公开(公告)号：KR101825546B1

公开(公告)日：2018-02-05

申请号：KR1020140063293

申请日：2014-05-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 배진희 ,  곽택수 ,  이한송 ,  조연진 ,  황병규 ,  김보선 ,  박새미 ,  박은수 ,  서진우 ,  임완희 ,  장준영 ,  한권우

IPC: C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  C09D183/04 ,  B05D1/00 ,  B05D3/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/26 ,  C08G77/54 ,  C08G77/60 ,  C09D183/02 ,  C09D183/16 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L28/90

Abstract: 수소화폴리실라잔, 수소화폴리실록사잔, 또는이들의조합을포함하는실리카계화합물, 그리고용매를포함하는실리카계막 형성용조성물로서, 입경이 0.2 ㎛내지 1 ㎛인파티클을 10 개/㎖이하로포함하는실리카계막 형성용조성물에관한것이다.

Abstract translation: 一种用于形成二氧化硅基层的组合物和一种用于制造二氧化硅基层的方法，所述组合物包含含硅化合物，所述含硅化合物包含氢化聚硅氮烷部分，氢化聚硅氧氮烷部分或其组合，以及 溶剂，其中所述组合物中的所述含硅化合物的颗粒的大量粒径为约0.2μm至约1μm，小于或等于约10个/ ml。

公开(公告)号：KR101688012B1

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：KR1020140040689

申请日：2014-04-04

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박은수 ,  조연진 ,  한권우 ,  곽택수 ,  김보선 ,  김상균 ,  박새미 ,  배진희 ,  서진우 ,  이한송 ,  임완희 ,  장준영

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027

Abstract: 하기화학식 1로표현되는반복단위를포함하는유기실란계중합체, 및용매를포함하고, 상기유기실란계중합체내의탄소(C) 원소의질량은상기유기실란계중합체의전체원소의질량에대하여 0.1% 내지 30%인것인레지스트하층막용조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R, R 및 R의정의는명세서에서정의한바와같다.

Abstract translation: 本发明提供一种抗蚀剂底层用组合物，其含有含有以化学式1表示的重复单元的有机硅烷类聚合物和溶剂，其中有机硅烷系聚合物内的碳（C）元素的质量为 相对于硅烷类聚合物的元素的总质量为0.1-30％。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3与说明书中所定义相同。

公开(公告)号：KR1020150116122A

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：KR1020140040689

申请日：2014-04-04

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박은수 ,  조연진 ,  한권우 ,  곽택수 ,  김보선 ,  김상균 ,  박새미 ,  배진희 ,  서진우 ,  이한송 ,  임완희 ,  장준영

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/095 ,  G03F7/075 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276

Abstract: 하기화학식 1로표현되는반복단위를포함하는유기실란계중합체, 및용매를포함하고, 상기유기실란계중합체내의탄소(C) 원소의질량은상기유기실란계중합체의전체원소의질량에대하여 0.1% 내지 30%인것인레지스트하층막용조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R, R 및 R의정의는명세서에서정의한바와같다.

Abstract translation: 本发明提供一种抗蚀剂底层用组合物，其含有含有以化学式1表示的重复单元的有机硅烷类聚合物和溶剂，其中有机硅烷系聚合物内的碳（C）元素的质量为 相对于硅烷类聚合物的元素的总质量为0.1-30％。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3与说明书中所定义相同。

公开(公告)号：KR101556672B1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：KR1020120155327

申请日：2012-12-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 윤희찬 ,  곽택수 ,  김미영 ,  임상학 ,  한권우 ,  김고은 ,  김봉환 ,  김상균 ,  나융희 ,  박은수 ,  배진희 ,  송현지 ,  이한송 ,  홍승희

IPC: H01B3/46 ,  C08L83/08

CPC classification number: C09D1/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/0433 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01B3/303 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 수소화폴리실라잔또는수소화폴리실록사잔을포함하며, 중량평균분자량 400 이하의환형화합물의농도가 1200ppm 이하인실리카계절연층형성용조성물을제공한다. 상기실리카계절연층형성용조성물은실리카계절연층형성시 두께산포를감소시킬수 있으며, 이로써반도체제조공정시화학적연마(CMP) 공정후 막결함을줄일수 있다.

