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公开(公告)号：KR1020080033107A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：KR1020070102432
申请日：2007-10-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70525 , H01L22/20
Abstract: A substrate measuring method, a program, a computer-readable recording medium storing the program thereon, and a substrate processing system are provided to prevent piling up of substrates waiting to be measured, since a first substrate measurement in a successive lot of two successive lots can be made right after the completion of the substrate processing. A substrate measuring method for measuring processing states of a plurality of substrates, that have been successively transferred from a plurality of lots(L1-L4) comprising a plurality of substrates, the method is characterized by that the substrate measurement is performed in each lot, and the substrate measurement of two successive substrates is performed such that the measurement of the last substrate in a previous lot is completed at the time of completion of the processing of a substrate for first substrate measurement in a subsequent lot.
Abstract translation: 提供了基板测量方法，程序，存储程序的计算机可读记录介质和基板处理系统，以防止等待测量的基板堆积，因为连续两批连续批次中的第一基板测量 可以在基板加工完成后立即进行。 一种用于测量从包括多个基板的多个批次（L1-L4）连续转移的多个基板的处理状态的基板测量方法，其特征在于，在每个批次中进行基板测量， 并且执行两个连续衬底的衬底测量，使得在完成对后续批次中的第一衬底测量的衬底的处理完成时，先前批次中的最后一个衬底的测量完成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070113143A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：KR1020070049643
申请日：2007-05-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/687
CPC classification number: H05B1/0233 , H01L21/67248
Abstract: A temperature control method of a heat processing plate, a computer storage medium and a temperature control apparatus of the heat processing plate are provided to perform a heat process into the plate surface uniformly by controlling the temperature strictly within the heat processing plate based on a curved state of the plates. A temperature control method of a heat processing plate comprises following steps. When substrates are stored on a heat plate, a curved state of the substrate is detected by detecting a temperature drop amount of each heat plates(Q1). A correcting value of a predetermined temperature of each heat plates is calculated from the temperature drop amount(Q3). A normal temperature within the substrate which is heat-processed on the heat plate is estimated from the each temperature drop amount(Q2). The predetermined temperature of the heat plate region is changed based on the correcting value of the predetermined temperature(Q4).
Abstract translation: 提供加热板的温度控制方法，计算机存储介质和加热板的温度控制装置，以通过基于弯曲的热处理板将温度严格控制在热处理板内来均匀地进行到板表面的热处理 盘子的状态 热处理板的温度控制方法包括以下步骤。 当将基板储存在加热板上时，通过检测每个加热板（Q1）的温度下降量来检测基板的弯曲状态。 根据温度下降量（Q3）计算各加热板的规定温度的修正值。 从每个温度下降量（Q2）估计在加热板上进行热处理的基板内的正常温度。 基于预定温度的校正值（Q4）改变加热板区域的预定温度。
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公开(公告)号：KR101377776B1
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020090035752
申请日：2009-04-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/38 , H01L21/67225 , H01L21/67248
Abstract: 검사용웨이퍼상에레지스트패턴을형성하고(스텝 S1), 당해레지스트패턴의제1 선폭을측정한다(스텝 S2). 제1 선폭의측정결과를기초로하여 PEB 처리의가열온도가각 열판영역마다보정된다(스텝 S3, 스텝 S4). 보정된가열온도에서 PEB 처리를행하여검사용웨이퍼상에레지스트패턴을형성하고(스텝 S5), 당해레지스트패턴의제2 선폭을측정한다(스텝 S6). 제2 선폭의웨이퍼면내분포로부터선형성분을산출하고(스텝 S7), 당해선형성분을기초로하여노광량이각 노광영역마다보정된다(스텝 S8, 스텝 S9). 이후, 보정된가열온도에서 PEB 처리를행하는동시에, 보정된노광량으로노광처리를행하고, 웨이퍼상에소정의레지스트패턴을형성한다(스텝 S10).
