데히토 ,  오카야마노부유키 ,  이무로슌이치 ,  이마후쿠고스케 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  후앙야후이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 사용 초기의 파티클 발생 및 그 후의 치핑 발생을 억제한 플라즈마 처리 장치용 석영부재의 가공 방법, 플라즈마 처리 장치용 석영부재 및 그 석영부재가 실장된 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 쉴드 링, 포커스 링 등에 이용되는 플라즈마 처리 장치용 석영부재(151)에 발생하고 있는 다이아몬드 연삭 후의 다수의 크랙(155)을 예컨대 입도가 #320 내지 400인 연마 입자에 의한 표면 가공을 실행하여 제거한다. 그 후, 더욱 작은 입자 직경의 연마 입자를 이용하여 표면 가공을 실행하여, 퇴적물을 부착 및 유지 가능한 요철을 유지하면서 파쇄층(163)을 제거한다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置用石英材料的加工用部件，其能够在开始使用时抑制粒子的产生，其后用于制造芯片，等离子体处理装置用石英材料以及具有石英的等离子体处理装置 该方法包括以下步骤：通过用研磨剂进行表面处理，去除在用于屏蔽环和聚焦环的等离子体处理装置的石英部件151中在金刚石研磨之后产生的大量裂纹155 例如晶粒尺寸为＃320至400的晶粒，并通过使用较小晶粒尺寸的磨粒进行表面处理以除去破裂层​​163，同时保持能够粘附和保持沉积于其上的不规则性。

公开(公告)号：KR1020010041677A

公开(公告)日：2001-05-25

申请号：KR1020007009890

申请日：1999-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준

IPC: H01L21/3063

Abstract: 본 발명은 기밀한 처리 용기(102)와, 처리 용기(102)내의 가스를 배기하는 배기계(128)와, 대상물에 대하여 소정의 처리가 실시되는 처리 공간(122)과 배기계(128)에 연통하는 배기 경로(124)에 처리 용기(102)내를 구획하는 배플판(120)을 구비한 처리 장치(100)에 있어서, 배플판(120)에는 처리 공간(122)과 배기 경로(124)를 연통시키는 복수의 슬릿(120a)이 형성되고, 각 슬릿(120a)의 처리 공간측의 내면 부위에는 슬릿의 깊이의 1/4 이상에 걸쳐서 테이퍼 면(132)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100585436B1

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020047004313

申请日：2002-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  사에구사히데히토 ,  오카야마노부유키 ,  이무로슌이치 ,  이마후쿠고스케 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  후앙야후이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: A member of processing a quartz member for a plasma processing device capable of suppressing the production of particles at the beginning of the use thereof and the production of chips thereafter, the quartz member for the plasma processing device, and the plasma processing device having the quartz member mounted thereon, the method comprising the steps of removing a large number of cracks 155 produced, after a diamond grinding, in the quartz member 151 for the plasma processing device used for a shield ring and a focus ring by performing a surface processing with abrasive grains of, for example, #320 to 400 in grain size, and performing the surface processing by using abrasive grains of smaller grain size to remove ruptured layers 163 while maintaining irregularities capable of adhering and holding deposit thereto.

公开(公告)号：KR100536313B1

公开(公告)日：2005-12-12

申请号：KR1020007009890

申请日：1999-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준

IPC: H01L21/3063

Abstract: 본 발명은 기밀한 처리 용기(102)와, 처리 용기(102)내의 가스를 배기하는 배기계(128)와, 대상물에 대하여 소정의 처리가 실시되는 처리 공간(122)과 배기계(128)에 연통하는 배기 경로(124)에 처리 용기(102)내를 구획하는 배플판(120)을 구비한 처리 장치(100)에 있어서, 배플판(120)에는 처리 공간(122)과 배기 경로(124)를 연통시키는 복수의 슬릿(120a)이 형성되고, 각 슬릿(120a)의 처리 공간측의 내면 부위에는 슬릿의 깊이의 1/4 이상에 걸쳐서 테이퍼 면(132)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020010006005A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019997009083

申请日：1998-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준 ,  하야시다이스케 ,  다카야마나오키 ,  가자마고이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/532 ,  Y10T29/53204

Abstract: 본발명은, 가스토출구멍에착탈및 위치결정이용이하고내플라즈마성이우수한절연부재를끼워장착한처리장치를제공한다. 본발명에있어서, 에칭장치(100)의상부전극(128)에배치된가스토출구멍 (128a)은절연부재(144)의외형형상에대응한형상으로형성된다. 절연부재(144)는폴리에테르에테르케톤이나폴리이미드나폴리에테르이미드로이루어지고, 그외부표면에단부(144a)가형성된다. 절연부재(144)의긴 쪽방향의길이는가스토출구멍(128a)의긴 쪽방향의길이보다짧게형성된다. 절연부재(144)내에는그 긴쪽 방향을따라관통구멍(144d)이설치됨과더불어, 관통구멍(144d)의처리실(102)측개구부부근이처리실(102)측으로향하여직경이확대되는거의테이퍼모양으로형성된다. 절연부재(144)를가스토출구멍(128a)내에가스토출구멍(128a)의취출구측으로부터삽입하고, 단부(144a)와가스토출구멍(128a) 내벽에형성된견부(128b)가맞추어지도록절연부재(144)를밀어넣고끼워장착시킨다. 이때, 절연부재(144)는상부전극의서셉터(110)측의면보다도돌출하여배치된다.