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公开(公告)号：KR100599092B1
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020040098487
申请日：2004-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05H11/00
CPC classification number: H05H1/54
Abstract: 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치가 개시된다. 본 발명에 따르면, 전자기유도 가속기에 포함되는 각 코일의 구동 주파수를 서로 다르게 함으로써, 플라즈마(plasma)의 생성과 플라즈마의 가속의 효율을 극대화한다. 플라즈마가 생성되는 곳에서는 고주파수의 구동 전류를 사용하고, 플라즈마가 가속되는 출구쪽으로 갈수록 낮은 주파수의 구동 전류를 사용한다. 이에 따라 플라즈마의 생성효율 및 플라즈마의 가속효율을 극대화 한 전자기유도 가속기를 구현할 수 있으며, 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스(plasma source)와 가속기를 일체화하는 것이 매우 용이하다.
플라즈마, 가속기, 전자기유도 가속기, 코일, 반도체 공정, 식각-
公开(公告)号：KR1020060059405A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098486
申请日：2004-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05H1/34
Abstract: 코일의 권선수 조절에 의한 전자기 유도 가속장치가 개시된다. 본 발명의 가속장치는, 플라즈마(plasma)의 생성, 자기장 및 2차전류의 생성, 그리고 플라즈마의 가속을 위하여 하나의 코일만을 사용한다. 이에 따라, 플라즈마 내부에 유도되는 2차전류와의 커플링(coupling)에도 불구하고 자장압력의 기울기를 해치지 않는 자기장을 형성할 수 있다. 나아가 내부실린더로 인입되는 인입선의 수를 줄임으로써 인입선의 영향을 최소화하고, 내부실린더를 작게하여 유효방전공간을 크게 할 수 있다.
플라즈마, 가속기, 전자기유도 가속기, 코일, 반도체 공정, 식각-
公开(公告)号：KR1020100001552A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080061496
申请日：2008-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32128 , H01J37/32174 , H01J37/32532 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H05H2001/4645
Abstract: PURPOSE: An etching apparatus using plasma and a method of etching using the plasma are provided to accelerate a minus charged particle which is projected to a substrate by controlling and synchronizing radio frequencies of an etch apparatus. CONSTITUTION: In a etching apparatus using plasma and a method of etching using the plasma, a process chamber(110) etches a thin film on a substrate on a lower electrode by using plasma which is generated by a bias power and a source power. A bias power unit](112) transfers a radio frequency of the bias power to a pulse type mode. A source power unit(114) transfers the radio frequency of the source power to the pulse-type mode. A synchronizing unit(120) synchronizes a supply time of the pulse-type radio frequencies of the bias power and the source power.
Abstract translation: 目的：提供使用等离子体的蚀刻装置和使用等离子体的蚀刻方法，以通过控制和同步蚀刻装置的射频来加速投射到基板的负电荷粒子。 构成：在使用等离子体的蚀刻装置和使用等离子体的蚀刻方法中，处理室（110）通过使用由偏置功率和源功率产生的等离子体来蚀刻下部电极上的基板上的薄膜。 偏置功率单元]（112）将偏置功率的射频传送到脉冲类型模式。 源功率单元（114）将源功率的射频传送到脉冲型模式。 同步单元（120）使偏置功率的脉冲型射频和源功率的供给时间同步。
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公开(公告)号：KR100602258B1
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：KR1020050052479
申请日：2005-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 볼리네츠블라디미르
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 반도체 기판 처리공정에 사용되는 플라즈마 가속장치 및 그것을 구비하는 플라즈마 처리 시스템이 개시된다. 플라즈마 가속장치는, 내벽, 내벽과 소정거리를 두고 내벽을 에워싸는 외벽, 및 내벽과 외벽의 일단부를 오픈하는 출구를 형성하도록 내벽과 외벽의 타단부를 연결하는 단부벽을 구비하는 채널; 채널내에 가스를 공급하는 가스 공급부; 및 채널내의 가스에 이온화 에너지를 공급하여 플라즈마 빔을 생성하고, 생성된 플라즈마 빔을 출구쪽으로 가속시키는 플라즈마 생성/가속부를 포함하며; 채널의 내벽과 외벽 사이의 소정거리는 2 내지 4cm의 범위를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 플라즈마 채널의 내벽과 외벽 사이의 거리가 2 내지 4cm의 범위를 가지도록 함으로써, 식각, 스퍼터링 등과 같은 반도체 기판 처리공정시 플라즈마 에처 또는 플라즈마 스퍼터링 시스템의 효율을 최적화할 수 있다.