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公开(公告)号：KR101032203B1
公开(公告)日：2011-05-02
申请号：KR1020070049643
申请日：2007-05-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/687
CPC classification number: H05B1/0233 , H01L21/67248
Abstract: 본 발명에 있어서는, 기판이 열판에 적재되었을 때의 각 열판 영역의 온도 강하량을 검출하여 기판의 휨 상태를 검출한다. 각 열판 영역의 온도 강하량으로부터 각 열판 영역의 설정 온도의 보정치를 산출한다. 상기 각 열판 영역의 설정 온도의 보정치의 산출은 미리 구해진 관계를 이용하여, 각 열판 영역의 온도 강하량으로부터 열판 상에서 열처리되는 기판 면내의 정상 온도를 추정한다. 그리고,추정한 기판 면내의 정상 온도와 열판 영역의 온도 강하량으로부터 각 열판 영역의 설정 온도의 보정치를 산출한다. 상기 설정 온도의 보정치를 기초로 하여 열판 영역의 온도 설정이 변경된다.
반송 장치, 고정밀도 온조 장치, 냉각부, 인터페이스부, 트랜지션 장치-
公开(公告)号：KR101016542B1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：KR1020070102432
申请日：2007-10-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70525 , H01L22/20
Abstract: 본 발명의 과제는 제품 웨이퍼의 처리량을 저하시키지 않고 제품 웨이퍼의 측정을 행하는 것이다.
도포 현상 처리 시스템에 있어서, 복수의 로트(L
1 내지 L
4 )의 웨이퍼(W)를 연속적으로 처리하고, 그 처리가 종료된 웨이퍼(W) 중 일부의 웨이퍼(W)의 선폭 측정을 행한다. 각 로트(L
1 내지 L
4 )마다 선폭 측정이 행해지고, 앞뒤로 연속되는 뒤의 로트의 최초의 선폭 측정(S2)을 행하는 웨이퍼의 웨이퍼 처리(S1)의 종료 시에 앞의 로트의 최후의 선폭 측정이 종료되어 있도록 앞뒤의 각 로트(L
1 내지 L
4 )의 선폭 측정을 행한다. 예를 들어, 뒤의 로트(L
2 )의 최초의 선폭 측정(S2)을 행하는 웨이퍼(W
2-1 )의 웨이퍼 처리(S1)의 종료 시에, 앞의 로트(L
1 )의 최후의 선폭 측정[웨이퍼(W
1-6 )의 선폭 측정]이 종료되어 있도록 앞뒤의 로트(L
1 , L
2 )의 선폭 측정이 행해진다.
웨이퍼, 로트, 도포 현상 처리 시스템, 폭 측정 장치, 카세트-
公开(公告)号：KR1020090113209A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020090035752
申请日：2009-04-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/38 , H01L21/67225 , H01L21/67248 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/70625 , G03F7/70875 , G03F7/70891 , H01L21/67098
Abstract: PURPOSE: A substrate treating method, a program, a computer storage medium, and a substrate treating system are provided to uniformly form a resist pattern of a fixed size on a substrate. CONSTITUTION: A substrate treating system performs a photolithography process on a substrate, forms a resist pattern on the substrate, and includes a heat treating device, an exposure device(A), a pattern size measuring device(20), and a control device(200). The heat treating device performs a heat process on the substrate. The exposure device performs an exposure process on the substrate. The pattern size measuring device measures a size of the resist pattern on the substrate. The control device corrects a process temperature of the heat treating device and an exposure process condition of the exposure device.
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，程序，计算机存储介质和基板处理系统，以在基板上均匀地形成固定尺寸的抗蚀剂图案。 构成：基板处理系统在基板上进行光刻工序，在基板上形成抗蚀剂图案，并且包括热处理装置，曝光装置（A），图案尺寸测量装置（20）和控制装置（ 200）。 热处理装置对基板进行热处理。 曝光装置对基板进行曝光处理。 图案尺寸测量装置测量衬底上的抗蚀剂图案的尺寸。 控制装置校正热处理装置的处理温度和曝光装置的曝光处理条件。
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