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公开(公告)号:KR1020100108185A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:KR1020090125380
申请日:2009-12-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67098 , H01L21/67017 , H01L21/68742
Abstract: PURPOSE: A substrate heat processing device is provided to simplify the assembling and attaching process of a suction pipe to a heat processing plate by using a connection member which has a heat-resistant property. CONSTITUTION: A cassette station(2) draws in and out a wafer from a cassette(C). A wafer carrier arm(7), which moves along a carrier path(6), is installed in the cassette station. A processing station(3) is formed by arranging several processing units in a multiple stage. The processing station comprises five processing unit groups. A first return device(110) is installed between a third processing unit group(G3) and a fourth processing unit group(G4). A second return device(120) is installed between the fourth processing unit group and a fifth processing unit group(G5).
Abstract translation: 目的:提供一种基板加热装置,通过使用具有耐热性的连接构件,简化吸入管到热处理板的装配和附接过程。 构成:盒式录像带(2)从盒式磁带(C)吸入和取出晶片。 沿着载体路径(6)移动的晶片承载臂(7)安装在盒式工作站中。 处理站(3)通过在多级中布置多个处理单元而形成。 处理站包括五个处理单元组。 第一返回装置(110)安装在第三处理单元组(G3)和第四处理单元组(G4)之间。 在第四处理单元组和第五处理单元组(G5)之间安装第二返回装置(120)。
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公开(公告)号:KR1020140004088A
公开(公告)日:2014-01-10
申请号:KR1020137013365
申请日:2011-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01G9/20 , H01G9/2059 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L21/67757 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: (과제) 기판의 피처리면에 형성되어 있는 다공질의 반도체층에 색소를 흡착시키는 공정의 처리 시간을 대폭 단축하는 것.
(해결수단) 이 색소 흡착 유닛(20)은, 배치 처리 매수의 기판(G)에 일괄의 색소 흡착 처리를 실시하기 위해, 상면이 개구된 처리조(30)를 구비하며, 처리조(30) 주위의 가동계로서, 처리조(30) 안으로 그 상면 개구로부터 출입 가능한 보트(32)와, 이 보트(32)를 처리조(30)에 출입시키기 위한 보트 반송부(34)와, 처리조(30)의 상면 개구를 착탈 가능하게 막기 위한 상부 덮개(36)를 가지고 있다. 또한, 이 색소 흡착 유닛(20)은, 처리조(30) 내에 색소 용액을 공급하기 위해 색소 용액 공급부를 구비하고, 처리중에 처리조 내에서 색소 용액의 흐름을 제어하기 위해 흐름 제어부를 구비한다.-
公开(公告)号:KR1020170095757A
公开(公告)日:2017-08-23
申请号:KR1020170020584
申请日:2017-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 가와부치요스케 , 다치바나고우조우 , 나카모리미츠노리 , 오오이시고타로 , 에가시라게이스케 , 다나카고지 , 이나도미히로아키 , 야마시타마사미 , 후쿠다요시테루 , 야마시타고지 , 츠리후네유 , 마스즈미다쿠로
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 기판의표면의발수화처리를행하면서, 기판의패턴내에존재하는순수나발수화제의제거를제거하여건조한기판을신속하게얻는것이가능한액 처리방법등을제공한다. 수평으로유지된기판(W)에대하여순수를공급한후, 기판(W)의건조를행하는데 있어서, 제1 용제공급공정에서는순수공급후의기판(W)의표면에제1 용제를공급하고, 그후의발수화제공급공정에서는기판(W)의표면에발수화제를공급한다. 제2 용제공급공정에서는발수화된후의기판(W)의표면에제2 용제를공급하고, 그후의건조공정에서기판(W)의표면의제2 용제를제거한다. 그리고제1 용제의비중은, 상기발수화제의비중보다작고, 상기제2 용제의비중은, 상기발수화제의비중보다크다.
Abstract translation: 液体处理方法等能够通过除去存在于基板图案中的纯水蒸发剂,同时对基板表面进行防水处理,从而迅速除去干燥的基板。 在第一溶剂供应步骤中供应纯水之后,将第一溶剂供应至基板W的表面,以便在将纯水供应至水平保持的基板W之后干燥基板W, 在随后的供应防水剂的步骤中,防水剂被供应到基板W的表面。 在第二溶剂供应步骤中,第二溶剂在防水之后供应到基板W的表面,并且在随后的干燥步骤中从基板W的表面去除第二溶剂。 第一溶剂的比重小于防水剂的比重,第二溶剂的比重大于防水剂的比重。
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公开(公告)号:KR101486598B1
公开(公告)日:2015-01-26
申请号:KR1020090125380
申请日:2009-12-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
Abstract: [과제] 열처리판에의 흡인관의 접속을 용이하게 할 수 있는 동시에, 열처리판의 면내의 열균일성의 유지를 도모할 수 있고, 열처리판의 점검이나 교환 등의 유지보수성의 향상을 도모할 수 있는 기판 열처리 장치를 제공하는 것.
