公开(公告)号：KR1020090067237A

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：KR1020070134785

申请日：2007-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심재은 ,  김학필 ,  김기홍 ,  김상호 ,  한오연 ,  현기철

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3255 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/6831

Abstract: A semiconductor manufacturing system is provided to increase or maximize a production yield by preventing defects in a semiconductor manufacturing process due to an overheating effect of an outer top electrode. A semiconductor manufacturing system includes a reaction chamber(120), an electrostatic chuck(130), a bottom electrode(140), an inner top electrode(160), and an outer top electrode(170). The reaction chamber provides a space sealed from the outside. The electrostatic chuck supports a wafer at a lower part of the reaction chamber. The first RF power is applied from a lower part of the electrostatic chuck to the bottom electrode. The inner top electrode injects a reaction gas at an upper end of the reaction chamber facing the lower electrode and the electrostatic chuck. The inner top electrode receives the second RF power to excite the reaction gas in a plasma state. The outer top electrode minimizes an influence caused by the RF power for concentrating the reaction gas of the plasma state on an upper part of the wafer. The outer top electrode is etched by the reaction gas. The outer top electrode is formed with one body in order to prevent generation of particles.

Abstract translation: 提供半导体制造系统以通过防止由于外顶电极的过热效应导致的半导体制造工艺中的缺陷来提高或最大化生产产量。 半导体制造系统包括反应室（120），静电吸盘（130），底电极（140），内顶电极（160）和外顶电极（170）。 反应室提供从外部密封的空间。 静电卡盘在反应室的下部支撑晶片。 第一RF功率从静电卡盘的下部施加到底部电极。 内部顶部电极在反应室的上端面向下部电极和静电吸盘上注入反应气体。 内部顶部电极接收第二RF功率以在等离子体状态下激发反应气体。 外部顶部电极最小化由RF功率引起的对等离子体状态的反应气体浓缩在晶片上部的影响。 外顶电极被反应气体蚀刻。 外顶电极形成有一体以防止颗粒的产生。

公开(公告)号：KR1020010010558A

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：KR1019990029517

申请日：1999-07-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상국 ,  한오연

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer boat is to increase a surface area by forming a number of grooves on a ring or by engaging an auxiliary ring to an inside of the ring. CONSTITUTION: A wafer boat comprises a ring(11) of a circular plate made of crystal, and a supporting pin(12) secured on an upper portion of the ring. An edge of a wafer(13) is positioned on the supporting pin. The ring is provided with a number of grooves, a thickness of the groove being 1/2 of a thickness of the ring. During the depositing process, a source gas flows through the grooves of the ring. An amount of a film deposited on the ring is increased, and a thickness of the film deposited on an edge of the wafer, so that a difference of a deposited thickness between a center portion and an edge portion is decreased. If a roughness of a surface of the ring is increased by a sand blast, a surface area of the ring is maximized to further improve the uniformity of the film deposited on the wafer.

Abstract translation: 目的：晶圆舟通过在环上形成多个槽或通过将辅助环接合到环的内部来增加表面积。 构成：晶片舟包括由晶体制成的圆形板的环（11）和固定在环的上部的支撑销（12）。 晶片（13）的边缘位于支撑销上。 环设有多个槽，槽的厚度为环的厚度的1/2。 在沉积过程中，源气体流过环的凹槽。 沉积在环上的膜的量增加，并且膜的厚度沉积在晶片的边缘上，使得中心部分和边缘部分之间的沉积厚度的差减小。 如果通过喷砂使环的表面的粗糙度增加，则环的表面积最大化，以进一步提高沉积在晶片上的膜的均匀性。

公开(公告)号：KR100224659B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960016738

申请日：1996-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남기흠 ,  고혁준 ,  한오연 ,  김유권

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: 종형 기상 성장 장치용 캡에 관해 개시한다. 이 기상 성장 장치용 캡은 상부평판, 상기 상부평판과 소정 거리 평행하게 이격되어 있는 하부평판, 상기 상부평판과 하부평판 사이에 일정 간격으로 적층된 복수개의 단열판 및 상기 단열판들의 외주면에 접하며 상기 상부평판, 하부평판을 연결하는 복수개의 로드를 구비하고, 상기 상부, 하부평판, 단열판 및 복수의 로드는 일체로 구성되며, 개방형으로 구성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 캡의 모든 구성요소들이 일체형으로 형성되어 있기 때문에 부품조립시 발생한 오염입자에 의한 공정불안정이 해결되고 장치의 설치, 교환 및 유지 관리가 용이해진다. 또 개방형으로 형성되어 있기 때문에 반응 가스가 웨이퍼에 도달하기 전에 활성화되도록 하여 반응 입자의 발생을 감소시킨다.

