-
公开(公告)号：KR102237735B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020140072635A
申请日：2014-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 저항성 메모리 장치의 메모리 코어는 비트라인에 결합되는 적어도 하나의 제1 저항성 메모리 셀, 상보 비트라인에 결합되는 적어도 하나의 제2 저항성 메모리 셀, 제1 저항-전압 컨버터 및 비트라인 감지 증폭기를 포함한다. 제1 저항-전압 컨버터는 제1 노드에서 제1 저항성 메모리 셀과 병렬로 비트라인에 결합되고, 독출 칼럼 선택 신호에 기초하여 상기 제1 저항성 메모리 셀의 저항 값을 상응하는 전압으로 변환한다. 비트라인 감지 증폭기는 제1 노드에서 비트라인과 연결되고, 제2 노드에서 상보 비트라인과 연결되며, 감지 제어 신호에 응답하여 비트라인과 상보 비트라인의 전압 차이를 감지 및 증폭한다.
-
公开(公告)号：KR102238706B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020140168404A
申请日：2014-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체 메모리 장치는 메모리 셀 어레이 및 테스트 회로를 포함한다. 상기 테스트 회로는 테스트 모드에서 상기 메모리 셀 어레이로부터 데이터 열을 독출하고, 상기 데이터 열을 제1 단위씩 비교하면서 상기 제1 단위들의 대응하는 비트들을 제2 단위씩 비교하여 상기 데이터 열의 패스/페일 정보와 추가적인 정보를 포함하는 페일 정보 신호를 출력한다.
-
公开(公告)号：KR1020120062622A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020110125968
申请日：2011-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A multi-band antenna with multi-layers is provided to reduce the size of the antenna by piling up multi-layers having different dielectric permittivity. CONSTITUTION: A multi-band antenna with multi-layers comprises a power supply unit, a lower substrate(100), a middle substrate(200), and an upper substrate. The lower substrate touches the power supply unit and has first antenna patterns. The middle substrate is loaded on the lower substrate and has a space filled with air. The third substrate is loaded on the middle substrate and has second antenna patterns. The bandwidth of the antenna is changed depending on the thickness of the middle substrate.
Abstract translation: 目的：提供具有多层的多频带天线，通过堆叠具有不同介电常数的多层来减小天线的尺寸。 构成：具有多层的多频带天线包括电源单元，下基板（100），中间基板（200）和上基板。 下基板接触电源单元并具有第一天线图案。 中间基板装载在下基板上并具有填充有空气的空间。 第三基板被装载在中间基板上并且具有第二天线图案。 天线的带宽根据中间基板的厚度而改变。
-
公开(公告)号：KR101844839B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020110125968
申请日：2011-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은다중대역적층형안테나에관한것으로, 본발명의다중대역적층형안테나는급전을위한급전부와, 상기급전부에접촉하고있으며, 제1 안테나패턴을구비하는하층기판, 상기하층기판과소정간격으로이격되어적층되고, 내부에는소정모양의빈 공간을가지며, 두께에따라상기안테나의대역폭이변동되는중층기판및 상기중층기판과소정간격으로이격되어적층되고, 제2 안테나패턴을구비하는상층기판을구비하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 안테나캐리어가서로다른유전율을가지는다수개의층으로적층된구조를가지도록구성되므로안테나의크기를소형화시킬수 있고, 원하는대역폭에서향상된방사성능을가지도록구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种多频带叠加型天线，本发明的多频带叠加型天线包括用于馈电的馈电部分，接触馈电部分并具有第一天线图案的下层基板， 其中具有预定空隙空间并具有随天线厚度变化的带宽的层衬底;以及上层衬底，其上形成有第二天线图案并与中间层衬底隔开预定距离， 和一个控制单元。 根据本发明，天线载体各自被配置为具有多个具有不同介电常数的层构成的叠层结构和sikilsu小型化天线尺寸，也可以被实现为具有在所期望的带宽的改进的辐射性能。
-
公开(公告)号：KR1020110140115A
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020110108462
申请日：2011-10-24
Applicant: 에스 알 씨 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/188 , B01J23/72 , C01B2204/02 , C23C16/26
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing graphene on a face centered cubic metal catalyst with a single oriented texture is provided to epitaxially grow graphene by securing a single oriented crystal texture to a metal catalyst substrate. CONSTITUTION: A method for manufacturing graphene manufactures the graphene on a face centered cubic metal catalyst with a single oriented texture. The cold rolling reduction rate of the metal catalyst is more than or equal to 85%. The thickness of the metal catalyst is lower than or equal to 50um. The metal catalyst is re-crystallization annealed under hydrogen atmosphere and is re-heated under methane and hydrogen atmosphere to grow graphene. The metal catalyst is one or the alloy of copper, silver, or gold.
