公开(公告)号：KR100344967B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1019950009309

申请日：1995-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키 ,  고시시아키라 ,  니시가와히로시 ,  다케나카히로토 ,  사카모토요시오 ,  다하라가즈히로 ,  고미노미쯔아키 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이죠

IPC: H01L21/306

Abstract: 플라즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제 1 주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제 2 주파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가한다.

公开(公告)号：KR1019950034496A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950009309

申请日：1995-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키 ,  고시시아키라 ,  니시가와히로시 ,  다케나카히로토 ,  사카모토요시오 ,  다하라가즈히로 ,  고미노미쯔아키 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이죠

IPC: H01L21/306

Abstract: 플리즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제1주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제2주 파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가하다.