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    반도체 장치 및 그 제조 방법
    1.
    发明公开
    반도체 장치 및 그 제조 방법 失效

    公开(公告)号：KR1020020002390A

    公开(公告)日：2002-01-09

    申请号：KR1020017010379

    申请日：2000-03-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요시타카히카루

    IPC: H01L21/31

    Abstract: 본 발명에 따르면, 불소 첨가 카본막(103) 상에 SiCN으로 이루어지는 하드 마스크(105)를 형성한다. 이에 의해, 종래보다도 불소 첨가 카본막(103)과 하드 마스크(105)와의 밀착성이 향상되어 박리가 억제되게 된다. 또한, SiCN으로 이루어지는 하드 마스크(105)는 종래의 것에 비교해서 에칭의 선택비를 크게 취할 수 있는 동시에, SiN이나 SiC로 이루어지는 것에 비교하면 유전율을 작게 할 수 있다.

    반도체 장치 및 그 제조 방법
    2.
    发明授权
    반도체 장치 및 그 제조 방법 失效
    반도체장치및그제조방법

    公开(公告)号：KR100407542B1

    公开(公告)日：2003-11-28

    申请号：KR1020017010379

    申请日：2000-03-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요시타카히카루

    IPC: H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76807

    Abstract: A hard mask 105 of SiCN is formed on a fluorine-containing carbon film 103. Thus, the adhesion of the hard mask 105 to the fluorine-containing carbon 103 is improved and inhibited from being peeled off. The hard mask 105 of SiCN can have a higher etch-selectivity than those of conventional hard masks, and can have a lower dielectric constant than that of SiN or SiC.

    Abstract translation: SiCN的硬掩模105形成在含氟碳膜103上。因此，硬掩模105对含氟碳103的附着性得到改善并且被抑制剥离。 SiCN的硬掩模105可以具有比常规硬掩模更高的蚀刻选择性，并且可以具有比SiN或SiC更低的介电常数。 ＆lt;图像＆GT;

    처리 장치 및 처리 방법
    4.
    发明授权
    처리 장치 및 처리 방법 失效
    装置和处理方法

    公开(公告)号：KR100516844B1

    公开(公告)日：2005-09-26

    申请号：KR1020037009599

    申请日：2002-01-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가토요시히로 ,  고토다다시 ,  요시타카히카루 ,  아오키마코토

    IPC: H01L21/31

    CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  H01J37/3244

    Abstract: A first channel 30 is formed in the side of a first diffusion plate 21 which is on that side of a gas inlet tube 27 and a recess 32 is formed in the side which is on that side of an electrode plate 19. The first channel 30 and the recess 32 communicate with each other through a plurality of inlet ports 31. The first channel 30 and the inlet ports 31 form a gas flow passage L which leads to the recess 32 from the gas inlet tube 27. As a process gas supplied from the gas inlet tube 27 passes through the gas flow passage L, it is supplied, dispersed, to a hollow portion formed between the recess 32 and the electrode plate 19.

    반도체 장치의 제조 방법
    6.
    发明公开
    반도체 장치의 제조 방법 失效

    公开(公告)号：KR1020010080574A

    公开(公告)日：2001-08-22

    申请号：KR1020017006553

    申请日：2000-03-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요시타카히카루 ,  가토요시히로 ,  고바야시다카시

    IPC: H01L21/3205

    Abstract: 본 발명에 따르면, 불소 첨가 카본막(102) 상에 SiF
    4 와 C
    2 H
    4 를 소스 가스로 한 화학 기상 성장법에 의해 SiC로 이루어지는 무기 절연막(103)을 형성한다. 수소(H)를 포함하지 않은 SiF
    4 와 CF
    4 를 소스 가스로 함으로써 하드 마스크(113)를 형성하는 무기 절연막(103)내로의 H의 결합이 억제된다. 이에 따라, 무기 절연막(103)에서 외측으로 확산된 H가 불소 첨가 카본막(102) 중의 불소(F)와 결합하여 HF를 형성하여, 이 HF가 무기 절연막(103) 등을 부식하는 것이 억제된다. 이 때문에, 무기 절연막(103)으로 형성된 하드 마스크(113)와 불소 첨가 카본막(102) 등의 다른 층과의 밀착성의 열화를 억제할 수 있게 된다. 1c

    반도체 장치의 제조 방법
    8.
    发明授权
    반도체 장치의 제조 방법 失效
    반도체장치의제조방법

    公开(公告)号：KR100414611B1

    公开(公告)日：2004-01-07

    申请号：KR1020017006553

    申请日：2000-03-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요시타카히카루 ,  가토요시히로 ,  고바야시다카시

    IPC: H01L21/3205

    CPC classification number: H01L21/3148 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802

    Abstract: An inorganic insulating film 103 of SiC is formed on a fluorine-containing carbon film 102 by a chemical vapor deposition process using SiF4 and C2H4 as source gases. By using SiF4 and CF4 containing no hydrogen (H) as source gases, H inhibited from being incorporated into the inorganic insulating film 103 forming a hard mask 113. Thus, H having diffused outwardly from the inorganic insulating film 103 is bonded to fluorine (F) in the fluorine-containing carbon film 102 to form HF which inhibits the corrosion of the inorganic insulating film 103 and so forth. Thus, it is possible to inhibit the deterioration of the adhesion of the hard mask 113 formed of the inorganic insulating film 103 to other layers, such as the fluorine-containing carbon film 102.

    Abstract translation: 通过使用SiF 4和C 2 H 4作为源气体的化学气相沉积工艺在含氟碳膜102上形成SiC的无机绝缘膜103。 通过使用不含氢（H）的SiF 4和CF 4作为源气体，可抑制H掺入到形成硬掩模113的无机绝缘膜103中。因此，从无机绝缘膜103向外扩散的H与氟（F ）在含氟碳膜102中形成抑制无机绝缘膜103等的腐蚀的HF。 因此，可以抑制由无机绝缘膜103形成的硬掩模113与诸如含氟碳膜102等其他层的粘附的恶化。

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