플라즈마, 가속, 채널, 내벽, 외벽, 거리Abstract translation: 公开了在半导体衬底处理工艺中使用的等离子体加速装置和具有该装置的等离子体处理系统。 等离子体加速器具有：一个端壁连接所述内壁和外壁的另一端，从而形成一个一端开口到所述出口，所述内壁，所述内壁与周围以一定距离内壁预定外壁，并且内外壁的通道; 气体供应单元，用于将气体供应到通道中; 以及等离子体产生/加速部分，用于向通道中的气体供应电离能量以产生等离子束并且将产生的等离子束加速朝向出口; 通道的内壁和外壁之间的预定距离在2至4cm的范围内。 按照本发明，当半导体基板的制造方法，例如蚀刻，溅射，由等离子体通道的内壁和外壁之间的距离，使得其具有的范围为2到4厘米，以优化等离子体蚀刻或等离子体溅射系统的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150065025A
公开(公告)日：2015-06-12
申请号：KR1020130150053
申请日：2013-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01L21/32136 , H01L21/6719
Abstract: 기판처리방법에따르면, 제 1 반응가스로부터제 1 플라즈마를생성한다. 제 2 반응가스로부터제 2 플라즈마를생성한다. 상기제 1 플라즈마와상기제 2 플라즈마를기판으로개별적으로제공한다. 따라서, 적어도 2개의리모트플라즈마소스들각각이기판을처리하는데최적화된서로다른공정조건들하에서발생된적어도 2개의플라즈마들을이용해서처리된기판은원하는형상을갖게될 수있다.
Abstract translation: 根据本发明的用于处理衬底的方法包括以下步骤：从第一反应气体产生第一等离子体; 从第二反应气体产生第二等离子体; 并且将第一等离子体和第二等离子体分别供给到基板。 因此，使用在不同的工艺条件下产生的两种或更多种等离子体来处理衬底，所述等离子体被优化以允许两个或更多个远程等离子体源中的每一个处理衬底，从而具有期望的形状。
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公开(公告)号：KR1020060059406A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098487
申请日：2004-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05H11/00
CPC classification number: H05H1/54
Abstract: 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치가 개시된다. 본 발명에 따르면, 전자기유도 가속기에 포함되는 각 코일의 구동 주파수를 서로 다르게 함으로써, 플라즈마(plasma)의 생성과 플라즈마의 가속의 효율을 극대화한다. 플라즈마가 생성되는 곳에서는 고주파수의 구동 전류를 사용하고, 플라즈마가 가속되는 출구쪽으로 갈수록 낮은 주파수의 구동 전류를 사용한다. 이에 따라 플라즈마의 생성효율 및 플라즈마의 가속효율을 극대화 한 전자기유도 가속기를 구현할 수 있으며, 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스(plasma source)와 가속기를 일체화하는 것이 매우 용이하다.
플라즈마, 가속기, 전자기유도 가속기, 코일, 반도체 공정, 식각-
公开(公告)号：KR100636787B1
公开(公告)日：2006-10-20
申请号：KR1020050052601
申请日：2005-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 노즐(nozzle)부를 포함하는 전자기유도 가속장치가 개시된다. 본 발명에 따르면, 플라즈마(plasma)의 생성을 위한 초기방전부, 플라즈마의 가속을 위한 가속부 및 노즐(nozzle)부를 포함하며, 플라즈마 생성 주파수와 플라즈마 가속 주파수를 합성한 합성파를 전류로 전자기유도 가속장치에 인가한다. 이에 따라 전자기유도 가속장치의 플라즈마의 생성 및 가속과 플라즈마 흐름의 균일성을 확보하고, 용이하게 플라즈마 생성 및 가속효율을 극대화할 수 있다.
플라즈마, 가속기, 전자기유도 가속기, 코일, 반도체 공정, 식각-
公开(公告)号：KR100599094B1
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020040098486
申请日：2004-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05H1/34
Abstract: 코일의 권선수 조절에 의한 전자기 유도 가속장치가 개시된다. 본 발명의 가속장치는, 플라즈마(plasma)의 생성, 자기장 및 2차전류의 생성, 그리고 플라즈마의 가속을 위하여 하나의 코일만을 사용한다. 이에 따라, 플라즈마 내부에 유도되는 2차전류와의 커플링(coupling)에도 불구하고 자장압력의 기울기를 해치지 않는 자기장을 형성할 수 있다. 나아가 내부실린더로 인입되는 인입선의 수를 줄임으로써 인입선의 영향을 최소화하고, 내부실린더를 작게하여 유효방전공간을 크게 할 수 있다.
플라즈마, 가속기, 전자기유도 가속기, 코일, 반도체 공정, 식각-
公开(公告)号：KR1020060057994A
公开(公告)日：2006-05-29
申请号：KR1020050052601
申请日：2005-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05H1/54 , F03H1/0075 , H01J27/024 , H01J27/143 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/3244
Abstract: 노즐(nozzle)부를 포함하는 전자기유도 가속장치가 개시된다. 본 발명에 따르면, 플라즈마(plasma)의 생성을 위한 초기방전부, 플라즈마의 가속을 위한 가속부 및 노즐(nozzle)부를 포함하며, 플라즈마 생성 주파수와 플라즈마 가속 주파수를 합성한 합성파를 전류로 전자기유도 가속장치에 인가한다. 이에 따라 전자기유도 가속장치의 플라즈마의 생성 및 가속과 플라즈마 흐름의 균일성을 확보하고, 용이하게 플라즈마 생성 및 가속효율을 극대화할 수 있다.
플라즈마, 가속기, 전자기유도 가속기, 코일, 반도체 공정, 식각
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