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公开(公告)号：KR102223623B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140097536A
申请日：2014-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32917 , H01J37/32807 , H01J37/3288
Abstract: 본 발명은 반도체 제조설비의 관리방법 및 그의 관리시스템을 개시한다. 그의 방법은 챔버의 부품들을 분해하여 세정하기 위한 예방정비를 지시에 따라 상기 부품들이 조립될 때마다 상기 부품들에 제공된 고주파 전압의 반사율과 흡수율을 이용하여 상기 부품들이 정상적으로 조립되는지를 개별적으로 확인하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160084695A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：KR1020150001264
申请日：2015-01-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/0209 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/68792 , H01L21/6831
Abstract: 본발명기술적사상의실시예는반도체세정공정중에서, 매엽방식으로웨이퍼를회전시켜세정및 제조하는공정에서발생되는정전기및 그로인해발생되는불량을제어할수 있는챔버의구성에관한것이다. 상기세정공정에는척 상에설치된제전체를이용한다.
Abstract translation: 根据本发明的技术思想的一个实施例，公开了一种室的结构，其能够控制旋转单一晶片的过程中产生的静电，以清洁和制造晶片，以及由于 在半导体清洁过程中静电。 在清洁过程中使用安装在卡盘上的静电消除物体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160050396A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140148444
申请日：2014-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J7/24 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32926 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H05B31/26 , H01J37/32082 , H05H1/46 , H05H2001/4645
Abstract: 본발명의기술적사상에의한펄스플라즈마장치는공정챔버에서반사되는반사전력을최소화하여펄스플라즈마를이용한반도체웨이퍼의식각공정의효율성을향상시키기위해, 0이아닌복수의레벨을가진펄스플라즈마전력을인가하고, 상기복수의레벨의플라즈마전력에따른임피던스정합커패시턴스를상기복수의레벨플라즈마의듀티사이클의비율에따라조합하여임피던스를정합할수 있는것을특징으로한다.
Abstract translation: 为了通过使从处理室反射的反射功率最小化来提高使用脉冲等离子体蚀刻半导体晶片的工艺的效率，根据本发明的脉冲等离子体装置应用具有多个非零电平和匹配的脉冲等离子体功率 通过根据具有多个电平的等离子体的占空比的比例，组合基于具有多个电平的等离子体功率的阻抗匹配电容的阻抗。 脉冲等离子体装置包括：处理室，其包括上电极和下电极; 源RF发生器，其将具有第一占空比的第一级RF脉冲功率和具有第二占空比的第二级RF脉冲功率施加到所述上电极; 反射功率测量器，其测量从处理室再次反射到源RF发生器的反射RF功率; 第一匹配网络，其将处理室的等离子体阻抗与源RF功率的阻抗相匹配; 以及控制单元，其控制源RF发生器和第一匹配网络，以便使由反射功率测量器测量的反射RF功率最小化。
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公开(公告)号：KR1020170140926A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：KR1020160073676
申请日：2016-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/6833 , H01J37/321 , H01J37/32697 , H01L21/4871 , H01L21/6831 , H01L21/687 , H01L21/764 , H02N13/00
Abstract: 정전척어셈블리및 이를구비하는플라즈마처리장치를개시한다. 정전척어셈블리는기판을지지하고기판을고정하는정전기력을생성하는흡착전극을구비하는유전판, 유전판을지지하도록상기유전판과결합되고고주파전력이인가되는도전형기저판및 절연물질로구성되고기저판을지지하도록기저판과결합되며절연물질의유전상수보다작은유전상수를갖는저유전층을구비하는절연판을포함한다. 로드사이즈를 0.4 내지 0.6의범위를갖도록고주파전력로드를구성하고차폐링을유전상수 5이하의물질로구성한다. 이에따라, 기판으로공급되는전류를증가시켜플라즈마균일도를높일수 있다.
Abstract translation: 公开了一种静电卡盘组件和具有该静电卡盘组件的等离子体处理设备。 静电卡盘组件包括：具有用于产生静电力的吸附电极的介电板，用于支撑基板并固定基板;耦合到介质板以支撑介质板并被施加高频功率的导电基板;以及绝缘材料， 以及具有低介电层的绝缘板，该低介电层耦合到基板并具有小于绝缘材料的介电常数。 高频电力负载被构造成具有在0.4到0.6范围内的杆尺寸，并且屏蔽环由具有5或更小的介电常数的材料制成。 结果，提供给衬底的电流可以增加以增加等离子体的均匀性。
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公开(公告)号：KR102223623B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140097536
申请日：2014-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L21/302
Abstract: 본발명은반도체제조설비의관리방법및 그의관리시스템을개시한다. 그의방법은챔버의부품들을분해하여세정하기위한예방정비를지시에따라상기부품들이조립될때마다상기부품들에제공된고주파전압의반사율과흡수율을이용하여상기부품들이정상적으로조립되는지를개별적으로확인하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101677748B1
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020140148444
申请日：2014-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J7/24 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32926 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H05B31/26
Abstract: 본발명의기술적사상에의한펄스플라즈마장치는공정챔버에서반사되는반사전력을최소화하여펄스플라즈마를이용한반도체웨이퍼의식각공정의효율성을향상시키기위해, 0이아닌복수의레벨을가진펄스플라즈마전력을인가하고, 상기복수의레벨의플라즈마전력에따른임피던스정합커패시턴스를상기복수의레벨플라즈마의듀티사이클의비율에따라조합하여임피던스를정합할수 있는것을특징으로한다.
Abstract translation: 脉冲等离子体装置包括处理室，源RF发生器，被配置为向处理室的上电极提供具有第一和第二占空比的第一和第二电平的RF脉冲功率，被配置为指示反射RF功率的反射功率指示器，第一 匹配网络和控制器。 当分别提供第一级RF脉冲功率或第二级RF脉冲功率时，第一匹配网络被配置为将处理室的阻抗与源RF发生器的阻抗分别匹配为第一或第二匹配电容值。 控制器被配置为基于第一和第二匹配电容值和第一和第二占空比的比率来计算第三匹配电容值，将第三匹配电容值提供给第一匹配网络，并且控制源RF发生器和 第一匹配网络。
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公开(公告)号：KR1020160015508A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140097536
申请日：2014-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32917 , H01J37/32807 , H01J37/3288
Abstract: 본발명은반도체제조설비의관리방법및 그의관리시스템을개시한다. 그의방법은챔버의부품들을분해하여세정하기위한예방정비를지시에따라상기부품들이조립될때마다상기부품들에제공된고주파전압의반사율과흡수율을이용하여상기부품들이정상적으로조립되는지를개별적으로확인하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于管理半导体制造设备的方法和用于管理半导体制造设备的系统。 该方法包括以下步骤：根据预防性维护命令，通过使用提供给部件的高频电压的反射性和吸收率来检查每个部件是否正常组装，以便拆卸和清洁腔室的部件 。
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