Abstract translation: 公开了一种包含氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧烷的二氧化硅基绝缘层的组合物，其中重均分子量小于400的环状化合物的浓度小于或等于1,200ppm。 用于二氧化硅基绝缘层的组合物可以在形成二氧化硅基绝缘层期间减小厚度分布，从而可以降低在半导体制造过程中化学机械抛光（CMP）之后的膜缺陷。

公开(公告)号：KR101531611B1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：KR1020120157567

申请日：2012-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김미영 ,  홍승희 ,  이한송 ,  한권우 ,  황병규 ,  곽택수 ,  김고은 ,  김봉환 ,  김상균 ,  박은수 ,  배진희 ,  송현지 ,  윤희찬 ,  임상학

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

Abstract: (a) 기판위에재료층을제공하는단계; (b) 상기재료층위에유기물로이루어진제1 레지스트하층막을형성하는단계; (c) 상기제1 레지스트하층막위에실리콘계레지스트하층막용조성물을스핀-온-코팅하여제2 레지스트하층막을형성하는단계; (d) 상기제2 레지스트하층막위에캡핑층(capping layer)을형성하는단계; (e) 상기캡핑층 위에방사선-민감성이미지화층을형성하는단계; (f) 상기방사선-민감성이미지화층을패턴방식으로방사선에노출시킴으로써상기방사선-민감성이미지화층 내에서방사선-노출된영역의패턴을생성시키는단계; (g) 상기방사선-민감성이미지화층 및상기제 2 레지스트하층막의부분을선택적으로제거하여상기제 1 레지스트하층막의부분을노출시키는단계; (h) 패턴화된제 2 레지스트하층막및 상기제 1 레지스트하층막의부분을선택적으로제거하여재료층의부분을노출시키는단계; (i) 제 1 레지스트하층막을마스크로하여재료층의노출된부분을에칭함으로써패턴화된재료형상을형성시키는단계; 및 (j) 잔존하는상기방사선-민감성이미지화층을제거하는단계를포함하는반도체집적회로디바이스의제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR1020140136232A

公开(公告)日：2014-11-28

申请号：KR1020130056498

申请日：2013-05-20

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 송현지 ,  곽택수 ,  김고은 ,  김보선 ,  나융희 ,  박은수 ,  배진희 ,  서진우 ,  윤희찬 ,  이한송 ,  임완희 ,  전종대 ,  한권우 ,  홍승희 ,  황병규

IPC: H01L21/31 ,  C04B41/87

CPC classification number: H01L21/02524 ,  H01L31/0392

Abstract: Provided is a method of forming a ceramic film which includes a step of preparing a composite for forming a ceramic film; a step of coating a substrate with the composite for forming a ceramic film; a step of firstly hardening the substrate coated with the composite for forming a ceramic film at a temperature of 100°C to 500°C under a reducing atmosphere; and a step of secondarily hardening the firstly hardened substrate at a temperature of 200°C to 3,000°C under an oxidizing atmosphere.

Abstract translation: 提供一种形成陶瓷膜的方法，其包括制备用于形成陶瓷膜的复合材料的步骤; 用用于形成陶瓷膜的复合材料涂覆基材的步骤; 首先在还原气氛下，在100℃〜500℃的温度下硬化涂覆有复合材料的基材以形成陶瓷膜的步骤; 以及在氧化气氛下，在200℃〜3000℃的温度下使第一硬化基板二次硬化的工序。

公开(公告)号：KR1020140087643A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：KR1020120158165

申请日：2012-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박은수 ,  김고은 ,  곽택수 ,  김미영 ,  김봉환 ,  나융희 ,  배진희 ,  서진우 ,  송현지 ,  윤희찬 ,  이한송 ,  임상학 ,  전종대 ,  한권우 ,  홍승희 ,  황병규

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: Provided are a silica membrane preparing method comprising a step of coating a substrate with polysilazane or polysiloxazane and pretreating the coated membrane with UV-ozone and a step of hardening the pretreated membrane at a temperature of 400-800°C and a semiconductor capacitor including a silica membrane manufactured by the manufacturing method.

