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公开(公告)号：KR100919657B1
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020067000253
申请日：2004-08-04
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/45099
Abstract: 구조가 간단하기 때문에 제조가 용이하고, 큰 발광 효율을 장기간 안정적으로 얻을 수 있는 발광 장치를 제공하기 위해, 질화물 반도체 기판(1)의 제1 주표면 측에, n형 질화물 반도체층(2)과, 질화물 반도체 기판에서 보아 n형 질화물 반도체층보다 멀리에 위치하는 p형 질화물 반도체층(6)과, n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층(6) 사이에 위치하는 발광층(4)을 구비하고, 질화물 반도체 기판의 비저항이 0.5 Ω·cm 이하이며, p형 질화물 반도체층 측을 다운 실장하여, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면과 반대측의 주표면인 제2 주표면(1a)으로부터 빛을 방출한다.
Abstract translation: 为了提供具有简单结构并因此可以容易地制造并且可以长时间稳定地提供高发光效率的发光器件，发光器件包括第一个n型氮化物半导体层（2） 氮化物半导体衬底（1）的主表面侧，与氮化物半导体衬底相比位于第一主表面侧的n型氮化物半导体层更远的p型氮化物半导体层（6）和发光层（ 4）放置在第一主表面侧的n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层（6）之间。 氮化物半导体衬底具有0.5欧姆·厘米或更小的电阻率，并且p型氮化物半导体层侧被下放，使得光从氮化物半导体衬底的第二主表面（1a） 第一主表面。
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公开(公告)号：KR1020050049390A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：KR1020040095037
申请日：2004-11-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L33/02 , G02F1/1335
CPC classification number: H01L33/505 , G02B6/0046 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 발광 다이오드(1)는 반도체 적층부(6)와, 광반사층(17 및 19)과, 광반사막(25)과, 형광판(27)을 구비한다. 반도체 적층부(6)는 기판(7)상에 n형 클래드층(9), 활성층(11), p형 클래드층(13), 및 p형 컨택트층(15)이 순차 적층되어 이루어진다. 광반사층(17 및 19)은 각각 p형 컨택트층(15)상 및 기판(7)의 이면(7b)상에 마련된다. 광반사막(25)은 반도체 적층부(6)의 3개의 측면 위에 마련된다. 형광판(27)은 반도체 적층부(6)의 측면 중 광반사막(25)이 없는 측면에 부착된다. 활성층(11)으로부터 나온 청색광(L1)은 각 광반사층에서 반사되어, 형광판(27)이 마련된 측면에 모인다. 청색광(L1)의 일부는 형광판(27)에서 황색광(L2)이 되어, 청색광(L1) 및 황색광(L2)에 의한 백색광이 출사된다.
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公开(公告)号：KR101202866B1
公开(公告)日：2012-11-19
申请号：KR1020050124429
申请日：2005-12-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/22 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/10155 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
Abstract: 본 발명은 구조가 간단하기 때문에 제조가 용이하며, 큰 발광 효율을 장시간에 걸쳐 안정적으로 얻을 수 있는 발광 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
발광 장치는 질화물 반도체 기판으로서의 GaN 기판(1)과, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면측에, n형 Al
x Ga
1-x N층(3)과, 질화물 반도체 기판에서 보아 n형 Al
x Ga
1-x N층(3)보다 멀리에 위치하는 p형 Al
x Ga
1-x N층(5)과, n형 Al
x Ga
1-x N층(3) 및 p형 Al
x Ga
1-x N층(5) 사이에 위치하는 양자 우물(4)을 구비한 발광 장치이다. 이 발광 장치에서는 질화물 반도체 기판의 비저항이 0.5 Ω?cm 이하이며, p형 Al
x Ga
1-x N층(5)측을 다운 실장하고, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면과 반대측의 주표면인 제2 주표면(1a)에서 광을 방출한다. 질화물 반도체 기판의 제2 주표면(1a)에는 홈(80)이 형성되어 있다.Abstract translation: 获得具有简单结构的发光器件，其可以容易地制造，长时间稳定地获得高发光效率，该发光器件包括：作为氮化物半导体衬底的GaN衬底（1），并且在第一主体 氮化物半导体衬底的表面，n型Al x Ga 1-x N层（3），p型Al x Ga 1-x N层（5），其位于比n型Al x Ga 1- x N层（3）和位于n型Al x Ga 1-x N层（3）和p型Al x Ga 1-x N层之间的量子阱（4） （5）。 在发光器件中，氮化物半导体衬底的比电阻为0.5Ω/ cm以下，p型Al x Ga 1-x N层（5）的侧面朝下安装，发光 从与氮化物半导体衬底的第一主表面相对的第二主表面1a。 氮化物半导体衬底的第二主表面1a具有形成在其中的沟槽（80）。
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公开(公告)号：KR1020050053518A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：KR1020040101099
申请日：2004-12-03
