公开(公告)号：KR101449117B1

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020120095423

申请日：2012-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까시마도모히로 ,  이노우에신 ,  하라요시따까 ,  하세가와이즈미 ,  오가따구니에 ,  모리다꾸야

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67288

Abstract: 본 발명의 과제는, 기판의 로트에 대응하는 처리액의 종별마다 준비된 복수의 노즐을 포함하는 액처리부를 구비한 액처리 장치에 있어서, 액처리부에 발생한 트러블에 대하여 처리 효율의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
하나의 로트의 웨이퍼(W)의 액처리에 사용하는 약액 노즐(25a)에 있어서 트러블이 발생한 경우에, 그 하나의 로트에 대응하는 약액 노즐(25a)의 사용을 정지하고, 당해 약액 노즐(25a)과는 다른 약액 노즐(25b)을 사용하여 처리를 행하는 다음 로트에 대해서는 처리를 행하는 것으로 한다. 약액 노즐에 있어서의 트러블 발생의 판단에 대해서는, 처리한 각 웨이퍼(W)의 액처리 상태를 순차적으로 검사하여 그 양부를 판정하고, 동일한 약액 노즐을 사용하여 다른 액처리부(COT1 내지 COT3)에서 처리된 웨이퍼(W)에 있어서, 예를 들어 3회 연속으로 불량 판정으로 된 경우에, 약액 노즐에 있어서의 트러블 발생이라고 판단한다.

Abstract translation: 发明内容本发明的目的在于提供一种液体处理装置，该液体处理装置具备液体处理部，该液体处理部具备：针对与多个基板对应的各种处理液而准备的多个喷嘴; 提供技术。

公开(公告)号：KR1020130025826A

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：KR1020120095423

申请日：2012-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까시마도모히로 ,  이노우에신 ,  하라요시따까 ,  하세가와이즈미 ,  오가따구니에 ,  모리다꾸야

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67288

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method and a storage medium are provided to improve the process efficiency for substrates by using only the normal nozzle for a liquid process. CONSTITUTION: A liquid process unit(2) includes nozzles and a liquid process module(20). A transfer unit(4) moves a substrate to a process block. A monitoring unit detects the discharging state of the nozzles. A control unit selects normal nozzles among the nozzles to perform a liquid process on the substrate. [Reference numerals] (2) Liquid process module; (3) Inspection module; (A2) Liquid process unit; (C1) Carrier block; (C2) Process block; (C3) Interface block; (C4) Exposing block; (C5) Inspection block

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以通过仅使用用于液体处理的普通喷嘴来提高基板的处理效率。 构成：液体处理单元（2）包括喷嘴和液体处理模块（20）。 传送单元（4）将基板移动到处理块。 监视单元检测喷嘴的排出状态。 控制单元选择喷嘴中的普通喷嘴，以在基板上进行液体处理。 （附图标记）（2）液体处理模块; （3）检验模块; （A2）液体处理单元; （C1）载体块; （C2）过程块; （C3）接口块; （C4）暴露块; （C5）检验块

公开(公告)号：KR1020080033107A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：KR1020070102432

申请日：2007-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가따구니에 ,  시노즈까신이찌 ,  곤도오요시히로

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70525 ,  H01L22/20

Abstract: A substrate measuring method, a program, a computer-readable recording medium storing the program thereon, and a substrate processing system are provided to prevent piling up of substrates waiting to be measured, since a first substrate measurement in a successive lot of two successive lots can be made right after the completion of the substrate processing. A substrate measuring method for measuring processing states of a plurality of substrates, that have been successively transferred from a plurality of lots(L1-L4) comprising a plurality of substrates, the method is characterized by that the substrate measurement is performed in each lot, and the substrate measurement of two successive substrates is performed such that the measurement of the last substrate in a previous lot is completed at the time of completion of the processing of a substrate for first substrate measurement in a subsequent lot.

