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公开(公告)号：KR102234273B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020140082551A
申请日：2014-07-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
Abstract: 반도체 메모리 장치가 제공된다. 반도체 메모리 장치는 공통 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 배치되며, 상기 공통 소오스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 직렬 연결된 복수 개의 하부 트랜지스터들을 포함하는 하부 구조체, 상기 하부 구조체 상에 적층된 복수 개의 워드 라인들을 포함하는 적층 구조체, 및 상기 적층 구조체를 관통하여 상기 하부 트랜지스터들의 게이트 전극들 각각을 제어하는 반도체 기둥들을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140052458A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120118562
申请日：2012-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L21/76229 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/10891 , H01L29/407 , H01L29/7827 , H01L29/785 , H01L29/78
Abstract: Provided is a semiconductor device which includes field regions for defining active regions in a substrate, gate trenches which include active trenches which cross the active regions and field trenches formed in the field region, and word lines which are filled in the gate trenches and is extended in a first direction. The word lines include active gate electrodes in the active trenches and field gate electrode in the field trenches. The field gate electrode which is located between adjacent active regions which one word line is formed between has a bottom surface of a higher level compared to the bottom surface of the active gate electrode.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件，其包括用于限定衬底中的有源区的场区域，包括跨越有源区域的有源沟槽和跨场区域中形成的场沟槽的栅极沟槽，以及填充在栅极沟槽中并被延伸的字线 在第一个方向。 字线包括有源沟槽中的有源栅电极和场沟中的场栅电极。 位于相邻有源区之间的场栅电极，其中形成一个字线之间，与有源栅电极的底表面相比，具有较高电平的底表面。
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公开(公告)号：KR1020160004471A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020140082551
申请日：2014-07-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11573 , G11C8/14 , G11C16/04 , H01L27/11565 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/42344
Abstract: 반도체메모리장치가제공된다. 반도체메모리장치는공통소오스영역및 드레인영역을포함하는반도체기판, 상기반도체기판상에배치되며, 상기공통소오스영역과상기드레인영역사이에직렬연결된복수개의하부트랜지스터들을포함하는하부구조체, 상기하부구조체상에적층된복수개의워드라인들을포함하는적층구조체, 및상기적층구조체를관통하여상기하부트랜지스터들의게이트전극들각각을제어하는반도체기둥들을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体存储器件。 半导体存储器件包括：包括公共源极区域和漏极区域的半导体衬底; 布置在半导体衬底上的下部结构，并且包括串联连接在公共源极区域和漏极区域之间的多个下部晶体管; 堆叠结构，包括堆叠在下部结构上的多个字线; 以及贯穿堆叠结构的半导体柱分别控制下部晶体管的栅电极。
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公开(公告)号：KR1020140143043A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020130064962
申请日：2013-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C8/08 , G11C8/18 , G11C11/4085 , G11C2029/0411 , G11C2207/2227