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: A light emitting device includes a nitride semiconductor substrate (1) with a resistivity of 0.5 ©-cm or less, an n-type nitride semiconductor layer (3) and a p-type nitride semiconductor layer (5) placed more distantly from the nitride semiconductor substrate (1) than the n-type nitride semiconductor layer at a first main surface side of the nitride semiconductor substrate (1), and a light emitting layer (4) placed between the n-type nitride semiconductor layer (3) and the p-type nitride semiconductor layer (5), wherein one of the nitride semiconductor substrate (1) and the p-type nitride semiconductor layer (5) is mounted at the top side which emits light and the other is placed at the down side, and a single electrode is placed at the top side. Therefore, there is provided a light emitting device which has a simple configuration thereby making it easy to fabricate, can provide a high light emission efficiency for a long time period, and can be easily miniaturized.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101116111B1
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：KR1020040088194
申请日：2004-11-02
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405
Abstract: 본발명은, 반도체발광소자는, 질화물반도체로이루어진제1 도전형반도체층과, 질화물반도체로이루어지며, 제1 도전형반도체층위에형성된제2 도전형반도체층과, 질화물반도체로이루어지며, 제1 도전형반도체층과제2 도전형반도체층과의사이에형성된활성층과, 제1 도전형반도체층과전기적으로접속된제 1의전극과, 제2 도전형반도체층위에소정의패턴으로형성된제 2의전극과, 제2 도전형반도체층위 및상기제 2의전극위에형성된금속반사막을구비하는것을특징으로한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020060059955A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020067000253
申请日：2004-08-04
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/45099
Abstract: A light-emitting device is disclosed which can be produced easily because of its simple structure and is capable of stably maintaining high luminous efficiency for a long time. The light-emitting device comprises, on the side of a first major surface of a nitride semiconductor substrate (1), an n-type nitride semiconductor layer (2), a p-type nitride semiconductor layer (6) placed farther than the n-type nitride semiconductor layer (2) from the nitride semiconductor substrate (1), and a light-emitting layer (4) arranged between the n-type nitride semiconductor layer (2) and the p-type nitride semiconductor layer (6). The nitride semiconductor substrate has a resistivity of not more than 0.5 Omega.cm. The light-emitting device is mounted with the p- type nitride semiconductor layer side down, so that light is emitted through a second major surface (1a) of the nitride semiconductor substrate which is opposite to the first major surface.
Abstract translation: 公开了一种由于其结构简单而能容易地制造并且能够长时间稳定地保持高发光效率的发光器件。 发光器件在氮化物半导体衬底（1）的第一主表面上包括n型氮化物半导体层（2），比n更远的p型氮化物半导体层（6） 氮化物半导体衬底（1）的氮化物半导体层（2）和配置在n型氮化物半导体层（2）和p型氮化物半导体层（6）之间的发光层（4）。 氮化物半导体衬底的电阻率不大于0.5Ω·cm。 发光装置以p-型氮化物半导体层一侧向下安装，使得光通过与第一主表面相对的氮化物半导体衬底的第二主表面（1a）发射。
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公开(公告)号：KR100955634B1
公开(公告)日：2010-05-03
申请号：KR1020040101099
申请日：2004-12-03
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 비저항 0.5 Ω·cm 이하의 질화물 반도체 기판(1)과, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면 측에, n형 질화물 반도체층(3)과, 질화물 반도체 기판에서 보아 n형 질화물 반도체층(3)보다 멀리에 위치하는 p형 질화물 반도체층(5)과, n형 질화물 반도체층(3)과 p형 질화물 반도체층(5) 사이에 위치하는 발광층(4)을 구비하며, 질화물 반도체 기판(1) 및 p형 질화물 반도체층(5) 중 어느 한 쪽을 빛을 방출하는 톱 측에, 또 다른 쪽을 다운 측에 실장하고, 그 톱 측에 위치하는 전극이 하나로 구성된다. 이에 따라, 소형화가 가능하고, 또한 구조가 간단하기 때문에 제조가 용이하며, 큰 발광 효율을 장기간 안정적으로 얻을 수 있는 발광 소자를 얻을 수 있다.
