公开(公告)号：KR1020070119509A

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：KR1020070056636

申请日：2007-06-11

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이지리히데유키 ,  나카하타세이지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00

Abstract: A method for storing a GaN substrate is provided to prevent the surface of a GaN substrate from being oxidized by storing a GaN substrate in an atmosphere with an oxygen density of 18 volume percent or less and/or a vapor density of 25 grams/m^3. A GaN substrate(1) is stored in an atmosphere of an oxygen density of 18 volume percent or less and/or a vapor density of 25 grams/m^3. The oxygen density can be not higher than 5 volume percent and/or the vapor density can be not higher than 17 grams/m^3. A first main surface of the GaN substrate can have surface roughness not higher than 20 nm, and a second main surface of the GaN substrate can have surface roughness not higher than 10 mum.

Abstract translation: 提供一种用于存储GaN衬底的方法，以通过将GaN衬底储存在氧气密度为18体积％以下和/或25克/平方米的氧气密度的气氛中来防止GaN衬底的表面氧化， 3。 将GaN衬底（1）在氧气密度为18体积％以下和/或25克/立方米3的蒸汽密度的气氛中储存。 氧气密度可以不高于5体积％和/或蒸气密度不高于17克/立方公分。 GaN衬底的第一主表面可以具有不高于20nm的表面粗糙度，并且GaN衬底的第二主表面可以具有不高于10μm的表面粗糙度。

公开(公告)号：KR101347411B1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：KR1020060131038

申请日：2006-12-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가사이히토시 ,  오카히사다쿠지 ,  후지타슌스케 ,  마츠모토나오키 ,  이지리히데유키 ,  사토후미타카 ,  모토키겐사쿠 ,  나카하타세이지 ,  우에마츠고지 ,  히로타류

IPC: C30B29/38

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 Ⅲ족 질화물 결정체의 제조 방법은 반응실(110) 내에 HCl 가스(1)를 도입하여 반응실(110) 내를 세정하는 공정과, 세정된 반응실(110) 내에서 Ⅲ족 질화물 결정체(11)를 기상 성장시키는 공정을 포함한다. 또한, Ⅲ족 질화물 결정체의 제조 장치(100)는 반응실(110) 내에 HCl 가스(1)를 도입하는 구조와 HVPE법에 의해 Ⅲ족 질화물 결정체(11)를 성장시키는 구조를 구비한다. 이에 따라, 결정 성장시에 반응실 내에 부착된 퇴적물을 효과적으로 세정하는 방법을 포함하는 Ⅲ족 질화물 결정체의 제조 방법 및 그 제조 방법에서 이용되는 제조 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020070070070A

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020060131038

申请日：2006-12-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가사이히토시 ,  오카히사다쿠지 ,  후지타슌스케 ,  마츠모토나오키 ,  이지리히데유키 ,  사토후미타카 ,  모토키겐사쿠 ,  나카하타세이지 ,  우에마츠고지 ,  히로타류

IPC: C30B29/38

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: A method and apparatus for preparing a group III nitride crystal substance is provided to effectively clean deposits adhered on a reaction chamber during growth of the group III nitride crystal substance. An interior of a reaction chamber is cleaned by introducing HCl gas into the reaction chamber, and a group III nitride crystal substance is vapor-deposited in the cleaned reaction chamber. The step of cleaning the interior of the reaction chamber is carried out under conditions of at least 1.013 hPa and not more than 1013 hPa for HCl gas partial pressure and at least 650 deg.C to 1200 deg.C for temperature in the reaction chamber.

Abstract translation: 提供了用于制备III族氮化物晶体物质的方法和装置，以有效地清除在III族氮化物晶体物质生长过程中附着在反应室上的沉积物。 通过将HCl气体引入反应室来清洁反应室的内部，并且在清洁的反应室中气相沉积III族氮化物晶体物质。 清洗反应室内部的步骤在HCl气体分压至少为1.013hPa和不高于1013hPa，反应室内的温度为至少650℃至1200℃的条件下进行。

公开(公告)号：KR1020070117490A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：KR1020070055527

申请日：2007-06-07

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  모토키겐사쿠 ,  우에마츠고지 ,  나카하타세이지 ,  히로타류 ,  이지리히데유키 ,  가사이히토시 ,  후지타슌스케 ,  사토후미타카 ,  마츠오카도루

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/16

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: A method of growing a gallium nitride crystal is provided to reduce a density of dislocations effectively by forming a stable grain boundary at an interface of two different crystal regions, in an epitaxial growth method. A mask(M) inhibiting epitaxial growth of a gallium nitride crystal is formed partially on a ground substrate(U). The gallium nitride crystal is grown epitaxially on the ground substrate in which the mask is formed, while doping carbon. A first crystal region is grown from a periphery region of the mask toward inside, and an c-axis direction is reversed in the first crystal region relative to a second crystal region grown on a region where the mask is not formed in the ground substrate.

Abstract translation: 提供一种生长氮化镓晶体的方法，通过在外延生长法中在两个不同晶体区域的界面处形成稳定的晶界，有效地降低位错密度。 抑制氮化镓晶体的外延生长的掩模（M）部分地形成在接地基板（U）上。 在形成掩模的接地衬底上外延生长氮化镓晶体，同时掺杂碳。 第一晶体区域从掩模的周边区域向内部生长，并且在第一晶体区域中相对于在未在掩模衬底中形成掩模的区域上生长的第二晶体区域的c轴方向反转。

公开(公告)号：KR101364653B1

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：KR1020070056636

申请日：2007-06-11

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이지리히데유키 ,  나카하타세이지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00

Abstract: 본 발명은 특성이 좋은 반도체 디바이스의 제조가 가능한 GaN 기판의 보존 방법, 보존된 기판, 반도체 디바이스 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 GaN 기판의 보존 방법은 GaN 기판(1)을 산소 농도가 18 체적% 및/또는 수증기 농도가 12 g/㎥ 이하의 분위기 하에서 보존한다. 여기서, GaN 기판의 제1 주요면의 표면 거칠기(Ra)를 20 ㎚ 이하, 제2 주요면의 표면 거칠기(Ra)를 20 ㎛ 이하로 할 수 있다. 또한, GaN 기판의 주요면과 (0001)면이 이루는 오프각이 방향으로 0.05° 이상 2° 이하이며, 방향으로 0° 이상 1° 이하로 할 수 있다.