公开(公告)号：KR100175072B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019920007937

申请日：1992-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 무라카미신야 ,  가키카와유우지 ,  이즈미신이치이로 ,  아나이노리유키 ,  사토오다카미 ,  시라이시히로후미 ,  하라다코지 ,  도모에다다카유키 ,  다나카히로시

IPC: H01L21/304

Abstract: 세정장치는, 피처리체를 반출 및 반입하기 위한 개구부를 가지고, 처리액에 의하여 피처리체를 세정하기 위한 세정처리실과, 상기 개구부를 개폐하기 위한 개폐기구와, 상기 개구기구를 세정하기 위한 세정노즐과를 갖추고 있다. 또, 세정처리액이 저유되고 피처리체를 세정처리액에 의하여 세정하는 세정처리 용기를 갖추고 있으며, 이 용기로부터 세정액이 배출되어서 피처리체의 적어도 일부가 노출하였을 때에, 피처리체에 세정액을 공급하는 노즐을 갖추고 있다.

公开(公告)号：KR1019920022412A

公开(公告)日：1992-12-19

申请号：KR1019920007937

申请日：1992-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 무라카미신야 ,  가키카와유우지 ,  이즈미신이치이로 ,  아나이노리유키 ,  사토오다카미 ,  시라이시히로후미 ,  하라다코지 ,  도모에다다카유키 ,  다나카히로시

IPC: H01L21/304

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019930024108A

公开(公告)日：1993-12-21

申请号：KR1019920007845

申请日：1992-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 무라카미신야 ,  가키카와유우지 ,  이즈미신이치이로 ,  이나이노리유키 ,  사토오다카미 ,  시라이시히로후미 ,  하라다코지 ,  도모에다다카유키 ,  다나카히로시

IPC: H01L21/304

Abstract: 세정장치는, 피처리체를 반출 및 반입하기 위한 개구부를 가지고, 처리액에 의하여 피처리체를 세정하기 위한 세정처리실과, 상기 개구부를 개폐하기 위한 개폐기구와, 상기 개구기구를 세정하기 위한 세정노즐과를 갖추고 있다. 또, 세정처리액이 저유되고 피처리체를 세정처리액에 의하여 세정하는 용기를 갖추고 있으며, 이 용기로부터 세정액이 배출되어서 피처리체의 적어도 일부가 노출하였을때에, 피처리체에 세정액을 공급하는 노즐을 갖추고 있다.

公开(公告)号：KR100417272B1

公开(公告)日：2004-02-05

申请号：KR1019990009120

申请日：1999-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다코지 ,  카와노후미히코

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4486 ,  H01L21/67075

Abstract: In this processing solution supplying apparatus, when restarting the hydrophobic process, the air in the supply pipe is exhausted outside before performing the hydrophobic process by using a transfer gas, bypassing the process chamber. Thus, a large-sized mist of HMDS staying inside the supply pipe is not supplied to the wafer as it is, and after restarting the hydrophobic process after a prolonged stoppage of the adhesion apparatus, the vapor or mist of HMDS can be supplied uniformly to the wafer.

Abstract translation: 在该处理溶液供给装置中，在重新开始疏水处理时，在通过使用转移气体执行疏水处理之前，供给管中的空气被排出到外部，绕过处理室。 因此，停留在供应管内的大尺寸HMDS雾并未直接供应到晶片，并且在长时间停止附着设备后重新开始疏水过程之后，HMDS的蒸汽或雾可以均匀地供应到 晶圆。

公开(公告)号：KR1020000058022A

公开(公告)日：2000-09-25

申请号：KR1020000006530

申请日：2000-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다코지 ,  나카야마히사카즈 ,  오오쿠라준

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67259 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: A processing apparatus and a related system, and a distinction and detection methods are provided to exactly and quickly detect a loading position of a wafer and thereby to minimize an error in a fabrication process. CONSTITUTION: A processing apparatus for heating or cooling a substrate such as a wafer(W) includes a processing plate such as a hot plate(31) on which the wafer(W) is loaded, guiding members(43) disposed around a loading position of the wafer(W) on the hot plate(31), a detection member such as a temperature sensor installed in the hot plate(31), and a distinction member such as a controller. If the wafer(W) is exactly loaded on the loading position, a temperature of the hot plate(31) taken by the sensor is lower than a predetermined limit value. However, if the wafer(W) is wrongly loaded, a temperature of the hot plate(31) reaches or exceeds the limit value. Therefore, the controller gives an alarm based upon the detected temperature.