Abstract translation: 目的：提供一种在具有单一定向结构的面心立方金属催化剂上制造石墨烯的方法，以通过将单一取向晶体结构固定在金属催化剂基底上来外延生长石墨烯。 构成：用于制造石墨烯的方法在具有单一取向纹理的面心立方金属催化剂上制造石墨烯。 金属催化剂的冷轧压下率大于等于85％。 金属催化剂的厚度小于或等于50um。 金属催化剂在氢气氛下再结晶退火，并在甲烷和氢气氛下再加热以生长石墨烯。 金属催化剂是一种或铜，银或金的合金。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101269606B1
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：KR1020120039935
申请日：2012-04-17
Applicant: 에스 알 씨 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 단일 방위의 면을 가지는 면심입방격자 금속촉매상에서 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것으로 좀 더 자세하게는 펄스 파형 전류로 전해도금하고 이를 어닐링하여 단일방위를 가지는 촉매금속박을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 제조된 그래핀은 균일하고 애피택셜하게 성장할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR101165354B1
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：KR1020110108462
申请日：2011-10-24
Applicant: 에스 알 씨 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 단일 방위의 면을 가지는 면심입방격자 금속촉매상에서 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 (100) 또는 (111) 결정구조를 가지는 금속촉매상에서 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 제조된 그래핀은 균일하고 애피택셜하게 성장할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020130045147A
公开(公告)日：2013-05-03
申请号：KR1020120039935
申请日：2012-04-17
Applicant: 에스 알 씨 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/188 , B01J23/72 , C23C16/26
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of graphene is provided to uniformly grow the graphene by providing energy of metal catalyst substrate with a uniform state of a single defense texture side. CONSTITUTION: A manufacturing method of graphene comprises a catalyst metal foil, and the catalyst metal foil comprises a single defense by electroplating with pulse wavelike current and annealing. The temperature of the annealing is 600-1,070 degree Celsius. The ratio of current supplying time of the pulse wavelike current to a resting time is 15:85-85:15. The pulse wavelike current is 1-10A/dm^2. The catalyst metal foil is face-centered cubic lattice(FCC). The catalyst metal foil is a FCC metal foil obtained by plating in the cathode rotary drum.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯的制造方法以通过提供具有单一防御纹理侧的均匀状态的金属催化剂基材的能量来均匀地生长石墨烯。 构成：石墨烯的制造方法包括催化剂金属箔，催化剂金属箔包括通过电脉冲波浪电流和退火的单一防御。 退火温度为600-1.070摄氏度。 脉冲波形电流的电流供应时间与静止时间的比例为15：85-85：15。 脉冲波形电流为1-10A / dm ^ 2。 催化剂金属箔是面心立方晶格（FCC）。 催化剂金属箔是通过在阴极旋转鼓中电镀获得的FCC金属箔。
-
公开(公告)号：KR102171260B1
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：KR1020130110621
申请日：2013-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/406 , G11C11/4093 , G11C11/4096 , G11C5/04
-
公开(公告)号：KR102048407B1
公开(公告)日：2019-11-25
申请号：KR1020120116356
申请日：2012-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/408 , G11C11/406
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
500
records
(took 0.02 seconds)