Abstract: 메모리 장치, 메모리 시스템 및 이의 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 메모리 장치는 인접하여 위치하는 제1 워드 라인 및 제2 워드 라인, 상기 제1 워드 라인에 연결되는 제1 메모리 셀, 및 상기 제2 워드 라인에 연결되고 상기 제1 메모리 셀과 인접하여 위치하는 제2 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이; 제1 제어 신호에 응답하여, 상기 제1 워드 라인의 워드 라인 전압을 제1 워드 라인 전압에서 제2 워드 라인 전압으로 천이시키는 워드 라인 전압 인가부; 및 상기 제1 워드 라인 전압에서 상기 제2 워드 라인 전압으로의 천이 유형이, 상기 제2 워드 라인 전압에서 상기 제1 워드 라인 전압으로의 천이 유형과 상이하게, 상기 제1 워드 라인 전압에서 상기 제2 워드 라인 전압으로의 천이 구간에서의 상기 제1 워드 라인 전압의 펄스를 제어하는 상기 제1 제어 신호를 생성하는 천이 제어부를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种存储器件，存储器系统及其操作方法。 根据实施例，存储器件包括存储单元阵列，其包括彼此相邻放置的第一和第二字线，连接到第一字线的第一存储器单元和连接到第二字线的第二存储器单元， 放置在第一存储单元附近; 字线电压施加部件，响应于第一控制信号，将第一字线的字线电压从第一字线电压转移到第二字线电压; 以及转移控制部，其生成控制从所述第一字线电压到所述第二字线电压的转接部中的所述第一字线电压的脉冲的第一控制信号，以将所述第一字线电压与所述第二字线电压的转移类型区分开 字线电压，从第二字线电压到第一字线电压的转接类型。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160109303A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150033437
申请日：2015-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N23/225 , G01N23/04 , H01J37/26
CPC classification number: G06T7/0004 , G06K9/00127 , G06K9/0014 , G06T2207/20056 , G06T2207/30148 , G01N23/225 , G01N23/04 , H01J37/26
Abstract: 고해상도전자현미경이미지로부터결정을분석하는방법및 그시스템이개시된다. 본발명의결정분석방법은나노(nano) 크기의결정(grain)을분석하는방법으로서, HRTEM(High-resolution transmission electron microscopy) 이미지를수신하는단계, 상기이미지에대해소정크기의로컬윈도우를설정하는단계, 상기로컬윈도우에의해정해진로컬픽셀데이터를푸리에(Fourier) 변환하여로컬변환데이터를산출하는단계, 및상기로컬변환데이터를이용하여결정(gain)을분석하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于从高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）图像分析晶粒的方法和系统。 分析纳米尺寸晶粒的分析方法包括：接收HRTEM图像的步骤; 相对于接收到的图像设置具有一定尺寸的局部窗口的步骤; 通过由本地窗口确定的局部像素数据的傅立叶变换来计算局部转换数据的步骤; 以及使用本地转换数据分析晶粒的步骤。
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公开(公告)号：KR101559345B1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020100082753
申请日：2010-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11517 , H01L21/28273 , H01L21/76224 , H01L21/764 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/0653
Abstract: 비휘발성메모리소자및 그제조방법에서, 비휘발성메모리소자는제1 방향으로연장되면서반복배치되는액티브영역및 액티브영역사이의소자분리용트렌치를포함하는기판상에, 터널절연막, 전하저장막패턴, 유전막및 콘트롤게이트전극을포함하는게이트구조물이구비된다. 상기소자분리용트렌치내부및 상기게이트구조물사이의갭 내부에제1 방향으로연장되고, 내부에는상기전하저장막패턴의측벽과대향하는위치에제1 에어갭이포함된제1 절연막패턴이구비된다. 또한, 상기게이트구조물사이의갭에는상기제1 방향과수직한제2 방향으로연장되는제2 절연막패턴이구비된다. 상기제1 에어갭이포함됨으로써기생커패시턴스가감소된다.
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公开(公告)号：KR1020150047823A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020130127781
申请日：2013-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L29/66833 , H01L29/7926 , H01L21/28282 , H01L21/76205 , H01L21/823487
Abstract: 수직형메모리장치는기판으로부터기판상면에대해수직한제1 방향으로연장되는복수의채널들및 도체패턴들을포함한다. 채널들및 도체패턴들의외측벽을둘러싸며제1 방향을따라순차적으로서로이격되도록적층되는복수의게이트전극들이구비된다. 비트라인은채널들의상부에구비되어채널들과전기적으로연결된다. 도전라인은도체패턴들의상부에구비되어도체패턴들과전기적으로연결된다. 도체패턴과도전라인의배치를최적화하여수직형메모리장치의집적도를향상시킬수 있다.
Abstract translation: 垂直存储器件包括多个通道和从衬底沿垂直于衬底的前表面的第一方向延伸的导电图案。 安装有多个栅极电极，其围绕通道的外壁和导电图案，并且顺序地堆叠成在第一方向上彼此分开放置。 一个位线安装在通道的上部，并且电连接到通道。 导电线安装在导电图案的上部，并与导电图形电连接。 可以通过优化导电图案和导电线的布置来改善垂直存储器件的集成度。
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