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置和相关系统，以及区分和检测方法以精确且快速地检测晶片的装载位置，从而最小化制造过程中的误差。 构成：用于加热或冷却诸如晶片（W）的基板的处理装置包括加热板（31）等加工板，载置晶片（W）的引导部件（43）设置在加载位置 的热板（31）上的晶片（W），安装在加热板（31）中的温度传感器等检测部件，以及诸如控制器的区别部件。 如果晶片（W）精确地装载在装载位置，则由传感器取得的热板（31）的温度低于预定极限值。 然而，如果晶片（W）错误地装载，则热板（31）的温度达到或超过极限值。 因此，控制器根据检测到的温度发出报警。

公开(公告)号：KR100593627B1

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：KR1020000006530

申请日：2000-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다코지 ,  나카야마히사카즈 ,  오오쿠라준

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67259 ,  H01L21/67248

Abstract: 본 발명은 처리장치, 처리시스템, 판별방법 및 검출방법에 관한 것으로, 핫 플레이트(Hot Plate) 상의 기판재치위치에 정확하게 웨이퍼가 재치되었을 때에는 핫 플레이트의 온도가 소정의 한계치 이하로 되지만, 핫 플레이트 상의 기판재치위치에 정확하게 웨이퍼가 재치되어 있지 않을 경우에는 소정의 한계치로 된다. 따라서, 핫 플레이트 상에 웨이퍼가 재치되었을 때의 핫 플레이트의 온도가 소정의 한계치 이상으로 되었을 때에, 웨이퍼 안내 가이드 상에 얹혀진 것으로 간주하여 스피커 및 표시부로부터 경보를 발생시킴으로써, 처리기판 상에 반송된 기판이 기판재치위치에 정확하게 재치되어 있지 않은 상태를 신속히 검지하여 가열처리 및 냉각처리시의 불량을 최소로 할 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 本发明装置中，处理系统涉及一种检测方法和检测方法，热板的温度，但低于预定阈值。当它被放置，在热板上的在上热板（热板）的基板安装位置准确晶片 当晶片没有准确地放置在基板安装位置上时，获得预定的极限值。 因此，当热板的温度当放置在热板上，晶片是小于的，通过在晶片导向用于产生从扬声器和显示器的报警所考虑eonhyeojin所述承载基底的预定限值时，在基板上 快速检测其中基板未被准确地放置在基板安装位置上的状态并且最小化加热过程和冷却过程中的缺陷的技术。

公开(公告)号：KR1019990077997A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019990009120

申请日：1999-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다코지 ,  카와노후미히코

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은, 기판에 대해 처리액의 증기 또는 미스트(mist)를 공급하는 처리액 공급장치, 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
종래, 처리액 공급장치는 비상 정지하는 등의 이유에 의해 장시간 가동이 정지한 경우, 그대로 웨이퍼의 소수화 처리를 재개시키게 되면, 입자직경이 큰 미스트가 처리실 내의 웨이퍼에 공급되어 웨이퍼 표면에 HMDS의 증기 또는 미스트를 균일하게 공급할 수 없게 되는 문제가 있었다.
본 발명은 소수화 처리를 재개하는 때, 이 소수화 처리를 행하기 전에 공급관 내부의 환경이 반송가스에 의해 처리실을 우회해서 외부로 배출되도록 함으로써, 공급관 내에 정체된 HMDS에 의해 발생된 입자직경이 큰 미스트가 그대로 웨이퍼에 공급되지 않도록 하며, 장시간 어드히존 장치를 정지시킨 후, 소수화 처리를 재개하는 경우에도 HMDS의 증기 또는 미스트가 웨이퍼에 균일하게 공급될 수 있는 처리액 공급장치, 처리장치 및 처리방법을 제시하고 있다.