公开(公告)号：KR102220184B1

公开(公告)日：2021-02-24

申请号：KR1020140033954

申请日：2014-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  가자마고이치 ,  우다슈이치로 ,  야마다사토시 ,  후치가미신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 동일한가스확산실에접속된복수의가스분사구로부터분사되는가스의유량의차이를저감시키고, 상이한복수의가스공급경로에가스가입력되고나서대응의영역의가스분사구로부터가스가분사될때까지의시간의차이를저감시키는것이가능한플라스마처리장치용의샤워헤드가제공된다. 일실시형태의샤워헤드에서는, 복수의영역의각각에복수의가스분사구가마련되어있고, 상기복수의영역의각각에는개별의가스공급경로로부터처리가스가공급된다. 각가스공급경로는, 상류에서하류까지의사이에세 개의가스확산실을포함하고있다.

公开(公告)号：KR1020140016907A

公开(公告)日：2014-02-10

申请号：KR1020137025224

申请日：2012-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시게키 ,  야마다사토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/76898

Abstract: 기판의 표면에 레지스트 패턴이 형성되고, 기판의 외주부에서 기판의 기체 표면이 노출되어 있는 기판에 플라즈마 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 기판을 지지하는 지지부(6)와, 지지부(6)에 지지되어 있는 기판의 외주부를 덮도록 설치되어 있고, 플라즈마가 기판의 외주부로 유입되는 것을 방지하는 커버 부재(5)와, 고주파 전력의 인가와 에칭용의 처리 가스의 공급을 제어함으로써 생성한 플라즈마에 의해, 외주부가 커버 부재(5)로 덮인 상태에서, 지지부에 지지되어 있는 기판에 에칭을 행하고, 상기 에칭 후, 고주파 전력의 인가와 애싱용의 처리 가스의 공급을 제어함으로써 생성한 플라즈마에 의해, 에칭이 행해진 기판의 레지스트 패턴의 애싱을 행하는 조사부(2, 16)를 가진다.

公开(公告)号：KR1020160033034A

公开(公告)日：2016-03-25

申请号：KR1020150126297

申请日：2015-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라노타이치 ,  요시다겐 ,  사사키히코이치로 ,  야마다사토시 ,  하야카와요시노부 ,  이시바시준지 ,  구마가이후미토시

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H01J2237/04

Abstract: 플라즈마처리에이용되는고주파의파워를변조펄스의듀티비에따라하이레벨과로우레벨의사이에서교호로전환하는펄스변조방식을개선한다. 이플라즈마처리장치에서는, 예를들면플라즈마생성용의고주파에하이/로우의펄스변조를거는경우, 정합기내에서가중평균의가중치변수(K)를 0.5

Abstract translation: 改进了用于根据调制脉冲的占空比来在高电平和较低电平之间切换等离子体处理中使用的高频功率的脉冲调制方法。 根据等离子体处理装置，例如，在将高/低的脉冲调制应用于产生等离子体的高频的情况下，如果将匹配单位的加权平均值的权重变量（K）设定为满足0.5 < 即使在等离子体发生系统的高频馈电线路上的脉冲开启期间（T_（on）），也产生恒定功率（PR_H）的反射波，另一方面，功率（PR_L） 在脉冲关闭期间（T_（关闭））减小反射波。 通过调整K的值，可以随机地控制脉冲开启期间（T_（on））的反射波功率与脉冲关闭期间的反射波功率（T_（off））之间的平衡。

公开(公告)号：KR101896491B1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：KR1020137025224

申请日：2012-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시게키 ,  야마다사토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/76898

Abstract: 기판의표면에레지스트패턴이형성되고, 기판의외주부에서기판의기체표면이노출되어있는기판에플라즈마에칭을행하는플라즈마에칭장치에있어서, 기판을지지하는지지부(6)와, 지지부(6)에지지되어있는기판의외주부를덮도록설치되어있고, 플라즈마가기판의외주부로유입되는것을방지하는커버부재(5)와, 고주파전력의인가와에칭용의처리가스의공급을제어함으로써생성한플라즈마에의해, 외주부가커버부재(5)로덮인상태에서, 지지부에지지되어있는기판에에칭을행하고, 상기에칭후, 고주파전력의인가와애싱용의처리가스의공급을제어함으로써생성한플라즈마에의해, 에칭이행해진기판의레지스트패턴의애싱을행하는제어부(90)를가진다.

公开(公告)号：KR102037542B1

公开(公告)日：2019-10-28

申请号：KR1020147017836

申请日：2013-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하토히데유키 ,  도바시게키 ,  야마모토신야 ,  야마다사토시 ,  모리히로토 ,  안도겐지

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR1020140119004A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020147017836

申请日：2013-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하토히데유키 ,  도바시게키 ,  야마모토신야 ,  야마다사토시 ,  모리히로토 ,  안도겐지

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32715 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/76898 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386

Abstract: 기판 배치대(94)는 배치대(2), 정전 척(6) 및 베벨 커버링(5)을 구비한다. 정전 척(6)은 웨이퍼(W)의 이면 전체와 접촉하는 지지면(6e)을 갖는다. 원환형의 베벨 커버링(5)은, 지지면(6e)보다 큰 외경(DA)을 가지며 웨이퍼(W)보다 작은 내경(DI)을 갖는다. 베벨 커버링(5)이, 지지면(6e)에 직교하는 방향에서 보아 지지면(6e)에 지지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 배치된다.

公开(公告)号：KR1020140117290A

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：KR1020140033954

申请日：2014-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  가자마고이치 ,  우다슈이치로 ,  야마다사토시 ,  후치가미신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574

Abstract: Provided is a shower head of a plasma processing apparatus which reduces a difference of the amount of gas injected from gas injection holes connected to the same gas diffusion chamber and reduces time difference until a gas is injected from the gas injection hole of a corresponding region after the gas is supplied to different gas supply paths. In a shower head of an embodiment, gas injection holes are prepared in regions, respectively. A process gas is supplied from each gas supply path in the regions. Each gas supply path includes three gas diffusion chambers between an upper class and a lower class.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置的喷头，其减少了从与相同的气体扩散室连接的气体注入孔喷射的气体的量的差异，并且减少了从相应区域的气体注入孔注入气体直至从其后的相应区域的气体注入孔注入气体 气体供应到不同的气体供应路径。 在一个实施例的喷头中，分别在区域中制备气体注入孔。 从各区域的各气体供给路径供给处理气体。 每个气体供给路径包括上级和下级之间的三个气体扩散室。