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公开(公告)号：KR20210024893A
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020190104647A
申请日：2019-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/304 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L23/485 , H01L25/07
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/76832 , H01L21/304 , H01L21/31051 , H01L21/31105 , H01L21/76813 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76837 , H01L23/485 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/80 , H01L25/074 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/80001
Abstract: 상술한 과제를 해결하기 위한, 예시적인 실시예들에 따르면 반도체 소자 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은, 기판 상에 제1, 제2 및 제3 절연층들을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제1, 제2 및 제3 절연층들을 식각하여 개구를 형성하는 단계; 상기 개구를 부분적으로 채우는 도전층을 형성하는 단계; 상기 개구의 적어도 일부를 채우는 제4 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 가장자리의 적어도 일부를 제거하는 트리밍 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR20210025156A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190104505A
申请日：2019-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L21/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/08 , H01L27/1469 , H01L21/52 , H01L21/768 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/03831 , H01L2224/03845 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05073 , H01L2224/05149 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05547 , H01L2224/05557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/05657 , H01L2224/05676 , H01L2224/0568 , H01L2224/05684 , H01L2224/08057 , H01L2224/08058 , H01L2224/08059 , H01L2224/0807 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/32145 , H01L2224/80047 , H01L2224/80345 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/80986
Abstract: 본 개시의 일 실시예는, 제1 기판과, 상기 제1 기판 상에 배치되며 평탄한 표면을 갖는 제1 절연층과, 상기 제1 절연층에 매립되어 상기 제1 절연층의 상기 표면과 실질적으로 평탄한 표면을 갖는 제1 전극과, 상기 제1 절연층과 상기 제1 전극 사이에 배치된 제1 배리어를 갖는 제1 반도체 칩 및, 제2 기판과, 상기 제2 기판 하부에 배치되며 평탄한 표면을 갖는 제2 절연층과, 상기 제2 절연층에 매립되어 상기 제2 절연층의 상기 표면과 실질적으로 평탄한 표면을 갖는 제2 전극과, 상기 제2 절연층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 제2 배리어를 갖는 제2 반도체 칩을 포함하며, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층의 표면들이 접합되어 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 연결되고, 상기 제1 절연층은 상기 접합 계면에 인접한 상기 제1 전극의 일 측면 영역에 접촉되는 부분을 갖는 반도체 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：WO2017188627A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/003920
申请日：2017-04-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: A47L9/0072 , A47L9/0653 , A47L9/066 , A47L9/28 , A47L9/2805 , A47L9/2836 , A47L9/2852 , A47L2201/00 , A47L2201/06 , B25J9/00 , B25J9/16 , B25J9/1679 , B25J11/00 , B25J11/0085 , G05D1/02 , G05D1/021
Abstract: 본 발명에 따른 로봇 청소기는 셔터 및 셔터를 동작시키는 셔터 구동장치를 통해 흡입구로 흡입되는 공기의 흡입 면적을 조절할 수 있으며 그에 따라 공기의 유속을 조절할 수 있으므로, 일정 용량의 팬 모터로 보다 효율적으로 공기 및 공기에 포함된 먼지를 흡입할 수 있다.
Abstract translation:
，所以根据本发明的机器人清洁器是控制空气的进气区域吸入到吸入口通过快门驱动单元以操作快门和快门能够控制空气的流动速率，并且因此，有一定的容量 风扇的风扇电机可以更有效地吸入空气中的空气和灰尘。
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公开(公告)号：KR1020170075165A
公开(公告)日：2017-07-03
申请号：KR1020150184481
申请日：2015-12-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: A47L9/2805 , A47L9/009 , A47L9/2852 , A47L2201/00
Abstract: 본발명은스포크를구비한바퀴를구비한로봇청소기에관련된다. 본발명에따르는로봇청소기는, 피청소면과접촉하는외륜; 상기외륜의내부에설치되며, 구동력을전달받는내륜; 상기외륜과상기내륜을연결하며, 공기가통과할수 있는복수의독립공간을형성하는복수의스포크; 및상기복수의독립공간에설치되며, 상기복수의스포크각각의길이보다짧은복수의리브;를포함하는바퀴를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有带轮辐轮的机器人清洁器。 根据本发明的机器人清洁器包括：与待清洁表面接触的外环; 内环，安装在外环内部并接受驱动力; 多个辐条，连接外环和内环并形成多个空气可通过的独立空间; 并且多个肋条安装在多个独立空间中，肋条比多个辐条的长度短。