[해결수단] 반도체 웨이퍼(W)를 얹어놓고 열처리하는 열판(70)과, 이 열판 (70)의 웨이퍼 얹어놓음면에 형성되어 웨이퍼를 흡인하기 위한 복수의 흡인구(76)와, 이 각 흡인구(76)와 흡인수단을 접속하는 흡인관(78)을 구비하는 기판 열처리 장치에 있어서, 흡인관(78)의 일단에, 단열성 및 가요성을 갖는 합성고무제의 접속부재(77)를 장착하고, 이 접속부재(77)를, 열판(70)의 하면의 흡인부에 밀접하고, 흡인구(76)와 흡인관(78)을 기밀상태로 연결한다.-
公开(公告)号:KR1020140004087A
公开(公告)日:2014-01-10
申请号:KR1020137013364
申请日:2011-10-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01G9/20 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01G9/2068 , Y02E10/542
Abstract: 본 발명은 기판 표면 위의 다공질 반도체층에 색소를 흡착시키는 공정의 처리 시간을 대폭 단축하는 것을 과제로 한다.
처리중에, 노즐(20)의 용액 안내면(92L, 92R)과 기판(G) 사이의 갭 내에 색소 용액의 흐름이 형성되고, 기판 피처리면의 다공질 반도체층은 그와 같은 색소 용액의 흐름 속에서 색소 흡착 처리를 받는다. 또한, 색소 용액이 흐름에 더하여, 슬릿형 토출구(88L, 88R)로부터의 충격 압력과 홈형 요철부(94L, 94R)에서의 난류의 압력이 연직 방향으로 작용한다. 이것에 의해, 기판 피처리면의 다공질 반도체층의 표층부에서 색소들 간의 응집 또는 회합이 일어나기 어렵고, 다공질 반도체층의 안쪽 깊이 색소가 효율적으로 침투하며, 다공질 반도체층에의 색소 흡착이 고속으로 진행된다.-
公开(公告)号:KR1020030080196A
公开(公告)日:2003-10-11
申请号:KR1020030010986
申请日:2003-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/16
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/6715
Abstract: 피처리기판에 도포액을 토출함과 동시에 피처리기판을 회전시켜, 도포액을 피처리기판의 지름방향 바깥쪽으로 전개시켜 도포막을 형성하는 도포처리방법은, 실제로 도포액 토출노즐로부터의 도포액의 토출이 개시된 것을 검출하는 공정과, 그 검출신호에 기초하여, 도포액 토출노즐로부터 도포액을 토출시키기 위한 펌프의 구동타이밍, 도포액 토출노즐에 도포액을 공급하는 배관에 설치된 밸브의 동작타이밍, 및 피처리기판의 회전개시 또는 정지타이밍의 적어도 하나를 제어하는 공정을 구비한다.
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公开(公告)号:KR1020140033323A
公开(公告)日:2014-03-18
申请号:KR1020137018337
申请日:2012-01-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , H01L21/02 , H01L31/04 , H01M14/00
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/67173 , H01L21/67727 , H01L21/67745 , H01L21/67748 , Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L21/67703 , H01L21/67754 , H01L21/68707
Abstract: 매엽 처리 또는 배치 처리의 종류에 관계없이, 기판에 실시하는 일련의 처리를 신규한 기판 반송 방식에 의해 효율적으로 또한 고작업 처리량으로 행하는 것.
이 기판 처리 장치는, 가로로 긴 프로세스 스테이션(10)을 시스템 중심부에 배치하고, 그 길이 방향(X 방향)의 양측 단부에 로더(12) 및 언로더(14)를 연결하고 있다. 프로세스 스테이션(10)은, 로더(12)로부터 언로더(14)를 향하여 시스템 길이 방향(X 방향)으로 직선으로 연장되는 반송 라인(28)을 가지며, 이 반송 라인(28)을 사이에 두고 그 좌우 양측에 다수 및 다종류의 처리 유닛(44∼54)을 배치하고 있다. 반송 라인(28) 상에는, 복수의 매엽 반송 기구(30, 32, 34, 36)와 복수의 셔틀 반송부(38, 40, 42)가 교대로 나란히 일렬로 배치되어 있다.-
公开(公告)号:KR100948220B1
公开(公告)日:2010-03-18
申请号:KR1020030010986
申请日:2003-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/16
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/6715
Abstract: 피처리기판에 도포액을 토출함과 동시에 피처리기판을 회전시켜, 도포액을 피처리기판의 지름방향 바깥쪽으로 전개시켜 도포막을 형성하는 도포처리방법은, 실제로 도포액 토출노즐로부터의 도포액의 토출이 개시된 것을 검출하는 공정과, 그 검출신호에 기초하여, 도포액 토출노즐로부터 도포액을 토출시키기 위한 펌프의 구동타이밍, 도포액 토출노즐에 도포액을 공급하는 배관에 설치된 밸브의 동작타이밍, 및 피처리기판의 회전개시 또는 정지타이밍의 적어도 하나를 제어하는 공정을 구비한다.
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