公开(公告)号：KR101965957B1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：KR1020170081202

申请日：2017-06-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마히로유키 ,  시마다아츠시 ,  히라사와다츠오 ,  하타노다츠오 ,  후루카와신지

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR1020140043877A

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：KR1020130117804

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라사와다츠오 ,  요코야마오사무 ,  야스무로치아키 ,  후지사토도시아키 ,  요시다료타 ,  사쿠마다카시 ,  한천수

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05F3/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/34 ,  H01L21/6833

Abstract: Provided is a plasma processing method capable of obtaining sufficient repulsion force (adhesion) when processing plasma, and suppressing the generation of particles by reducing residual charges. In this method, plasma processing is performed on a subject in a state that the subject is adsorbed onto an electrostatic chuck on the top of a tray. The methods comprises: a plasma processing process of performing plasma processing in a state that heat conduction gas is supplied between a subject and the electrostatic chuck while adsorbing the subject by applying a first voltage to the electrostatic chuck as an application voltage; an application voltage reduction process of reducing the application voltage while exhausting the heat conduction gas remaining between the subject and the electrostatic chuck by stopping supplying the heat conduction gas at the termination of the plasma processing process; and a separation process of separating the subject from the electrostatic chuck by making the application voltage to the electrostatic chuck become zero after the application voltage reduction process. [Reference numerals] (AA) Voltage of an electrostatic chuck; (BB) Pressure of heat conduction gas; (CC) High frequency power for plasma; (DD,EE) First voltage; (FF) (opening and closing switch → close); (GG) Separate a wafer by a lifter pin; (HH) Plasma processing method of the present invention

Abstract translation: 提供一种等离子体处理方法，其能够在处理等离子体时获得足够的排斥力（粘附），并通过减少残余电荷来抑制颗粒的产生。 在该方法中，在被检体吸附在托盘顶部的静电卡盘上的状态下，对被检体进行等离子体处理。 所述方法包括：等离子体处理过程，其在通过向所述静电卡盘施加第一电压作为施加电压而吸附被检体之间，在被检体和所述静电卡盘之间供给导热气体的状态下进行等离子体处理; 施加电压降低处理，其通过在等离子体处理过程的终止时停止供给导热气体而排出残留在被检体和静电卡盘之间的导热气体，同时降低施加电压; 以及通过使静电卡盘的施加电压在施加电压降低处理之后变为零而将被摄体与静电卡盘分离的分离处理。 （附图标记）（AA）静电卡盘的电压; （BB）导热气压力; （CC）等离子体的高频功率; （DD，EE）第一电压; （FF）（开关→关闭）; （GG）通过升降器引脚分离晶片; （HH）本发明的等离子体处理方法

公开(公告)号：KR102022762B1

公开(公告)日：2019-09-18

申请号：KR1020170072206

申请日：2017-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라사와다츠오 ,  요코야마오사무 ,  야스무로치아키 ,  후지사토도시아키 ,  요시다료타 ,  사쿠마다카시 ,  한천수

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

公开(公告)号：KR1020170070852A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：KR1020170072206

申请日：2017-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라사와다츠오 ,  요코야마오사무 ,  야스무로치아키 ,  후지사토도시아키 ,  요시다료타 ,  사쿠마다카시 ,  한천수

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC classification number: H05F3/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/34 ,  H01L21/6833 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

Abstract: 플라즈마처리시의척력(흡착력)을충분히얻을수 있고, 잔류전하를적게해서파티클의발생량도억제하는것이가능한플라즈마처리방법을제공한다. 탑재대의상면에마련한정전척에피처리체를흡착시킨상태에서피처리체에대하여플라즈마처리를실시하도록한 플라즈마처리방법에있어서, 정전척에인가전압으로서제 1 전압을인가하여피처리체를흡착함과함께정전척과피처리체와의사이에열전도가스를공급한상태에서플라즈마처리를실시하는플라즈마처리공정과, 플라즈마처리공정의종료시에열전도가스의공급을정지하여정전척과기피처리체와의사이에잔류하는열전도가스를배기시키면서인가전압을저하시키도록한 인가전압저하공정과, 인가전압저하공정후에, 정전척으로의인가전압을제로로해서피처리체를정전척으로부터이탈시키도록한 이탈공정을가진다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理方法，其能够充分地获得等离子体处理时的排斥力（吸附力），并且通过减少残留电荷量来减少残留颗粒的量。 一种等离子体处理方法，其中待处理物体在待处理物体被吸附在设置在载置台的上表面上的静电吸盘中的同时经受等离子体处理， 为在卡盘和工件之间所提供的热传导性气体hansangtae进行等离子体处理静电等离子体处理步骤，以停止所述传热气体的供给在等离子体处理过程结束排出静电卡盘之间，以及防水处理构件之间保留的传热气体 在施加电压降低步骤之后，通过将施加到静电吸盘的电压设定为零，从静电吸盘释放待处理物体的释放步骤。