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公开(公告)号：KR1020150143208A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140072438
申请日：2014-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: A47L9/04 , A47L9/009 , A47L9/0477 , A47L2201/00
Abstract: 본발명은향상된청소성능을갖는로봇청소기에관한것이다. 로봇청소기는본체의전방에형성되는제1하우징, 본체의후방에형성되고적어도일부가상기제1하우징과연결되는제2하우징, 먼지를포함하는공기가본체의내부로흡입되도록제 1하우징의저면에마련되는개구부, 본체를구동시키기위해제 2하우징의양 측면에각각결합되는제1구동휠및 제2구동휠을포함한다. 본발명의실시예에따르면브러시유닛의길이를늘려로봇청소기의측면에대한흡입력을높일수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有改进的清洁性能的机器人清洁器。 机器人清洁器包括：形成在主体前部的第一壳体; 第二壳体，其形成在主体的后部并且部分地连接到第一壳体; 开口部，其形成在第一壳体的底面上，以将包含灰尘的空气吸入主体; 以及分别联接到第二壳体的两个表面以驱动主体的第一和第二驱动轮。 根据本发明的实施例，可以通过延长刷子单元的长度来增加对机器人清洁器的侧表面的吸力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140024674A
公开(公告)日：2014-03-03
申请号：KR1020120090952
申请日：2012-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L21/6836 , H01L21/76834 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/525 , H01L23/53238 , H01L24/00 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/06182 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01074
Abstract: Disclosed is a semiconductor device which includes an inner circuit formed on the front surface of a substrate, a TSV which vertically penetrates the substrate and is electrically connected to the inner circuit, a redistribution structure which is formed on the back surface of the substrate and is electrically connected to the TSV, and a backside insulating layer which is formed between the back surface of the substrate and the redistribution structure. The redistribution structure includes a redistribution barrier layer and a redistribution metal layer. The redistribution barrier layer surrounds the lower surface of the redistribution metal layer and partly surrounds the lateral surfaces.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其包括形成在基板的前表面上的内部电路，垂直穿透基板并与内部电路电连接的TSV，形成在基板的背面上的再分布结构， 电连接到TSV，以及形成在基板的背面和再分布结构之间的背面绝缘层。 再分布结构包括再分布阻挡层和再分布金属层。 再分布阻挡层围绕再分布金属层的下表面并且部分地围绕侧表面。
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公开(公告)号：KR1020130089500A
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020120010921
申请日：2012-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device including a penetrating electrode and a manufacturing method thereof are provided to prevent a process failure by removing a protrusion phenomenon due to the expansion of the penetrating electrode. CONSTITUTION: A substrate has a via hole. A penetrating electrode (120) fills the via hole. A via insulation layer (111) is arranged between the penetrating electrode and the substrate. A buffer layer (113) is arranged between the penetrating electrode and the via insulation layer. The buffer layer has contractility in comparison to the via insulation layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括穿透电极及其制造方法的半导体器件，以通过去除由于穿透电极的膨胀引起的突起现象来防止处理失败。 构成：衬底具有通孔。 穿透电极（120）填充通孔。 通孔绝缘层（111）布置在穿透电极和基板之间。 在穿透电极和通孔绝缘层之间布置有缓冲层（113）。 与通孔绝缘层相比，缓冲层具有收缩性。
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公开(公告)号：KR1019980025871A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960044163
申请日：1996-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이규하
IPC: H01L23/544
Abstract: 본 발명은 반도체 패키지 마킹 장치의 사이드 푸셔에 관한 것으로서, 왕복 운동하는 수단; 상기 왕복 운동하는 수단과 기계적으로 체결된 연결수단; 상기 연결수단과 연결되어 왕복운동을 패키지 방향으로 전달하기 위한 제 1 사이드 푸셔; 상기 제 1 사이드 푸셔 일측의 하면에 기계적으로 체결된 슬라이드 베어링; 상기 슬라이드 베어링 일측의 상면과 기계적으로 체결된 제 2 사이드 푸셔; 상기 슬라이드 베어링을 탑재할 수 있도록 형성된 베어링 탑재부와, 반도체 패키지를 순차적으로 운송하고 지지하기 위한 베이스 레일; 그리고, 상기 제 2 사이드 푸셔와 대칭적인 위치에 설치되어 상기 반도체 패키지의 이송을 안내하는 가이드 레일; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 마킹 장치의 사이드 푸셔를 제공하여 마찰로 인한 장비의 파손을 방지하고, 장비의 수리 시간이 감소하여 생산성 향상 및 품질 향상에 이점(利點)을 제공한다.
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