公开(公告)号：KR1019990051332A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970070648

申请日：1997-12-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이제훈 ,  원종국 ,  김정주 ,  한오연

IPC: H01L21/00

Abstract: 반도체 웨이퍼 상에 소정의 물질막을 형성하기 위하여 이용되는 단열관의 크기에 적합한 동일한 플레이트 내부에 복수 개의 홀이 규칙적으로 구비되어 확산 공정의 반응 가스를 분사하기 위하여 이용되는 가스 분사용 플레이트에 관하여 개시한다. 산화 공정을 진행하는 단열관 내에 반응 가스를 분사하기 위한 플레이트의 지름이 단열관 내에 장착된 웨이퍼의 지름과 단열관 내의 부피에 적합하도록 180 밀리미터(mm) 이상 300 밀리미터(mm) 이하의 크기로 제조된 것을 특징으로 한다. 이로써, 동일한 반도체 웨이퍼 상의 위치에 따른 산화막의 두께와 동시에 공정 진행된 복수 개의 웨이퍼들 장착 위치에 따른 산화막의 두께가 균일하게 형성됨으로써, 후속 공정을 용이하게 진행할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090012882A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：KR1020070077083

申请日：2007-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상호 ,  김학필 ,  한오연

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32605 ,  H01J37/32449

Abstract: A hanger type cathode electrode of a semiconductor dry etcher is provided to reduce the performance unit cost of the etching process in the processing chamber. A hanger type cathode electrode(100) of a semiconductor dry etcher comprises a supporting member(102), a supporting ring(114), engaging members for hanger(120,122), and the electrode plate(112). The supporting member is fixed to the processing chamber. The supporting ring has the penetration hole while uniting with the supporting member. The electrode plate has the mounting groove corresponding to the penetration holes. The engaging members for hanger are arranged in the penetration holes and the mounting grooves.

Abstract translation: 提供半导体干蚀刻机的悬挂式阴极，以降低处理室中蚀刻工艺的性能单位成本。 半导体干蚀刻机的悬挂式阴极电极（100）包括支撑构件（102），支撑环（114），用于衣架（120,122）的接合构件和电极板（112）。 支撑构件固定到处理室。 支撑环在与支撑构件结合的同时具有穿透孔。 电极板具有对应于穿透孔的安装槽。 用于衣架的接合构件布置在穿透孔和安装槽中。

公开(公告)号：KR1020080016246A

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：KR1020060078090

申请日：2006-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 현기철 ,  김학필 ,  한오연 ,  최봉 ,  우창우 ,  이종만 ,  김상호

IPC: G01B11/24 ,  G01B11/00

CPC classification number: G01N21/954 ,  G01F23/02

Abstract: An apparatus for monitoring powder in a pipe is provided to check the amount of powder formed in the pipe and thus to prevent contamination of a process chamber due to the powder. An apparatus for monitoring powder in a pipe(30) comprises a light unit(110), a camera unit(120), and a display unit(130). The light unit is configured in the pipe coupled to a process chamber(10), to illuminate inside the pipe. The camera unit, which is configured in the pipe, photographs the inner wall of the pipe to monitor powder in the pipe. The display unit is connected to the camera unit and displays the image.

Abstract translation: 提供一种用于监测管道中的粉末的装置，以检查管道中形成的粉末的量，从而防止由于粉末而导致的处理室的污染。 一种用于监测管道（30）中的粉末的装置，包括光单元（110），照相机单元（120）和显示单元（130）。 光单元配置在耦合到处理室（10）的管中，以在管内照明。 配置在管道中的相机单元拍摄管道的内壁，以监测管道中的粉末。 显示单元连接到相机单元并显示图像。

公开(公告)号：KR1020040110845A

公开(公告)日：2004-12-31

申请号：KR1020030040320

申请日：2003-06-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한오연 ,  김기석 ,  배도인 ,  한천수 ,  성순환

IPC: H01L21/203

Abstract: PURPOSE: A method for processing a surface of parts inside of a chamber is provided to prevent Ti from being peeled off the chamber. CONSTITUTION: A plurality of parts in an inner potion of a chamber is closed. The parts are cleaned by a cleaning solution and by performing ultra sonic cleaning in deionized water. A bead is injected to surfaces of the parts by 5 psi or more. A metallic arc is injected to surfaces of the parts. And then, the parts are cleaned, dried, and preserved.

