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    처리장치, 상부전극유니트와 그 사용방법 및 전극유니트와 그 제조방법
    1.
    发明授权
    처리장치, 상부전극유니트와 그 사용방법 및 전극유니트와 그 제조방법 失效
    처리장치，상부전극유니트와그사용방법및전극유니트와그제조방처

    公开(公告)号：KR100469047B1

    公开(公告)日：2005-01-31

    申请号：KR1019997009083

    申请日：1998-04-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준 ,  하야시다이스케 ,  다카야마나오키 ,  가자마고이치

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/532 ,  Y10T29/53204

    Abstract: 본 발명은, 가스토출구멍에 착탈 및 위치결정이 용이하고 내플라즈마성이 우수한 절연부재를 끼워 장착한 처리장치를 제공한다.
    본 발명에 있어서, 에칭장치(100)의 상부전극(128)에 배치된 가스토출구멍(128a)은 절연부재(144)의 외형형상에 대응한 형상으로 형성된다. 절연부재(144)는 폴리에테르에테르케톤이나 폴리이미드나 폴리에테르이미드로 이루어지고, 그 외부 표면에 단부(144a)가 형성된다. 절연부재(144)의 긴 쪽 방향의 길이는 가스토출구멍(128a)의 긴 쪽 방향의 길이보다 짧게 형성된다. 절연부재(144) 내에는 그 긴 쪽 방향을 따라 관통구멍(144d)이 설치됨과 더불어, 관통구멍(144d)의 처리실(102) 측 개구부 부근이 처리실(102) 측으로 향하여 직경이 확대되는 거의 테이퍼모양으로 형성된다. 절연부재(144)를 가스토출구멍(128a) 내에 가스토출구멍(128a)의 취출구 측으로부터 삽입하고, 단부(144a)와 가스토출구멍(128a) 내벽에 형성된 견부(128b)가 맞추어지도록 절연부재(144)를 밀어 넣고 끼워 장착시킨다. 이 때, 절연부재(144)는 상부전극의 서셉터(110) 측의 면보다도 돌출하여 배치된다.

    Abstract translation: 处理系统设置有能够容易地装配在气体排放孔中，并且能够容易地定位在气体排放孔中的绝缘构件。 蚀刻系统（100）设置有设置有与绝缘构件（144）的外部形状对应的形状的气体排出孔（128a）的上电极（128）。 绝缘部件（144）由聚醚醚酮树脂，聚酰亚胺树脂，聚醚酰亚胺树脂等形成。 每个绝缘构件144在其外表面上设有台阶（144a）。 绝缘部件（144）的长度比气体排出孔（128a）的长度短。 在各绝缘部件144上设有纵长的贯通孔144d，处理室102侧的贯通孔144d的端部形成为向处理室102侧扩大的锥状， ）。 绝缘部件144从气体排出孔128a的出口端侧被压入气体排出孔128a中，以使台阶144a与形成在其中的肩部128b接触。 排气孔（128a）的侧壁。 装配在气体排出孔128a中的每个绝缘构件144的一部分从上电极128的面对基座110的表面突出。 ＆lt;图像＆GT;

    챔버 내벽 보호 부재 및 플라즈마 처리 장치
    2.
    发明公开
    챔버 내벽 보호 부재 및 플라즈마 처리 장치 失效
    室内壁保护部件和等离子体处理装置

    公开(公告)号：KR1020010043079A

    公开(公告)日：2001-05-25

    申请号：KR1020007011960

    申请日：1999-04-27

    Applicant: 도카이 카본 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하이노가즈요시 ,  가자마고이치

    IPC: H01L21/205

    Abstract: 본 발명은 유리형 카본재의 재질 성상을 특정하여, 장시간에 걸쳐 안정 사용이 가능한 플라즈마 처리 장치의 챔버 내벽 보호 부재 및 그 보호 부재를 배치한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 플라즈마 처리 장치의 챔버 내벽을 보호하는 중공 형상의 보호 부재로서, 체적비 저항이 1×10
    -2 Ω·cm 이하, 열전도율이 5 W/m·K 이상의 특성을 갖는 유리형 카본재로부터 일체형 구조로 형성되어 이루어진 챔버 내벽 보호 부재이다. 보호 부재의 두께는 4 mm 이상이며, 그 내면의 평균 표면 거칠기(Ra)는 2.0 μm 이하인 것이 바람직하다. 플라즈마 처리 장치는 이들 재질 성상을 갖춘 챔버 내벽 보호 부재를 플라즈마 처리 장치의 챔버 내벽부를 따라 배치하고, 챔버 내벽부와 보호 부재를 전기적으로 도통하는 동시에 챔버가 접지되도록 구성되어 있다.

