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公开(公告)号：KR1020160141034A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150073726
申请日：2015-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L23/485 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7848
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체소자는, 기판으로부터돌출된적어도하나의활성핀, 활성핀을교차하는게이트구조물, 게이트구조물이연장되는방향을따라나란히연장되는리세스부를포함하고, 활성핀 상에배치되는임베디드소스/드레인, 및임베디드소스/드레인상에서리세스부의일부분을덮도록배치되는콘택플러그를포함한다.
Abstract translation: 第一导电类型finFET器件可以包括具有第一蚀刻速率的第一材料的第一嵌入源/漏极。 第一嵌入式源极/漏极可以分别包括具有凹部的上表面和相对于凹部的外凸部。 第二导电类型finFET器件可以包括具有比第一蚀刻速率大的第二蚀刻速率的第二材料的第二嵌入源/漏极。 第二嵌入式源极/漏极可以分别包括与第一导电类型finFET器件的外部凸起部分不同的上表面。
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公开(公告)号：KR1020140130911A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：KR1020130049478
申请日：2013-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/495 , H01L29/66545 , H01L29/66818 , H01L29/785
Abstract: 핀형 트랜지스터의 채널 영역에 균일한 스트레스를 인가할 수 있는 반도체 소자 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 반도체 소자 제조 방법은 기판 상에 돌출된 핀형 액티브 패턴을 형성하고, 상기 핀형 액티브 패턴 상에 상기 핀형 액티브 패턴과 교차하는 게이트 패턴을 형성하고, 상기 게이트 패턴의 측벽에 게이트 스페이서를 형성하고, 상기 게이트 스페이서의 측면과 정렬되는 측벽을 포함하는 제1 리세스를 상기 핀형 액티브 패턴 내에 형성하고, 게르마늄을 포함하는 가스를 이용하여 제1 리세스를 열처리하여, 제2 리세스를 형성하는 것을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法，该半导体器件能够对鳍式晶体管的沟道区域施加均匀的应力。 制造半导体器件的方法包括：形成从衬底突出的鳍型有源图案，在翅片型有源图案上形成与鳍型有源图案相交的栅极图案，在栅极图案的侧壁中形成栅极间隔，形成 所述翅片型有源图案包括设置有所述栅极间隔物的侧表面的所述侧壁的第一凹部，以及通过使用包括Ge的气体在所述第一凹部上进行热处理而形成第二凹部。
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公开(公告)号：KR1020170034985A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：KR1020150133114
申请日：2015-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K13/00 , H01L21/306 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/66545 , C09K13/00 , H01L21/28017 , H01L21/28255 , H01L21/32055 , H01L21/32134 , H01L29/66553 , H01L29/66795 , H01L29/7848
Abstract: 본발명은폴리실리콘습식식각용조성물및 이를이용한반도체소자의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는염기성화합물및 당알코올을포함한다. 상기염기성화합물은, 암모늄하이드록사이드또는테트라알킬암모늄하이드록사이드를포함하고, 상기염기성화합물 100 중량부에대하여상기당 알코올은 0.1 내지 10 중량부를갖는다.
Abstract translation: 湿式蚀刻多晶硅的组合物及使用其的半导体装置的制造方法技术领域本发明涉及一种用于湿法蚀刻多晶硅的组合物及使用该组合物的半导体装置的制造方法，更具体地，涉及一种用于湿法蚀刻多晶硅的组合物 碱性化合物包括氢氧化铵或四烷基氢氧化铵，并且基于100重量份的碱性化合物，糖醇的含量为0.1至10重量份。
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公开(公告)号：KR1020160113807A
公开(公告)日：2016-10-04
申请号：KR1020150039928
申请日：2015-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/82345 , H01L27/088 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/6656 , H01L29/4236 , H01L29/4232 , H01L29/7845
Abstract: 대체금속게이트전극의적층프로파일을변화시켜동작성능및 신뢰성을향상시킬수 있는반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는기판상에, 트렌치를정의하고, 상부와하부를포함하는게이트스페이서, 상기트렌치의측벽및 바닥면을따라서형성되고, 상기게이트스페이서의상부와비접촉하는게이트절연막, 상기게이트절연막상에, 상기트렌치의측벽및 바닥면을따라서형성되고, 상기게이트스페이서의상부와비오버랩되는하부도전막, 및상기하부도전막상에, 상기게이트절연막의최상부를덮는상부도전막을포함한다.
Abstract translation: 提供半导体器件。 半导体器件包括限定衬底上的沟槽并包括上部和下部的栅极间隔物，栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸并且不与所述沟槽的上部接触 栅极间隔物，沿着沟槽的侧壁和底面在栅极绝缘膜上延伸的下部导电膜，并且不与栅极间隔物的上部重叠，并且栅极绝缘的最上部的上部导电膜 在下导电膜上的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101746709B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020100117666
申请日：2010-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/78
Abstract: 금속게이트전극들을갖는반도체소자의제조방법이제공된다. 상기방법은제1 영역및 제2 영역을갖는반도체기판을준비하는것과, 상기반도체기판상에절연막을형성하는것을구비한다. 상기절연막은상기제1 및제2 영역들내에각각배치된제1 그루브및 제2 그루브를갖는층간절연막과상기제1 및제2 그루브들의적어도바닥면들을덮는게이트절연막을구비하도록형성된다. 상기절연막을갖는기판의전면상에적층금속막(laminated metal layer)을형성하고, 상기적층금속막상에비감광성(non-photo sensitivity)을갖는평탄화막을형성한다. 상기평탄화막은상기제1 및제2 그루브들을채우도록형성된다. 상기제1 영역내의상기평탄화막을건식식각공정을사용하여선택적으로제거하여, 상기제1 영역내의상기적층금속막을노출시키고상기제2 영역내의상기적층금속막을덮는평탄화막패턴을형성한다. 상기평탄화막패턴을형성하는동안상기제1 그루브내에제1 평탄화잔여물이형성될수 있다.
