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公开(公告)号：KR100269824B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019930011926
申请日：1993-06-29
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: B32B15/00
CPC classification number: A47J36/02 , B32B15/012
Abstract: PURPOSE: A process for producing a composite material, and for producing a composite material molding are provided to reduce a fraction defective of molding working by improving composite plate materials in quality and to increase a mass productivity of the composite materials. CONSTITUTION: The process for producing the composite material comprises the step of cladding a magnetic metal plate(1) and an aluminum or aluminum alloy plate(2) by an axial hot pressing. The magnetic metal plate comprises iron or stainless steel. The process for producing the composite material molding comprises the steps of: forming the composite plate materials by cladding a magnetic metal plate and an aluminum or aluminum alloy plate by an axial hot pressing; and press molding and/or stamping and cutting the composite plate materials.
Abstract translation: 目的：提供一种复合材料的制造方法以及复合材料成型体的制造方法，通过提高复合材料的质量和提高复合材料的质量生产率来降低成型加工不良的部分。 构成：复合材料的制造方法包括通过轴向热压包覆磁性金属板（1）和铝或铝合金板（2）的工序。 磁性金属板包括铁或不锈钢。 制造复合材料成型的方法包括以下步骤：通过轴向热压包覆磁性金属板和铝或铝合金板来形成复合板材料; 并压制成型和/或冲压和切割复合板材料。
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公开(公告)号：KR101119579B1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：KR1020050035072
申请日：2005-04-27
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L33/16
Abstract: 반도체발광소자(1)는 n형클래드층(3)과, n형클래드층(3)상에설치된 p형클래드층(7)과, n형클래드층(3)과 p형클래드층(7) 사이에설치되어있고, 질화물로이루어진활성층(5)을구비하며, n형클래드층(3)과활성층(5)의계면에직교하는축과활성층(5)에있어서의 c축이이루는각도및 활성층(5)과 p형클래드층(7)의계면에직교하는축과활성층(5)에있어서의 c축이이루는각도가각각제로보다큰 것을특징으로한다.
Abstract translation: 半导体发光元件1包括n型包覆层3，设置在n型包覆层3上的p型包覆层7，n型包覆层3和p型包覆层3。 据之间，并垂直于uigye表面具有有源层（5）由氮化物，n型包覆层3和活性层5，该角度和该轴的活性c轴和有源层（5） （5）和p型覆层（7）以及有源层（5）中的c轴分别大于零。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940005391A
公开(公告)日：1994-03-21
申请号：KR1019930011926
申请日：1993-06-29
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: B32B15/00
Abstract: 자성금속판과 알루미늄 또는 알루미늄 합금판으로 구성된 복합재료는 상기 자성금속판과 알루미늄 또는 알루미늄합금판을 함께 축방향 가열압착에 의해 클래딩함으로써 형성된다. 또, 복합재료의 제조방법은, 자성금속판과 알루미늄 또는 알루미늄 합금판을 축방향 가열압측에 의해 클래딩하는 공정으로 이루어지고, 또한 복합재료 성형품의 제조방법은 자성금속판과 알루미늄 또는 알루미늄합금판을 축방향 가열압착에 의해 클래딩하여 복합판재를 형성하는 공정과, 이 복합판재의 프레스형성 및/또는 스탬핑 및 절단처리를 시행하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020170049644A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020177011989
申请日：2011-02-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: B01D33/073 , B01D29/92 , B01D29/74 , B01D29/64 , B01D29/21 , B01D35/30 , B01D33/46 , B01D33/39 , C02F1/32 , C02F1/00
CPC classification number: B01D29/21 , B01D29/6446 , B01D29/74 , B01D29/92 , B01D33/073 , B01D33/39 , B01D33/463 , B01D35/303 , B01D2201/583 , B63J4/002 , C02F1/001 , C02F1/325 , C02F2103/008 , C02F2209/11 , C02F2303/04 , Y02T70/36
Abstract: 축선을둘러싸도록원통배치되어, 당해축선을중심으로회전이자유롭게설치된필터(1)와, 당해필터(1)의외주면을향하여피처리수를유출하는피처리수노즐(2)과, 필터(1)를둘러싸도록설치되어피처리수노즐(2)의노즐구(21)를내부에구비한외통부(31)를갖는케이스(3)와, 필터(1)를투과한여과수를필터(1)의원통내부로부터케이스(3)의외부로도출하는여과수유로(7)와, 필터(1)에서여과되지않은배출수를케이스(3)의외부로배출하는배출유로(8)를구비하도록했다. 이에따라, 선박으로부터배출되는, 혹은선박에적재되는밸러스트수로부터효율적으로미생물을사멸, 불활성화하는것이가능하고, 선박에탑재가능한선박용밸러스트수의처리장치및 처리방법이얻어진다.