Abstract translation: 目的：提供一种处理室内部件表面的方法，以防止Ti从室内剥离。 构成：腔室的内部部分中的多个部件是封闭的。 这些部件通过清洁溶液清洁，并在去离子水中进行超声波清洗。 一个珠子注入到零件的表面5 psi或更多。 金属电弧注入零件的表面。 然后，清洁，干燥和保存部件。

公开(公告)号：KR100315088B1

公开(公告)日：2001-11-24

申请号：KR1019990041795

申请日：1999-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한오연 ,  김국광 ,  양윤식 ,  최병욱

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32642 ,  Y10S156/915

Abstract: 본발명은반도체웨이퍼를감싸는포커스링을갖는반도체웨이퍼제조장치에관한것이다. 공정챔버내에서반도체웨이퍼를제조하기위한본 발명의장치는원형의척 그리고포커스링을구비한다. 상기원형의척은상기공정챔버내에위치되고, 제조공정동안에일면상에서상기반도체웨이퍼를홀딩한다. 상기포커스링은상기원형의척에의해지지되는상기반도체웨이퍼를감싸고, 상기반도체웨이퍼의표면상에공정가스들을포커싱하되, 상기포커스링은계단식형태를가진내부면을갖고, 상기내부면은상기반도체웨이퍼를감싸고제 1 지름을갖는원통형의하부면, 상기제 1 지름보다는큰 제 2 지름을갖는원통형의상부면그리고상기상부면과상기하부면의사이에위치되어상기상부면에형성된오염물들을모으는역할을하는컬렉팅부재를구비한다. 이와같은본 발명의포커스링을갖는반도체제조장치에의하면, 포커스링의하부면과상부면사이에위치된컬렉팅부재가떨어지는미립자오염물들을모으는것이가능하므로, 반도체웨이퍼표면상에떨어지는미립자오염물들의양이감소될수 있고이로인해상기반도체웨이퍼의수율이향상될수 있다.

公开(公告)号：KR1020080076432A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020070016333

申请日：2007-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한오연 ,  서기원 ,  김상호

IPC: H05H1/28 ,  H05H1/34 ,  H05H1/30 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/3255 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4645

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to minimize a flatness change of a cooling plate by efficiently controlling a heat transfer between a silicon electrode and a cooling plate. A plasma processing apparatus includes a chamber(100), an electrostatic chuck(110), a silicon electrode(120), and a cooling plate(140). The electrostatic chuck is installed inside the chamber. A substrate is installed on an upper plane of the electrostatic chuck. The silicon electrode is installed on an upper part of the electrostatic chuck to be apart from the electrostatic chuck. A plurality of grooves are formed on the upper plane of the silicon electrode. The cooling plate is contacted with an upper plane except the groove of the silicon electrode, and emits a heat of the silicon electrode. The silicon electrode is a cathode of the plasma processing apparatus. The electrostatic chuck is an anode of the plasma processing apparatus.

Abstract translation: 提供一种等离子体处理装置，通过有效地控制硅电极和冷却板之间的热传递来最小化冷却板的平坦度变化。 等离子体处理装置包括室（100），静电吸盘（110），硅电极（120）和冷却板（140）。 静电吸盘安装在室内。 基板安装在静电卡盘的上平面上。 硅电极安装在静电卡盘的上部，以与静电卡盘分开。 在硅电极的上平面上形成多个沟槽。 冷却板与除了硅电极的槽以外的上平面接触，并且发射硅电极的热量。 硅电极是等离子体处理装置的阴极。 静电卡盘是等离子体处理装置的阳极。

公开(公告)号：KR1020050080242A

公开(公告)日：2005-08-12

申请号：KR1020040008263

申请日：2004-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한오연 ,  서인근 ,  배도인 ,  한천수

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/505 ,  H01L21/67069

Abstract: 반도체 웨이퍼 가공 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 플라즈마 상태의 가스를 이용하여 반도체 소자를 제조하기 위한 공정이 진행되는 공정 챔버와, 상기 공정 챔버 내부에 구비되며 상기 공정을 위한 웨이퍼가 놓여지는 척을 구비한다. 상기 장치는 상기 척의 측면으로부터 수평 방향으로 연장된 수평부와, 상기 수평부의 가장자리 부위로부터 하방으로 연장된 수직부를 포함하는 가이드 링을 구비한다. 상기 가이드 링은 상기 플라즈마 상태의 가스의 흐름을 가이드하고, 상기 플라즈마 상태의 가스가 상기 척의 상부에서 균일하게 흐르도록 한다.