Abstract translation: 一种发光器件，包括电阻率为0.5Ω·cm或更小的氮化物半导体衬底（1），n型氮化物半导体层（3）和p型氮化物半导体层（5），所述p型氮化物半导体层 在所述氮化物半导体衬底（1）的第一主表面侧处具有比所述n型氮化物半导体层（1）更高的氮化物半导体衬底（1），以及位于所述n型氮化物半导体层（3）和 所述p型氮化物半导体层（5），其中所述氮化物半导体衬底（1）和所述p型氮化物半导体层（5）中的一个安装在发射光的顶侧，而另一个位于所述衬底的下侧 ，并将单个电极放置在顶侧。 因此，提供了一种发光装置，其具有简单的构造，从而使其易于制造，可以提供长时间的高发光效率，并且可以容易地小型化。
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公开(公告)号：KR1020060070437A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020050124429
申请日：2005-12-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/22 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/10155 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
Abstract: 본 발명은 구조가 간단하기 때문에 제조가 용이하며, 큰 발광 효율을 장시간에 걸쳐 안정적으로 얻을 수 있는 발광 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
발광 장치는 질화물 반도체 기판으로서의 GaN 기판(1)과, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면 측에, n형 Al
x Ga
1-x N층(3)과, 질화물 반도체 기판에서 보아 n형 Al
x Ga
1-x N층(3)보다 멀리에 위치하는 p형 Al
x Ga
1-x N층(5)과, n형 Al
x Ga
1-x N층(3) 및 p형 Al
x Ga
1-x N층(5) 사이에 위치하는 양자 우물(4)을 구비한 발광 장치이다. 이 발광 장치에서는 질화물 반도체 기판의 비저항이 0.5 Ω·cm 이하이며, p형 Al
x Ga
1-x N층(5)측을 다운 실장하고, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면과 반대측의 주표면인 제2 주표면(1a)에서 광을 방출한다. 질화물 반도체 기판의 제2 주표면(1a)에는 홈(80)이 형성되어 있다.Abstract translation: 获得具有简单结构的发光器件，其可以容易地制造，长时间稳定地获得高发光效率，该发光器件包括：作为氮化物半导体衬底的GaN衬底（1），并且在第一主体 氮化物半导体衬底的表面，n型Al x Ga 1-x N层（3），p型Al x Ga 1-x N层（5），其位于比n型Al x Ga 1- x N层（3）和位于n型Al x Ga 1-x N层（3）和p型Al x Ga 1-x N层之间的量子阱（4） （5）。 在发光器件中，氮化物半导体衬底的比电阻为0.5Ω/ cm以下，p型Al x Ga 1-x N层（5）的侧面朝下安装，发光 从与氮化物半导体衬底的第一主表面相对的第二主表面1a。 氮化物半导体衬底的第二主表面1a具有形成在其中的沟槽（80）。
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公开(公告)号：KR1020050043638A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：KR1020040088194
申请日：2004-11-02
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405
Abstract: 본 발명은, 반도체 발광소자는, 질화물 반도체로 이루어지는 제 1도전형 반도체층과, 질화물 반도체로 이루어지고, 제 1도전형 반도체층 위에 형성된 제 2도전형 반도체층과, 질화물 반도체로 이루어지고, 제 1도전형 반도체층과 제 2도전형 반도체층과의 사이에 형성된 활성층과, 제 1도전형 반도체층과 전기적으로 접속된 제 1의 전극과, 제 2도전형 반도체층 위에 소정의 패턴으로 형성된 제 2의 전극과, 제 2도전형 반도체층 위 및 상기 제 2의 전극상에 형성된 금속반사막을 구비하는 것을 특징으로 한 것이다.
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