Abstract translation: 提供了基板测量方法，程序，存储程序的计算机可读记录介质和基板处理系统，以防止等待测量的基板堆积，因为连续两批连续批次中的第一基板测量 可以在基板加工完成后立即进行。 一种用于测量从包括多个基板的多个批次（L1-L4）连续转移的多个基板的处理状态的基板测量方法，其特征在于，在每个批次中进行基板测量， 并且执行两个连续衬底的衬底测量，使得在完成对后续批次中的第一衬底测量的衬底的处理完成时，先前批次中的最后一个衬底的测量完成。

公开(公告)号：KR101016542B1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：KR1020070102432

申请日：2007-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가따구니에 ,  시노즈까신이찌 ,  곤도오요시히로

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70525 ,  H01L22/20

Abstract: 본 발명의 과제는 제품 웨이퍼의 처리량을 저하시키지 않고 제품 웨이퍼의 측정을 행하는 것이다.
도포 현상 처리 시스템에 있어서, 복수의 로트(L
1 내지 L
4 )의 웨이퍼(W)를 연속적으로 처리하고, 그 처리가 종료된 웨이퍼(W) 중 일부의 웨이퍼(W)의 선폭 측정을 행한다. 각 로트(L
1 내지 L
4 )마다 선폭 측정이 행해지고, 앞뒤로 연속되는 뒤의 로트의 최초의 선폭 측정(S2)을 행하는 웨이퍼의 웨이퍼 처리(S1)의 종료 시에 앞의 로트의 최후의 선폭 측정이 종료되어 있도록 앞뒤의 각 로트(L
1 내지 L
4 )의 선폭 측정을 행한다. 예를 들어, 뒤의 로트(L
2 )의 최초의 선폭 측정(S2)을 행하는 웨이퍼(W
2-1 )의 웨이퍼 처리(S1)의 종료 시에, 앞의 로트(L
1 )의 최후의 선폭 측정[웨이퍼(W
1-6 )의 선폭 측정]이 종료되어 있도록 앞뒤의 로트(L
1 , L
2 )의 선폭 측정이 행해진다.
웨이퍼, 로트, 도포 현상 처리 시스템, 폭 측정 장치, 카세트

公开(公告)号：KR1020090113209A

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：KR1020090035752

申请日：2009-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가따구니에 ,  다도꼬로마사히데 ,  시바따쯔요시 ,  시노즈까신이찌

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67248 ,  G03F7/7055 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70891 ,  H01L21/67098

Abstract: PURPOSE: A substrate treating method, a program, a computer storage medium, and a substrate treating system are provided to uniformly form a resist pattern of a fixed size on a substrate. CONSTITUTION: A substrate treating system performs a photolithography process on a substrate, forms a resist pattern on the substrate, and includes a heat treating device, an exposure device(A), a pattern size measuring device(20), and a control device(200). The heat treating device performs a heat process on the substrate. The exposure device performs an exposure process on the substrate. The pattern size measuring device measures a size of the resist pattern on the substrate. The control device corrects a process temperature of the heat treating device and an exposure process condition of the exposure device.

Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，程序，计算机存储介质和基板处理系统，以在基板上均匀地形成固定尺寸的抗蚀剂图案。 构成：基板处理系统在基板上进行光刻工序，在基板上形成抗蚀剂图案，并且包括热处理装置，曝光装置（A），图案尺寸测量装置（20）和控制装置（ 200）。 热处理装置对基板进行热处理。 曝光装置对基板进行曝光处理。 图案尺寸测量装置测量衬底上的抗蚀剂图案的尺寸。 控制装置校正热处理装置的处理温度和曝光装置的曝光处理条件。

公开(公告)号：KR101861859B1

公开(公告)日：2018-05-28

申请号：KR1020120082243

申请日：2012-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가따구니에 ,  구로이와게이조오 ,  마쯔오까노부아끼 ,  다사끼노부유끼 ,  미야따아끼라 ,  도오끼유이찌

