Abstract:
기판 처리 장치는, 저류된 처리액에 기판을 침지시켜 기판의 처리를 실시한다. 기판 처리 장치는, 대향 배치된 1 쌍의 측벽을 갖는 처리조와, 상기 1 쌍의 측벽에 각각 대응하여 형성된 1 쌍의 처리액 공급 기구를 구비한다. 상기 1 쌍의 처리액 공급 기구는, 상기 1 쌍의 측벽을 연결하는 폭 방향에 있어서의 상기 처리조 내의 중앙측을 향하여 처리액을 공급하여, 상기 처리조 내의 상기 폭 방향에 있어서의 중앙 영역에 있어서 상승류가 형성된다. 상기 1 쌍의 측벽 각각의 내벽면은, 본체부와, 상기 본체부의 상방에 위치하는 돌출부와, 최상방에 위치하고 상기 처리액이 오버 플로우하는 배출구를 형성하는 배출 안내부를 포함한다. 상기 배출 안내부는, 상방을 향하여 상기 폭 방향의 중앙측과는 반대측으로 경사진다. 상기 돌출부는, 상기 본체부 및 상기 배출 안내부보다, 상기 폭 방향에 있어서 중앙측에 위치하는 내방 단부를 포함한다. 기판 처리 장치, 처리액, 돌출부, 배출 안내부
Abstract:
Disclosed is a substrate processing apparatus for cleaning and drying a substrate such as a semiconductor wafer. This substrate processing apparatus comprises a liquid processing unit for processing a substrate by immersing the substrate in a stored purified water, a drying unit arranged above the liquid processing unit for drying the substrate, a substrate conveying system for conveying the substrate between the liquid processing unit and the drying unit, a fluid supply mechanism for supplying a fluid mixture composed of vapor or mist of purified water and vapor or mist of a volatile organic solvent into the drying unit, and a control unit for controlling supply of the fluid mixture. ® KIPO & WIPO 2008
Abstract:
피처리 기판으로부터 균일하게 파티클을 높은 제거 효율로 제거할 수 있는 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판 세정 방법은, 세정조(12) 내에 저류되는 세정액 내에 피처리 기판(W)을 침지하는 공정과, 상기 세정조 내의 세정액에 초음파를 발생시키는 공정을 구비하고 있다. 초음파를 발생시키는 공정의 적어도 한 기간, 세정조 내에 세정액이 공급된다. 상기 세정조 내에 세정액을 공급하면서 세정조 내의 세정액에 초음파를 발생시키고 있는 동안, 세정조 내에서의 세정액이 공급되는 수직 방향 위치는 변화한다. 세정액, 피처리 기판, 초음파, 세정조, 파티클
Abstract:
A substrate cleaning apparatus, a substrate cleaning method, and a storage medium are provided to reliably clean a substrate by preventing a cleaning agent from being vaporized during a mixing process. A substrate cleaning apparatus cleanses a substrate using a cleaning agent, which is formed by mixing plural agents with one another. The substrate cleaning apparatus includes a mixer(31), a supply unit(32), and a heater(14). The mixer mixes the agents with one another. The supply unit supplies the mixed cleaning agent to a surface of the substrate. The heater heats the cleaning agent, which is supplied to the substrate surface, on the surface of the substrate. A reaction suppressing unit(33) of the mixer prevents a reaction among mixed agents.
Abstract:
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 세정, 건조시키기 위한 기판 처리 장치는 저류된 순수에 기판을 침지시켜 처리하는 액 처리부와, 액 처리부의 위쪽에 마련되어 기판을 건조시키는 건조 처리부와, 액 처리부와 건조 처리부 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치와, 순수의 수증기 또는 미스트와 휘발성 유기 용제의 증기 또는 미스트로 이루어진 혼합 유체를 상기 건조 처리부에 공급하는 유체 공급 기구와, 혼합 유체의 공급을 제어하는 제어부를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 세정, 건조시키기 위한 기판 처리 장치는 저류된 순수에 기판을 침지시켜 처리하는 액 처리부와, 액 처리부의 위쪽에 마련되어 기판을 건조시키는 건조 처리부와, 액 처리부와 건조 처리부 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치와, 순수의 수증기 또는 미스트와 휘발성 유기 용제의 증기 또는 미스트로 이루어진 혼합 유체를 상기 건조 처리부에 공급하는 유체 공급 기구와, 혼합 유체의 공급을 제어하는 제어부를 포함한다.
Abstract:
유체 가열기(20)는, 가열 대상의 유체가 흐르는 유로관(26)과, 유로관(26)을 가열하는 가열부(23)를 구비하고 있다. 유로관(26)의 내부에는, 하나 또는 복수의 충전재(30)가 마련되어 있다. 기판 처리 장치(60)는, 휘발성을 갖는 유기 용제의 액체를 공급하는 공급원(92)과, 공급원(92)에 의해 공급되는 유기 용제의 액체를 가열하여 유기 용제의 증기를 생성하는 상술한 유체 가열기(20)와, 기판(W)을 수용하고, 이 수용된 기판(W)의 건조를 행하는 챔버(65)이며, 유체 가열기(20)에 의해 생성된 유기 용제의 증기가 공급되는 챔버(65)를 구비하고 있다.
Abstract:
유체 가열기(20)는, 가열 대상의 유체가 흐르는 유로관(26)과, 유로관(26)을 가열하는 가열부(23)를 구비하고 있다. 유로관(26)의 내부에는, 하나 또는 복수의 충전재(30)가 마련되어 있다. 기판 처리 장치(60)는, 휘발성을 갖는 유기 용제의 액체를 공급하는 공급원(92)과, 공급원(92)에 의해 공급되는 유기 용제의 액체를 가열하여 유기 용제의 증기를 생성하는 상술한 유체 가열기(20)와, 기판(W)을 수용하고, 이 수용된 기판(W)의 건조를 행하는 챔버(65)이며, 유체 가열기(20)에 의해 생성된 유기 용제의 증기가 공급되는 챔버(65)를 구비하고 있다.
Abstract:
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 세정, 건조시키기 위한 기판 처리 장치는 저류된 순수에 기판을 침지시켜 처리하는 액 처리부와, 액 처리부의 위쪽에 마련되어 기판을 건조시키는 건조 처리부와, 액 처리부와 건조 처리부 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치와, 순수의 수증기 또는 미스트와 휘발성 유기 용제의 증기 또는 미스트로 이루어진 혼합 유체를 상기 건조 처리부에 공급하는 유체 공급 기구와, 혼합 유체의 공급을 제어하는 제어부를 포함한다.
Abstract:
황산과 과산화수소수를 혼합시켰을 때에, 기판으로부터 레지스트의 박리 등에 유효한 카로산을 충분히 생성시킬 수 있는 약액 혼합 방법 및 약액 혼합 장치를 제공한다. 우선 내조(10)를 황산으로 가득 채우는 동시에 외조(12)에도 내조(10)로부터 넘친 황산이 유입되도록 한다. 다음에, 내조(10)에 과산화수소수를 공급하여 외조(12)에 과산화수소수를 유입시키고, 이 외조(12) 안에 과산화수소수 및 황산 2 종류의 액체를 저류시킨다. 과산화수소수를 유입시키는 동시에 복귀 펌프(16)를 작동시킨다.