    샤워 헤드, 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
    3.
    发明公开
    샤워 헤드, 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 审中-实审
    淋浴头，等离子体加工设备和等离子体处理方法

    公开(公告)号：KR1020140117290A

    公开(公告)日：2014-10-07

    申请号：KR1020140033954

    申请日：2014-03-24

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오카야마노부유키 ,  가자마고이치 ,  우다슈이치로 ,  야마다사토시 ,  후치가미신지

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574

    Abstract: Provided is a shower head of a plasma processing apparatus which reduces a difference of the amount of gas injected from gas injection holes connected to the same gas diffusion chamber and reduces time difference until a gas is injected from the gas injection hole of a corresponding region after the gas is supplied to different gas supply paths. In a shower head of an embodiment, gas injection holes are prepared in regions, respectively. A process gas is supplied from each gas supply path in the regions. Each gas supply path includes three gas diffusion chambers between an upper class and a lower class.

    Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置的喷头，其减少了从与相同的气体扩散室连接的气体注入孔喷射的气体的量的差异，并且减少了从相应区域的气体注入孔注入气体直至从其后的相应区域的气体注入孔注入气体 气体供应到不同的气体供应路径。 在一个实施例的喷头中，分别在区域中制备气体注入孔。 从各区域的各气体供给路径供给处理气体。 每个气体供给路径包括上级和下级之间的三个气体扩散室。

    플라즈마처리장치
    6.
    发明授权
    플라즈마처리장치 失效

    公开(公告)号：KR100497879B1

    公开(公告)日：2005-09-08

    申请号：KR1019980001864

    申请日：1998-01-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가자마고이치 ,  코이즈미가쓰유키 ,  다구치치히로 ,  오노가쓰히코 ,  사카노신지

    IPC: H05H1/34

    Abstract: 플라즈마 에칭 장치(100)의 상부 전극(138)의 주연부를 커버하는 차폐 링(shield ring)(140)은 서로 분리가 가능하도록 조합된 내측 부재(142) 및 외측 부재(144)로 구성된다. 내측 부재(142)는 내열성이면서 내스퍼터성의 절연성 수지인 폴리이미드계 수지로 이루어진다. 내측 부재(142)는 그 외연부에 의해 외측 부재(144)에 지지된다. 외측 부재(144)는 착탈가능한 부착 나사(150)에 의해 상부 전극(138)의 외측벽에 설치된다.

    챔버 내벽 보호 부재 및 플라즈마 처리 장치
    8.
    发明授权
    챔버 내벽 보호 부재 및 플라즈마 처리 장치 失效
    室内外表面保护构件和等离子体处理装置

    公开(公告)号：KR100596085B1

    公开(公告)日：2006-07-05

    申请号：KR1020007011960

    申请日：1999-04-27

    Applicant: 도카이 카본 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하이노가즈요시 ,  가자마고이치

    IPC: H01L21/205

    Abstract: 본 발명은 유리형 카본재의 재질 성상을 특정하여, 장시간에 걸쳐 안정 사용이 가능한 플라즈마 처리 장치의 챔버 내벽 보호 부재 및 그 보호 부재를 배치한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 플라즈마 처리 장치의 챔버 내벽을 보호하는 중공 형상의 보호 부재로서, 체적 비저항이 1×10
    -2 Ω·cm 이하, 열전도율이 5 W/m·K 이상의 특성을 갖는 유리형 카본재로부터 일체형 구조로 형성되어 이루어진 챔버 내벽 보호 부재이다. 보호 부재의 두께는 4 mm 이상이며, 그 내면의 평균 표면 거칠기(Ra)는 2.0 μm 이하인 것이 바람직하다. 플라즈마 처리 장치는 이들 재질 성상을 갖춘 챔버 내벽 보호 부재를 플라즈마 처리 장치의 챔버 내벽부를 따라 배치하고, 챔버 내벽부와 보호 부재를 전기적으로 도통하는 동시에 챔버가 접지되도록 구성되어 있다.

    플라즈마처리장치
    10.
    发明公开
    플라즈마처리장치 失效

    公开(公告)号：KR1019980070700A

    公开(公告)日：1998-10-26

    申请号：KR1019980001864

    申请日：1998-01-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가자마고이치 ,  코이즈미가쓰유키 ,  다구치치히로 ,  오노가쓰히코 ,  사카노신지

    IPC: H05H1/34

    Abstract: 플라즈마 에칭 장치(100)의 상부 전극(138)의 주연부를 커버하는 차폐 링(shield ring)(140)은 서로 분리가 가능하도록 조합된 내측 부재(142) 및 외측 부재(144)로 구성된다. 내측 부재(142)는 내열성이면서 내스퍼터성의 절연성 수지인 폴리이미드계 수지로 이루어진다. 내측 부재(142)는 그 외연부에 의해 외측 부재(144)에 지지된다. 외측 부재(144)는 착탈가능한 부착 나사(150)에 의해 상부 전극(138)의 외측벽에 설치된다.

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