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公开(公告)号：KR1019950001932A
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019940013531
申请日：1994-06-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C30B31/12 , C23C16/46 , C30B25/10 , G05D23/1934
Abstract: 고속열처리장치의온도에서방법은, 프로세스튜브내에더미기판을모의적으로히터로가열하여, 더미기판이목표온도에도달할때까지기판승온패턴과가열수단이목표온도에도달할때까지의히터승온패턴을프로세스튜브내의각 영역마다공도검출수단에의하여각각미리검출하여파악하여놓고, 처리할기판을면접촉(face to face) 배열로되도록프로세스튜브내에수용하고, 웨이퍼를가열할때에, 상기온도센서에의하여각 영역의온도및 히터엘레멘트의온도를각각검출하며, 각영역의기판의온도가목표온도로도달하여안정할때까지의사이에서, 상기각 검출온도와상기기판승온패턴및 히터승온패턴에의거하여각 히터를콘트롤러에의하여제어하고, 신속하고도균일하게기판을승온시킨다. 선택도 : 제2도
Abstract translation: 在高速热处理系统的温度的方法是用模拟到加热器中，当基板温度上升模式和加热工序中的加热器的温度上升图案kkajiui装置直到它到达到伪基片的目标温度达到目标温度来加热堆板在管的方法 到管内的每个区域，放置由每个预先检测由公路检测装置识别，如果要被处理的基板收容在接触（面对面）处理管以阵列和加热晶片，由温度传感器 感测每个区域中，温度和每一个和跨度的每个区域的衬底温度之间的加热器元件的温度是稳定的，以达到目标温度时，每个所述检测到的温度中的每个驻留和所述基片温度的升高图案和所述加热器温度升高图案 由加热器控制器来控制，快速hagodo基板均匀地加热。 选择性：图2
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公开(公告)号：KR100181524B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019930009205
申请日：1993-05-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 피처리 물체를 재치하여 지지하는 복수의 링 트레이가 평행하게 종 방향으로 소정 간격 배치되고, 로드에 의하여 지지된다. 이 링 트레이는 로드와의 연결을 피한 적어도 3개소의 위치에 링 트레이의 중공부에 연통하지 아니한 절결부가 설치된다. 아암에 설치된 지지이빨은 구동장치에 의하여 절결부에 따라서 삽입되고, 지지이빨을 링 트레이를 두고 종방향의 양쪽에 상대적으로 이동시키어 웨이퍼를 링 트레이와 지지이빨과의 사이에서 이동 변환할 수 있다. 이것에 의하여 피처리 물체의 각종의 열처리에 있어서, 피처리물체의 슬립등 방지를 가능하게 하고, 또한, 복수매의 피처리물체를 10번에 이동 변환하여 이동 변환시간을 단축 할 수가 있다.
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公开(公告)号：KR100241293B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019940013531
申请日：1994-06-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C30B31/12 , C23C16/46 , C30B25/10 , G05D23/1934
Abstract: 고속열처리 장치의 온도제어 방법은, 프로세스 튜브 내에 더미 기판을 모의적으로 히터로 가열하여, 더미기판이 목표온도에 도달할 때까지의 기판 승온 패턴과 가열수단이 목표온도에 도달할 때까지의 히터승온 패턴을 프로세스 튜브 내의 각 영역마다 공도검출 수단에 의하여 각각 미리 검출하여 파악하여 놓고, 처리할 기판을 면접촉(face to face) 배열로 되도록 프로세스 튜브 내에 수용하고, 웨이퍼를 가열할 때에, 상기 온도센서에 의하여 각 영역의 온도 및 히터 엘레멘트의 온도를 각각 검출하며, 각 영역의 기판의 온도가 목표온도로 도달하여 안정할 때까지의 사이에서, 상기 각 검출온도와 상기 기판 승온 패턴 및 히터 승온패턴에 의거하여 각 히터를 콘트롤러에 의하여 제어하고, 신속하고도 균일하게 기판을 승온시킨다.