Abstract translation: 过滤器1以围绕轴线的方式配置成能够绕轴线旋转的圆筒形状;水处理水喷嘴2，其朝向过滤器1的外周面喷出处理水; 外壳3具有外管31，该外管31具有待处理水喷嘴2的喷嘴孔21并且被设置成围绕过滤器1; 和从筒内壳体3，经过滤的水流动通道（7），用于导出部令人惊讶的是，用于从所述过滤器（1），壳体3份令人惊讶的排出未过滤冷凝水设置有放电路径（8）。 Yiettara，这是可能的，被安装在用于从压载水即或装入容器中被排出从可以得到容器有效地杀死，灭活的微生物处理装置和处理方法的海洋船舶压载数。
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公开(公告)号：KR1020080083285A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：KR1020087015068
申请日：2006-10-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/20 , H01L29/201 , C30B29/38 , H01L33/02
CPC classification number: H01L21/02658 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/0254
Abstract: This invention provides an AlxGayIn1-x-yN crystal substrate (12) having a main plane (12m) having an area of not less than 10 cm2. The main plane (12m) has an outer area (12w) which is within 5 mm from the outer periphery and an inner area (12n) which is an area other than the outer area. The inner area (12n) has a total dislocation density of not less than 1 x 102 cm-2 and not more than 1 x 106 cm-2. The above constitution can provide an AlxGayIn1-x-yN crystal substrate as a semiconductor device, which is large and has suitable dislocation density, a semiconductor device comprising the AlxGayIn1-x-yN crystal substrate, and a method for manufacturing the same.
Abstract translation: 本发明提供具有面积不小于10cm 2的主平面（12m）的Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底（12）。 主平面（12m）具有与外周5mm以内的外部区域（12w）和作为外部区域以外的区域的内部区域（12n）。 内部区域（12n）的总位错密度不小于1×102cm-2且不大于1×106cm-2。 上述结构可以提供Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底作为半导体器件，其尺寸大并且具有合适的位错密度，包括Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020120131158A
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：KR1020127020781
申请日：2011-02-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: B01D33/073 , B01D29/92 , B01D29/74 , B01D29/64 , B01D29/21 , B01D35/30 , B01D33/46 , B01D33/39 , C02F1/32 , C02F1/00
CPC classification number: B01D29/21 , B01D29/6446 , B01D29/74 , B01D29/92 , B01D33/073 , B01D33/39 , B01D33/463 , B01D35/303 , B01D2201/583 , B63J4/002 , C02F1/001 , C02F1/325 , C02F2103/008 , C02F2209/11 , C02F2303/04 , Y02T70/36
Abstract: 축선을 둘러싸도록 원통 배치되어, 당해 축선을 중심으로 회전이 자유롭게 설치된 필터(1)와, 당해 필터(1)의 외주면을 향하여 피처리수를 유출하는 피처리수 노즐(2)과, 필터(1)를 둘러싸도록 설치되어 피처리수 노즐(2)의 노즐구(21)를 내부에 구비한 외통부(31)를 갖는 케이스(3)와, 필터(1)를 투과한 여과수를 필터(1)의 원통 내부로부터 케이스(3)의 외부로 도출하는 여과수 유로(7)와, 필터(1)에서 여과되지 않은 배출수를 케이스(3)의 외부로 배출하는 배출 유로(8)를 구비하도록 했다. 이에 따라, 선박으로부터 배출되는, 혹은 선박에 적재되는 밸러스트수로부터 효율적으로 미생물을 사멸, 불활성화하는 것이 가능하고, 선박에 탑재 가능한 선박용 밸러스트수의 처리 장치 및 처리 방법이 얻어진다.
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公开(公告)号：KR1020060047539A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020050035072
申请日：2005-04-27
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L33/16
Abstract: 본 발명은 활성층에 있어서의 자연 발생 전계가 저감되어, 고휘도화가 가능한 반도체 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
반도체 발광 소자(1)는 n형 클래드층(3)과, n형 클래드층(3)상에 설치된 p형 클래드층(7)과, n형 클래드층(3)과 p형 클래드층(7) 사이에 설치되어 있고, 질화물로 이루어진 활성층(5)을 구비하며, n형 클래드층(3)과 활성층(5)의 계면에 직교하는 축과 활성층(5)에 있어서의 c축이 이루는 각도 및 활성층(5)과 p형 클래드층(7)의 계면에 직교하는 축과 활성층(5)에 있어서의 c축이 이루는 각도가 각각 제로보다 큰 것을 특징으로 한다.
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