公开(公告)号：KR1020160108351A

公开(公告)日：2016-09-19

申请号：KR1020167019174

申请日：2015-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가하라세이지 ,  시라이시고오스케 ,  시무라사토루 ,  요시하라고오스케 ,  가와카미신이치로 ,  도모노마사루 ,  데라시타유이치 ,  미조구치히로노리

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40

CPC classification number: G03F7/7055 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/2063 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70483 ,  G03F7/70508

Abstract: 본발명은, 레지스트패턴을형성하는데 있어서, 패턴의선 폭에대하여해상도가높고, 웨이퍼 W 위에서의높은면내균일성이얻어지는기술을제공하는것을과제로한다. 레지스트막을기판위에형성하고, 패턴노광기 C6에의한패턴노광을행한후에, 일괄노광장치(1)를사용해서패턴노광영역의전체를노광한다. 이때, 사전에검사장치[861(862)]로부터얻어진레지스트패턴의선 폭의면 내분포의정보에기초하여, 웨이퍼 W 위의노광위치에따라서노광량을조정한다. 노광량의조정방법으로서는, 웨이퍼 W의직경에대응하는띠 형상의조사영역을이동시키면서노광량을조정하는방법, 패턴노광의샷 영역에따른조사영역을간헐적으로이동시켜서각 칩에대한노광량을조정하는방법등을들 수있다.