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公开(公告)号：KR1020090012037A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020080038317
申请日：2008-04-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/68785
Abstract: A substrate processing apparatus is provided to exhaust the proper amount according to the amount of the air current generated by the rotation of the processed substrate by controlling the number of rotation of the multiblade centrifugal fan. The spin chuck(40) supports the wafer (W). The spin chuck is rotated in the motor(41). The resist nozzle(42) supplies the resist liquid to the wafer. The treatment vessel(43) accommodates the spin chuck. The exhaust means(44) is disposed at the bottom of the treatment vessel. The multiblade centrifugal fan(50) is arranged in the periphery side of the treatment vessel. The controller(60) is connected to the drive power(51a) of the multiblade centrifugal fan and the motor.
Abstract translation: 提供基板处理装置，通过控制多叶离心式风扇的转动次数，根据经处理基板的旋转产生的气流量排出适量的量。 旋转卡盘（40）支撑晶片（W）。 旋转卡盘在马达（41）中旋转。 抗蚀剂喷嘴（42）将抗蚀剂液体供应到晶片。 处理容器（43）容纳旋转卡盘。 排气装置（44）设置在处理容器的底部。 多叶离心风扇（50）设置在处理容器的周边。 控制器（60）连接到多叶离心风扇和马达的驱动力（51a）。
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公开(公告)号：KR101377194B1
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020100058177
申请日：2010-06-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B3/10 , H01L21/67057 , H01L21/67751 , Y10S134/902
Abstract: 본발명은작업처리량의향상에공헌하며, 대기분위기에패턴을노출시키지않고초임계유체에의한처리를행하는것이가능한기판처리장치및 기판처리방법을제공한다. 기판처리장치의세정조(21)는, 기판(W)을수용하며, 세정액을통류시켜그 기판(W)을세정하고, 처리용기(22)는, 이세정조(21)를수용하며, 그기판(W)에대하여초임계유체에의한처리를행한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120082366A
公开(公告)日：2012-07-23
申请号：KR1020120003876
申请日：2012-01-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 데라다가즈오
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G13/04 , H01G11/06 , H01G11/34 , H01G11/86 , H01G13/02 , H01M4/04 , H01M4/139 , Y02E60/122
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for manufacturing an electrode and a computer storage medium are provided to easily maintain an electrode manufacturing apparatus by regularly lowering a height of a material. CONSTITUTION: A unwind roll(10) unwinds a strip-shaped metal film. A coating part(11) applies an active material mixture on both sides of the metal film. A drying part(12) forms the active material layer by drying the active material mixture on the metal film. A winding roll(13) winds the metal film. The unwind roll, the coating part, the drying part, and winding roll are successively arranged from an upper portion in a carrying direction of the metal film. The unwind roll and the winding roll are arranged in order to carry the metal film.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电极和计算机存储介质的装置和方法，以通过定期降低材料的高度来容易地维持电极制造装置。 构成：展开卷（10）展开条形金属膜。 涂覆部件（11）在金属膜的两面上施加活性物质混合物。 干燥部件（12）通过干燥金属膜上的活性物质混合物形成活性物质层。 卷绕辊（13）卷绕金属膜。 退卷辊，涂布部，干燥部和卷绕辊从金属膜的输送方向的上部依次配置。 布置卷绕辊和卷绕辊以便承载金属膜。
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公开(公告)号：KR1020120082353A
公开(公告)日：2012-07-23
申请号：KR1020120001929
申请日：2012-01-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01G13/04 , H01G11/06 , H01G11/34 , H01G11/86 , H01G13/02 , H01M4/04 , H01M4/139 , Y02E60/122 , Y02E60/13
Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing an electrode, and a method thereof, and a computer storage medium are provided to uniformly apply an active material mixture on a surface of a metal film by controlling a film thickness of the active material mixture. CONSTITUTION: A unwind roll(10) unwinds a strip-shaped metal film(M). A coating part(11) coats an active material mixture on both sides of the metal film. A drying part(12) forms the active material layer by drying the active material mixture on the metal film. A winding roll(13) is used for tying the metal film. The dryer part includes a plurality of road heaters(30a,30b,30c) arranged in a long direction of the metal film side by side The plurality of road heaters irradiates infrared rays. The drying part is divided into a plurality of regions(Ta,Tb,Tc). The temperature of the road heater in one region corresponds to a temperature range of not boiling the active material mixture for a water film thickness of the active material mixture in one region. The temperature of the road heater is set as the temperature of maximizing an absorption rate of the infrared rays in water.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电极的设备及其方法和计算机存储介质，以通过控制活性材料混合物的膜厚来均匀地将活性材料混合物施加到金属膜的表面上。 构成：展开卷（10）展开带状金属薄膜（M）。 涂覆部分（11）在金属膜的两侧涂覆活性材料混合物。 干燥部件（12）通过干燥金属膜上的活性物质混合物形成活性物质层。 卷绕辊（13）用于捆扎金属膜。 干燥部包括并排配置在金属膜的长度方向上的多个道路加热器（30a，30b，30c）。多个道路加热器照射红外线。 干燥部分被分成多个区域（Ta，Tb，Tc）。 一个区域中道路加热器的温度对应于在一个区域中活性物质混合物的水膜厚度不沸腾活性物质混合物的温度范围。 道路加热器的温度被设定为最大化红外线在水中的吸收率的温度。
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公开(公告)号：KR1020110002419A
公开(公告)日：2011-01-07
申请号：KR1020100058177
申请日：2010-06-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B3/10 , H01L21/67057 , H01L21/67751 , Y10S134/902
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, and a substrate processing method thereof are provided to prevent the boundary formation and the pattern collapse of the substrate surface by implementing the process using supercritical fluid. CONSTITUTION: A cleaning bath(21) washes the substrate(W). A treatment basin(22) implements the processing by the supercritical fluid for the substrate. A fluid supplying unit supplies the supercritical fluid to the cleaning bath. A fluid discharging unit discharges the fluid in the cleaning bath. A wafer returning apparatus(3) maintains the absorbed substrate.
Abstract translation: 目的：通过实施使用超临界流体的方法，提供基板处理装置及其基板处理方法，以防止基板表面的边界形成和图案塌陷。 构成：清洗浴（21）洗涤基材（W）。 处理池（22）通过超临界流体进行基底处理。 流体供应单元将超临界流体供应到清洗槽。 流体排放单元排出清洗槽中的流体。 晶片返回装置（3）保持被吸收的基板。
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公开(公告)号：KR101466421B1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020100006070
申请日：2010-01-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , B65G49/07 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67034 , H01L21/67346 , H01L21/67748 , H01L21/68742
Abstract: 본발명은패턴붕괴의발생을억제하고, 간소한구성을갖는기판반송장치등을제공한다. 기판반송장치의반송트레이(50)는기판을유지하는바닥판(511, 521)과, 그주위에설치된둘레측벽(512, 522)으로구성되며, 바닥판(511, 521)에는기판의전달상대인승강부재가통과하기위한개구부(53)가설치되어있다. 또한반송트레이(50)에는, 개구부(53) 내의승강부재를반송트레이(50)의외측으로통과시키는공간(54)이일시적으로형성되고, 기판의반송시에는반송트레이(50) 내에액체가저류(貯留)되며, 기판의상면측이그 액체에접한상태로기판을반송한다.
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公开(公告)号：KR101361300B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020080038317
申请日：2008-04-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/68785
Abstract: 본 발명은 피처리 기판의 적절한 회전수에 의한 처리를 최적으로 하고, 막 두께의 균일화를 도모하며, 막질의 저하를 억제하고, 또한, 미스트의 기판에의 재부착을 방지하는 것을 과제로 한다.
웨이퍼(W)를 유지하는 스핀척(40)과, 스핀척(40)을 회전 구동하는 모터(41)와, 웨이퍼에 레지스트액을 공급하는 레지스트 노즐(42)과, 스핀척을 수용하는 상단이 개구된 처리 용기(43)와, 처리 용기의 저부로부터 배기하는 배기 수단(44)을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 처리 용기의 내주측에 배치되어, 웨이퍼의 표면측의 기류를 배기 수단측으로 흐르게 하는 다익 원심팬(50)과, 모터와 다익 원심팬의 구동 전원(51a)에 접속되어, 웨이퍼의 회전수에 대응하여 다익 원심팬의 회전수를 제어하는 컨트롤러를 구비한다. 컨트롤러로부터의 제어 신호에 의해 다익 원심팬을 회전시켜, 웨이퍼의 회전에 의해 생기는 웨이퍼 표면 상의 둘레 방향으로 흐르는 난기류를, 방사 방향으로 흐르는 층기류로 보정한다.Abstract translation: 本发明将是问题，实现了最好的厚度的均匀性，并且由所述衬底的转速的适当数目的膜处理，并抑制膜质量的降低，并且还可以防止雾衬底的重新附着。
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