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公开(公告)号:KR1020100042587A
公开(公告)日:2010-04-26
申请号:KR1020090093227
申请日:2009-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , B65G49/06 , B65G47/91 , G02F1/13
CPC classification number: H01L21/67784 , B65G47/911 , B65G49/061 , B65G49/065 , G02F1/1303
Abstract: PURPOSE: A substrate transferring and processing device is provided to suppress a process failure by uniformizing the thickness of a resist layer. CONSTITUTION: A process solution supply nozzle(23) supplies a process solution from a nozzle hole to a substrate. A substrate carrier(50) moves along the guide rail. A substrate maintaining unit(24) absorbs and maintains the edge of the substrate to be freely detached. A support unit is arranged on the same position as the nozzle hole of the process solution supply nozzle in a substrate transferring direction and supports the substrate carrier under the substrate maintaining unit.
Abstract translation: 目的:提供基板转印和处理装置,通过使抗蚀剂层的厚度均匀化来抑制处理失败。 构成:工艺溶液供应喷嘴(23)将工艺溶液从喷嘴孔提供给基材。 基板载体(50)沿导轨移动。 基板保持单元(24)吸收并维持基板的边缘以自由分离。 支撑单元布置在与基板传送方向上的处理剂供给喷嘴的喷嘴孔相同的位置上,并且在基板保持单元下方支撑基板载体。
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公开(公告)号:KR1020060043313A
公开(公告)日:2006-05-15
申请号:KR1020050017189
申请日:2005-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: G03F7/16 , G01B11/06 , H01L21/67253
Abstract: 피처리기판의 두께의 불균일에 대하여 스테이지 상의 피처리기판과 도포노즐의 토출구와의 사이의 갭을 일정하게 유지하는 갭 관리를 효율적으로 하는 것을 과제로 한다.
해결수단으로 투광부(152)는, 연직방향에 분포하는 평행광의 광 빔(LB)을 수광부(154)를 향하여 수평으로 투광한다. 수광부(154)는, 투광부(152)로부터의 광 빔(LB)을 1차원 CCD(154a)에서 수광한다. 이 일차원 CCD(154a)에서의 최하단의 광 빔 수광위치는, 흡착유지부(150) 상에 기판(G)이 배치되어 있을 때는 기판(G)의 윗면의 높이 위치 H
A 에 해당하고, 흡착유지부(150) 상에 기판(G)이 배치되어 있지 않을 때는 흡착유지부(150)의 윗면의 높이 위치 H
B 에 해당한다. 계측제어연산부(156)는, 수광부(154)에서의 최하단 광 빔 수광위치(H
A , H
B )를 산출하여, 양 수광위치 사이의 고저차(H
A -H
B )을 구하여 이것을 상기 기판(G)의 두께의 측정값(TK)으로 하는 것이다.-
公开(公告)号:KR100284559B1
公开(公告)日:2001-04-02
申请号:KR1019950007866
申请日:1995-04-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 직사각형기판의 레지스트처리방법은, 기판을 스핀 회전시키면서 기판에 레지스트액을 공급하고, 기판의 적어도 한쪽면에 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포공정과, 레지스트를 용해할 수 있는 제거액을 기판양면의 둘레영역에 분사하고, 기판양면의 둘레영역으로 부터 레지스트막을 제거하는 레지스트 제거공정을 가진다.
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公开(公告)号:KR1019950034475A
公开(公告)日:1995-12-28
申请号:KR1019950007866
申请日:1995-04-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 직사각형기판의 레지스트처리방법은, 기판을 스핀 회전시키면서 기판에 레지스트액을 공급하고, 기판의 적어도 한쪽면에 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포공정과, 레지스트를 용해할 수 있는 제거액을 기판양면의 둘레영역에 분사하고, 기판양면의 둘레영역으로 부터 레지스트막을 제거하는 레지스트 제거공정을 가진다.