Abstract translation: 提供了一种制造具有金属栅电极的半导体器件的方法。 该方法包括制备具有第一区域和第二区域的半导体衬底，以及在半导体衬底上形成绝缘膜。 绝缘膜被形成为包括层间绝缘膜，该层间绝缘膜具有分别设置在第一区域和第二区域中的第一沟槽和第二沟槽以及覆盖第一沟槽和第二沟槽的至少底表面的栅极绝缘膜。 在具有绝缘膜的基板的前表面上形成层压金属层，并且在该层压金属膜上形成具有非光敏性的平坦化膜。 平坦化膜形成为填充第一和第二凹槽。 使用干蚀刻工艺选择性地去除第一区域中的平坦化膜，以暴露第一区域中的层压金属膜，并形成覆盖第二区域中的层压金属膜的平坦化膜图案。 在形成平坦化膜图案期间，可以在第一沟槽中形成第一平坦化残余物。
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公开(公告)号：KR1020120056112A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020100117666
申请日：2010-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/78
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device which includes metal gate electrodes is provided to completely eliminate an uppermost metal film arranged within a first region using a patterned planarization film as an etching mask, thereby forming first and second metal gates which have different work functions without process failure. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(1) which has a first region(A) and a second region(B) is prepared. Gate insulating films(7a,7b) and an inter-layer insulating film(15) are formed on the semiconductor substrate. A laminated metal film(22) is formed on the front surface of the substrate which has the insulating film. A planarization film(23p) without photosensitive properties is formed on the laminated metal film. A planarization film pattern is formed within the second region for covering the laminated metal film.
Abstract translation: 目的：提供一种包括金属栅电极的半导体器件的制造方法，使用图案化的平坦化膜作为蚀刻掩模，完全消除了布置在第一区域内的最上面的金属膜，从而形成具有不同功函数的第一和第二金属栅极 没有过程故障。 构成：制备具有第一区域（A）和第二区域（B）的半导体衬底（1）。 栅极绝缘膜（7a，7b）和层间绝缘膜（15）形成在半导体衬底上。 在具有绝缘膜的基板的前表面上形成层压金属膜（22）。 在层叠的金属膜上形成没有光敏性的平坦化膜（23p）。 在用于覆盖层叠金属膜的第二区域内形成平坦化膜图案。
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公开(公告)号：KR1020090110610A
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：KR1020080036200
申请日：2008-04-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/02063
Abstract: PURPOSE: A substrate treating method is provided to improve efficiency of a substrate cleaning process by maintaining concentration of a cleaning solution. CONSTITUTION: A cleaning solution has hydrofluoric acid concentration of 0.04~0.15% by mixing hydrofluoric acid and ozonated water. A foreign material on a substrate is removed by the cleaning solution. A substrate treating apparatus(100) includes a substrate cleaning unit(110), a cleaning solution supply unit(120), and a control unit(130). The cleaning solution has ozone concentration of 5~100ppm.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法，通过保持清洁溶液的浓度来提高基板清洗过程的效率。 构成：通过混合氢氟酸和臭氧水，清洗液的氢氟酸浓度为0.04〜0.15％。 通过清洗液除去基材上的异物。 基板处理装置（100）包括基板清洗单元（110），清洗液供给单元（120）和控制单元（130）。 清洗液的臭氧浓度为5〜100ppm。
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公开(公告)号：KR1020160125744A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020150056597
申请日：2015-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76804 , H01L21/76843 , H01L21/76847 , H01L21/76865 , H01L21/76897 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L27/088 , H01L27/0886
Abstract: 반도체소자및 그제조방법에서, 상기반도체소자는기판상에층간절연막이구비된다. 상기층간절연막을관통하여콘택영역과접하는필러형상을갖고, 제1 베리어금속패턴및 제1 금속패턴을포함하는메인콘택플러그가구비된다. 상기메인콘택플러그의상부측벽만을둘러싸는형상을갖고, 베리어금속물질을포함하는콘택확장패턴이구비된다. 상기반도체소자에포함되는콘택구조물은얼라인마진이증가되고이웃하는도전패턴과의쇼트불량이감소될수 있다.
Abstract translation: 半导体器件可以在衬底上包括绝缘中间层，衬底包括其上部的接触区域，穿过绝缘中间层并接触接触区域的主接触插塞，具有柱形形状的主接触插塞包括 第一屏障图案和第一金属图案，以及围绕主接触插塞的上侧壁的延伸图案，延伸图案包括阻挡材料。 在半导体器件中，接触结构和其上的布线之间的对准边缘可能增加。 此外，可以减小接触结构和栅电极之间的短路故障。
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