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    반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법
    1.
    发明公开
    반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 失效
    半导体激光器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020070085251A

    公开(公告)日：2007-08-27

    申请号：KR1020077008334

    申请日：2005-12-06

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 요시모토스스무 ,  마츠바라히데키 ,  사이토우히로히사 ,  미사키다카시 ,  나카니시후미타케 ,  모리히로키

    IPC: H01S5/18

    CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

    Abstract: Disclosed is a semiconductor laser device (1) comprising a substrate (3) having a major surface (3a), a photonic crystal layer (7) which is formed above the substrate (3) along the direction in which the major surface (3a) extends and contains an epitaxial layer (2a) composed of GaN and a low refractive index material (2b) having a refractive index lower than the epitaxial layer (2a), an n-type cladding layer (4) formed on the substrate (3), a p-type cladding layer (6) formed above the substrate (3), an active layer (5) interposed between the n-type cladding layer (4) and the p-type cladding layer (6) which emits light when carriers are injected thereinto, and a GaN layer (12) directly covering the photonic crystal layer (7). The semiconductor laser device can be manufactured without performing fusion bonding.

    Abstract translation: 公开了一种半导体激光装置（1），其包括具有主表面（3a）的基板（3），沿着主表面（3a）的方向形成在基板（3）上方的光子晶体层（7） 延伸并包含由GaN构成的外延层（2a）和折射率低于外延层（2a）的低折射率材料（2b），形成在基板（3）上的n型覆层（4） ，形成在所述基板（3）上方的p型覆层（6），插入在所述n型覆盖层（4）与所述p型覆盖层（6）之间的有源层（5），所述p型覆盖层在载体 以及直接覆盖光子晶体层（7）的GaN层（12）。 可以在不进行熔接的情况下制造半导体激光装置。

    웨이퍼 가이드, 유기 금속 기상 성장 장치 및 질화물계반도체를 퇴적하는 방법
    4.
    发明公开
    웨이퍼 가이드, 유기 금속 기상 성장 장치 및 질화물계반도체를 퇴적하는 방법 失效
    WAFER指南，MOCVD设备和氮化物半导体生长仪

    公开(公告)号：KR1020060055378A

    公开(公告)日：2006-05-23

    申请号：KR1020050109601

    申请日：2005-11-16

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 우에노마사키 ,  요시모토스스무 ,  마츠바사토시

    IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68764

    Abstract: 본 발명은 Ⅲ족 질화물 퇴적물의 영향을 저감할 수 있는 MOCVD 장치용 웨이퍼 가이드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
    웨이퍼 지지구(15)는 하나 또는 복수의 제1 부분(15a)과, 제1 부분(15a)을 둘러싸는 제2 부분(15b)을 갖고 있다. 제1 부분(15a)의 각각은 질화물계 반도체를 퇴적하는 웨이퍼(19)를 지지하는 면을 갖는다. 웨이퍼 가이드(17)는 MOCVD(11 및 13)에 있어서 웨이퍼 지지구(15)의 제2 부분(15b) 상에 설치되어 있다. 웨이퍼 가이드(17)는 제2 부분(15b)을 덮기 위한 프로텍터(17a)와, 웨이퍼(19)를 제1 부분(15a)에 수용하기 위한 하나 또는 복수의 개구(17b)를 구비한다. 프로텍터(17a)는 개구(17b)를 규정하는 동시에 웨이퍼(19)를 가이드하기 위한 측면(17c)을 갖는다. 웨이퍼 가이드(17)는 개구(17b)의 각각에 웨이퍼(19)를 수용하고, 웨이퍼(19)는 개구(17b)의 각각에 드러난 웨이퍼 지지부(15)의 제1 부분(15a)의 지지면 상에 탑재된다.

    반도체 레이저를 제작하는 방법
    8.
    发明授权
    반도체 레이저를 제작하는 방법 有权
    制造半导体激光的方法

    公开(公告)号：KR101471670B1

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：KR1020080068683

    申请日：2008-07-15

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 요시모토스스무 ,  마츠바라히데키

    IPC: H01S5/00

    CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2009

    Abstract: 본발명은공공(空孔)의배열을갖는포토닉결정구조를포함하는반도체레이저를제작하는방법으로서, 기판(W2)을성장로(13)에세트하여, 캐리어가스(질소)를흘리면서성장로(13)의온도를성장온도(T)까지상승시킨다. 이승온중에패턴형성된 InGaN층(17a)의개구(17b)가영향을받아, 개구(17b)에서의 AlGaN 성장및 이동이 AlGaN의표면에비해억제된다. 질화갈륨계반도체층(23)(예컨대 GaN층)을 InGaN층(17a) 상에형성한다. 질화갈륨계반도체층(AlGaN)(23)은개구(17b)에대응하는공공(25)을형성하도록성장한다. 이에따라, 이차원포토닉결정의이차원회절격자(26)가형성된다.

    웨이퍼 가이드, 유기 금속 기상 성장 장치 및 질화물계반도체를 퇴적하는 방법
    9.
    发明授权
    웨이퍼 가이드, 유기 금속 기상 성장 장치 및 질화물계반도체를 퇴적하는 방법 失效
    WAFER指南，MOCVD设备和氮化物半导体生长仪

    公开(公告)号：KR101127748B1

    公开(公告)日：2012-03-23

    申请号：KR1020050109601

    申请日：2005-11-16

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 우에노마사키 ,  요시모토스스무 ,  마츠바사토시

    IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68764

    Abstract: 본 발명은 Ⅲ족 질화물 퇴적물의 영향을 저감할 수 있는 MOCVD 장치용 웨이퍼 가이드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
    웨이퍼 지지구(15)는 하나 또는 복수의 제1 부분(15a)과, 제1 부분(15a)을 둘러싸는 제2 부분(15b)을 갖고 있다. 제1 부분(15a)의 각각은 질화물계 반도체가 퇴적되는 웨이퍼(19)를 지지하는 면을 갖는다. 웨이퍼 가이드(17)는 MOCVD(11 및 13)에 있어서 웨이퍼 지지구(15)의 제2 부분(15b) 상에 설치되어 있다. 웨이퍼 가이드(17)는 제2 부분(15b)을 덮기 위한 프로텍터(17a)와, 웨이퍼(19)를 제1 부분(15a)에 수용하기 위한 하나 또는 복수의 개구(17b)를 구비한다. 프로텍터(17a)는 개구(17b)를 규정하고 웨이퍼(19)를 가이드하기 위한 측면(17c)을 갖는다. 웨이퍼 가이드(17)는 개구(17b)의 각각에 웨이퍼(19)를 수용하고, 웨이퍼(19)는 개구(17b)의 각각에 드러난 웨이퍼 지지부(15)의 제1 부분(15a)의 지지면 상에 탑재된다.

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