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公开(公告)号:KR100814576B1
公开(公告)日:2008-03-17
申请号:KR1020020025467
申请日:2002-05-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G02F1/13
Abstract: 반송장치로 기판(G)을 반송시킬 때, 반송롤러 상의 기판 양단을 가압롤러에 의해 가압시키면서 반송하고 있기 때문에, 기판 양단과 반송롤러의 사이에서의 미끄러짐을 방지할 수 있어 반송시간의 지연이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다. 또한 반송롤러의 재치부(載置部)의 지름보다도 큰 지름을 구비하는 지지롤러를 설치하여 기판을 산 모양 형태로 반송시킴으로써 기판의 휘어짐을 방지할 수 있다. 특히, 반송 도중에 있어서 현상액(現像液)이나 린스액 등의 처리액이 기판의 중앙부근에 잔류하는 문제를 해소할 수 있어 건조처리를 확실하게 할 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020040036610A
公开(公告)日:2004-04-30
申请号:KR1020030074140
申请日:2003-10-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A substrate alignment apparatus, a substrate treatment apparatus and a substrate transfer apparatus are provided to align safely and exactly a substrate to be treated without damage of the substrate by floating substantially the substrate from a support pin using a horn-like gas discharge part. CONSTITUTION: A substrate alignment apparatus includes a plurality of supporters, a horn-like gas discharge part, a position determining part and a support pin. The plurality of supporters(114) are discretely arranged to support a substrate to be treated(G) in a nearly horizontal state. The horn-like gas discharge part(110) is installed on each supporter to float substantially the substrate. The position determining part is used for aligning exactly the substrate. The support pin(108) is surrounded by the gas discharge part on the supporter to load finally the substrate.
Abstract translation: 目的:提供一种基板对准装置,基板处理装置和基板转印装置,用于使基板处理不会损坏基板,使基板从支撑销上大致漂浮,使用喇叭状气体放电部 。 构成:衬底对准装置包括多个支撑器,喇叭状气体放电部,位置确定部和支撑销。 多个支撑体(114)被离散地布置成在几乎水平的状态下支撑待处理基板(G)。 角状气体排出部(110)安装在每个支撑件上以基本上浮动地衬底。 位置确定部分用于精确对准衬底。 支撑销(108)被支撑件上的气体排出部分包围以最终加载基板。
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公开(公告)号:KR1020020082761A
公开(公告)日:2002-10-31
申请号:KR1020020021907
申请日:2002-04-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1303 , B05C9/10 , B05C9/14 , B05C11/10 , B05C13/02 , G03F7/16 , G03F7/30 , H01L21/027 , H01L21/677 , H01L21/68
Abstract: PURPOSE: To provide treatment equipment having a plurality of treatment units wherein both high throughput and small foot print can be obtained without causing a problem on equipment constitution, and the length of the equipment can be reduced comparatively. CONSTITUTION: This treatment equipment is provided with liquid treatment units 21, 23, 24 wherein a prescribed liquid treatment is performed while a substrate G is transferred in almost horizontally, thermal treatment unit sections 26, 27, 28 wherein a plurality of thermal treatment units are collectively installed which units are arranged corresponding to the respective liquid treatment units 21, 23, 24 and perform a prescribed thermal treatment after each liquid treatment, and a plurality of transferring apparatuses 33, 37, 40 which transfer the substrate G carried out from the liquid treatment units 21, 23, 24 to the respective thermal treatment unit sections. The liquid treatment units 21, 23, 24 and the thermal treatment unit sections 26, 27, 28 are arranged substantially in the order of treatment and in two substantial rows 2a, 2b at a prescribed interval. At least, a part of the thermal treatment units is arranged between the two rows.
Abstract translation: 目的:提供具有多个治疗单元的治疗设备,其中可以获得高通量和小脚印两者,而不会引起设备构造问题,并且可以相对地减少设备的长度。 构成:该处理设备设有液体处理单元21,23,24,其中在将基板G几乎水平地传送到热处理单元部分26,27,28中进行规定的液体处理,其中多个热处理单元为 集体安装哪些单元对应于各个液体处理单元21,23,24排列并且在每个液体处理之后进行规定的热处理,以及多个转移装置33,37,40,其将从液体中进行的基板G 处理单元21,23,24分配给相应的热处理单元部分。 液体处理单元21,23,24和热处理单元部分26,27,28基本上按照处理的顺序排列,并且以规定的间隔布置在两条实质的行2a,2b中。 至少,热处理单元的一部分布置在两排之间。
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公开(公告)号:KR1019980019104A
公开(公告)日:1998-06-05
申请号:KR1019970041992
申请日:1997-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 도포장치는, 반도체 웨이퍼(W)를 수평상태로 진공에 의하여 흡착유지하는 스핀척(10)을 갖는다. 스핀척(10)의 위쪽에는 이동 빔(20)이 배설된다. 이동 빔(20)은 포토레지스트액(BL)을 공급하기 위한 제 1 노즐(21)과, 포토레지스트액의 용제(AL)를 공급하기 위한 제 2 노즐(22)을 일체적으로 구성한 부재로 이루어진다. 도포처리시, 이동 빔(20)은 웨이퍼(W)의 위쪽에서 수평상태를 유지하면서 일방향으로 이송된다. 이 때 웨이퍼(W)상에서는, 먼저 제 2 노즐(22)로부터 용제(AL)가 공급되고, 계속해서 제 1 노즐(21)로부터 도포액인 포토레지스트액(BL)이 용제(AL)의 뒤를 따라 공급된다. 이로써 포토레지스트액(BL)의 공급에 앞서, 용제(AL)에 의해 웨이퍼(W)로의 포토레지스트액의 도포성이 향상된 상태가 된다.