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027

Abstract: 본발명의과제는, 기판처리장치에이상이발생한경우의점검작업을, 신속하게오류없이행하는것이다. 복수의처리유닛과, 각처리유닛에서의이상발생을표시하는표시수단을구비한기판처리장치는, 이상발생의경보의내용과당해이상발생에의해점검이필요해지는부위를관련시킨정보와, 점검대상부위를, 이상이발생되어있지않은다른부위로부터아이솔레이트하기위해조작되는기기의정보와, 점검대상부위의배치및 아이솔레이트시의조작대상기기의배치와, 아이솔레이트시의조작대상기기의조작수순을기억하는기억수단과, 기억수단의정보에기초하여, 이상발생에의해점검이필요해지는부위를아이솔레이트하기위해조작되는기기를특정하고, 또한특정된기기의배치를특정하여표시수단에출력하는이상특정수단과, 기억수단의정보에기초하여, 이상특정수단에서특정된기기의조작수순을특정하여표시수단에출력하는조작수순특정수단을갖고있다.

公开(公告)号：KR101377776B1

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：KR1020090035752

申请日：2009-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가따구니에 ,  다도꼬로마사히데 ,  시바따쯔요시 ,  시노즈까신이찌

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67248

Abstract: 검사용웨이퍼상에레지스트패턴을형성하고(스텝 S1), 당해레지스트패턴의제1 선폭을측정한다(스텝 S2). 제1 선폭의측정결과를기초로하여 PEB 처리의가열온도가각 열판영역마다보정된다(스텝 S3, 스텝 S4). 보정된가열온도에서 PEB 처리를행하여검사용웨이퍼상에레지스트패턴을형성하고(스텝 S5), 당해레지스트패턴의제2 선폭을측정한다(스텝 S6). 제2 선폭의웨이퍼면내분포로부터선형성분을산출하고(스텝 S7), 당해선형성분을기초로하여노광량이각 노광영역마다보정된다(스텝 S8, 스텝 S9). 이후, 보정된가열온도에서 PEB 처리를행하는동시에, 보정된노광량으로노광처리를행하고, 웨이퍼상에소정의레지스트패턴을형성한다(스텝 S10).

公开(公告)号：KR1020130014405A

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR1020120082243

申请日：2012-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가따구니에 ,  구로이와게이조오 ,  마쯔오까노부아끼 ,  다사끼노부유끼 ,  미야따아끼라 ,  도오끼유이찌

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/00 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/67721

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a computer readable medium, a method for displaying an alarm, and a method for checking the substrate processing apparatus are provided to rapidly check the substrate processing apparatus without errors by confirming the location and operation of each device displayed on a display unit. CONSTITUTION: A cassette station(2) includes a cassette input and output unit(10) and a wafer transfer unit(11). The wafer transfer unit includes a wafer transfer device(21) which moves on a transfer path(20). A process station(3) includes four blocks(G1,G2,G3,G4) with various units. A bottom antireflection forming unit(31), a resist coating unit(32), and a top antireflection forming unit(33) are installed in a first block. A plurality of heat treatment units(41-46) are installed in a second block. A wafer transfer part(90) transfers a wafer to each transmission unit in a third block.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，计算机可读介质，显示报警的方法以及检查基板处理装置的方法，通过确认显示在其上的每个设备的位置和操作来快速检查基板处理装置而没有错误 显示单元。 构成：盒式电台（2）包括盒输入和输出单元（10）和晶片传送单元（11）。 晶片传送单元包括在传送路径（20）上移动的晶片传送装置（21）。 处理站（3）包括具有各种单元的四个块（G1，G2，G3，G4）。 底部抗反射形成单元（31），抗蚀涂层单元（32）和顶部抗反射形成单元（33）安装在第一块中。 多个热处理单元（41-46）安装在第二块中。 晶片传送部件（90）在第三块中将晶片传送到每个传输单元。