Abstract translation: 提供一种二氧化硅膜制备方法，其包括用聚硅氮烷或聚硅氧氮烷涂覆基材并用UV-臭氧预处理涂覆的膜的步骤和在400-800℃的温度下硬化预处理的膜的步骤和包括 二氧化硅膜由制造方法制造。

公开(公告)号：KR1020090025664A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020070090677

申请日：2007-09-06

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 우창수 ,  성현후 ,  배진희 ,  어동선 ,  김종섭

IPC: C08G77/04 ,  C08G77/14 ,  C08L83/06

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08L83/14

Abstract: An organosilane polymer for micro gap fill of a semiconductor device is provided to remove it from the inside of hole easily by processing it with hydrofluoric acid solution, after curing. An organosilane polymer for micro gap fill of a semiconductor device comprises (1) a compound indicated as the following chemical formula 1: [RO]3Si-[CH2]n-Si[OR]3, (2) a compound indicated as the following chemical formula 2: [RO]3Si-[CH2]nX and (3) a condensation polymer of hydrolysates generated from at lease one selected from a compound indicated as the following chemical formula 3: [RO]3Si-CH3 and a compound indicated as the following chemical formula 4: [RO]3Si-H.

Abstract translation: 提供用于半导体器件的微隙填充的有机硅烷聚合物，其在固化后通过用氢氟酸溶液处理而容易地从孔的内部除去。 用于半导体器件的微间隙填充的有机硅烷聚合物包括（1）以下化学式1表示的化合物：[RO] 3Si- [CH 2] n -Si [OR] 3，（2）如下所示的化合物 化学式2：[RO] 3Si- [CH 2] n X和（3）由至少一种选自以下化学式3表示的化合物产生的水解产物的缩合聚合物：[RO] 3 Si-CH 3和表示为 以下化学式4：[RO] 3Si-H。

公开(公告)号：KR101692757B1

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：KR1020130043079

申请日：2013-04-18

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 배진희 ,  이한송 ,  임완희 ,  김고은 ,  곽택수 ,  김보선 ,  김상균 ,  나융희 ,  박은수 ,  서진우 ,  송현지 ,  조연진 ,  한권우 ,  황병규

IPC: C11D3/43 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/0206 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  C11D7/266 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40

Abstract: 하기화학식 1로표현되는용제를포함하는절연막용린스액, 상기린스액을사용한절연막의린스방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R 및 R 내지 R는명세서에서정의된바와같다.

Abstract translation: 一种用于绝缘层的冲洗液，所述漂洗液包括由以下化学式1表示的溶剂：

公开(公告)号：KR1020150135976A

公开(公告)日：2015-12-04

申请号：KR1020140063293

申请日：2014-05-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 배진희 ,  곽택수 ,  이한송 ,  조연진 ,  황병규 ,  김보선 ,  박새미 ,  박은수 ,  서진우 ,  임완희 ,  장준영 ,  한권우

IPC: C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  C09D183/04 ,  B05D1/00 ,  B05D3/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/26 ,  C08G77/54 ,  C08G77/60 ,  C09D183/02 ,  C09D183/16 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L28/90 ,  C09D183/14 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007

Abstract: 수소화폴리실라잔, 수소화폴리실록사잔, 또는이들의조합을포함하는실리카계화합물, 그리고용매를포함하는실리카계막 형성용조성물로서, 입경이 0.2 ㎛내지 1 ㎛인파티클을 10 개/㎖이하로포함하는실리카계막 형성용조성물에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及形成二氧化硅基膜的组合物，其包含：包含氢化聚硅氮烷，氢化聚硅氧烷或其组合的二氧化硅基化合物; 和溶剂，其中用于形成二氧化硅基膜的组合物包含每毫升小于或等于10个颗粒，其中颗粒的直径为0.2-1μm。