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公开(公告)号:KR1020140001119A
公开(公告)日:2014-01-06
申请号:KR1020130068528
申请日:2013-06-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05C5/0258 , B05C5/0254 , H01L21/6715 , Y10T137/0318
Abstract: The purpose of the present invention is to realize an effective filling process of a coating liquid on a nozzle. According to an embodiment of the present invention, a coating apparatus comprises a nozzle, a moving device, a pressure modulator, and a pressure controller. The nozzle comprises: a retention room where the coating liquid is stored; and a slit type passage connected to the retention room. The nozzle ejects the coating liquid from a discharge hole formed in the front end of the passage. The moving device moves the nozzle and a substrate relatively along the surface of the substrate. The pressure modulator modulates the pressure inside of the retention room. The pressure controller modulates the pressure inside of the retention room by controlling the pressure modulator. The pressure controller, by controlling the pressure modulator, makes the inside of the retention room be under a negative pressure, and also fills the coating liquid while decreasing the pressure of the retention room. [Reference numerals] (AA) Pressure in small chambers Sa to Sc; (BB) Liquid height
Abstract translation: 本发明的目的是实现喷嘴上的涂布液的有效填充过程。 根据本发明的一个实施例,涂覆装置包括喷嘴,移动装置,压力调节器和压力控制器。 所述喷嘴包括:保存所述涂布液的保留室; 以及连接到保持室的狭缝型通道。 喷嘴从形成在通道前端的排出孔喷射涂布液。 移动装置沿着衬底的表面相对移动喷嘴和衬底。 压力调节器调节保留室内部的压力。 压力控制器通过控制压力调节器来调节保留室内部的压力。 通过控制压力调节器,压力控制器使保持室的内部处于负压下,并且在降低保持室的压力的同时填充涂布液。 (附图标记)(AA)小室Sa至Sc中的压力; (BB)液体高度
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公开(公告)号:KR100505923B1
公开(公告)日:2005-10-25
申请号:KR1019970043253
申请日:1997-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체웨이퍼와 같은 기판상에, 레지스트용액이나 현상액 등의 처리용액의 막을 형성하기 위한 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
대기위치에서 조정된 노즐의 토출구에 존재하는 처리용액의 상태를 노즐이 대기위치로 부터 사용위치로 이행할 때까지의 기간중 유지하여 둘수 있도록 하는데 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은,
(a) 기판의 둘레 가장자리부가 사용위치에 위치하도록 기판을 재치대상에 재치하고, 이 재치대상의 기판으로부터 떨어진 곳에 위치하는 대기위치에, 노즐과 접촉부재를 준비하며, 또한 대기위치와 사용위치와의 사이에 제거수단을 준비하는 공정과,
(b) 상기 대기위치에서 상기 접촉부재에 용제를 부착시킴과 동시에, 이 접촉부재를 노즐에 대하여 상대적으로 이동시키고, 이 접촉부재에 부착한 용제에 노즐의 액토출구에 존재하는 처리용액을 접촉시켜 액토출구에 존재하는 처리용액의 상태를 조절하는 공정과,
(c) 노즐로부터 토출되는 처리용액이 상기 제거수단상에 퇴적하도록, 상기 대기위치로부터 상기 제거수단을 경유하여 사용위치로 노즐을 이행시키면서, 노즐로부터 처리용액을 토출시키는 공정과,
(d) 기판과 노즐을 상대적으로 이동시키면서, 노즐로부터 처리용액을 토출시키는 것에 의해 기판상에 처리용액의 막을 형성하는 공정을 구비함을 특징으로 하는 기판처리방법을 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체웨이퍼와 같은 기판상에 처리용액의 막을 형성하기 위해 사용한다.
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