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公开(公告)号：KR1020100007322A
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020080067915
申请日：2008-07-14
Applicant: 한국전기연구원
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32761 , H01J37/34
Abstract: PURPOSE: A method and chamber for inductively coupled plasma processing for cylindrical material with three-dimensional surface is provided to apply easily the cleaning, the etching, and the depositing and ion injection process. CONSTITUTION: The outer wall(102) of the vacuum chamber(100) is grounded. The outer wall is included of the electric conductor. The artifact support unit(104) is insulated from the outer wall of the vacuum chamber. One or more cylindrical artifacts(106) installs to the processed product supporting unit. The other end of the cylindrical processed product is connected through the terminal capacitor(110) to the outer RF power source. The gas jet electrode is located in the inner side of the outer wall. The gas jet electrode surrounds the processed product.
Abstract translation: 目的：提供用于具有三维表面的圆柱形材料的感应耦合等离子体处理的方法和室，以容易地进行清洁，蚀刻和沉积和离子注入过程。 构成：真空室（100）的外壁（102）接地。 外壁包括电导体。 伪像支撑单元（104）与真空室的外壁绝缘。 将一个或多个圆柱形伪像（106）安装到经处理的产品支撑单元。 圆柱形加工产品的另一端通过端子电容器（110）连接到外部RF电源。 气体喷射电极位于外壁的内侧。 气体喷射电极围绕加工的产品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100004756A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：KR1020080065102
申请日：2008-07-04
Applicant: 한국전기연구원
CPC classification number: G03F7/70825 , G03F7/24 , G03F7/703 , G03F7/707 , G03F7/70725 , G03F7/70791 , G03F7/70816 , G03F7/70841 , G03F7/70858 , H02K7/09 , H02K16/00 , H02K21/12 , H02K41/031 , H02K2201/15 , H02K2201/18 , H02N15/00
Abstract: PURPOSE: A cylindrical magnetic levitation stage is provided to implement the integration of an apparatus through a high precision control by using magnetic levitation principle and controlling the rotation of the cylindrical substrate. CONSTITUTION: A first cylindrical substrate holder(11) and a second cylindrical substrate holder(12) are connected to both ends of a cylindrical substrate. A first permanent magnet is arranged on a first movable element(23), and a second permanent magnet is arranged on a second movable element(33). A first connector(13) interlinks the first movable element and the first cylindrical substrate holder. A second connector(14) interlinks the second movable element and the second cylindrical substrate holder.
Abstract translation: 目的：提供圆柱形磁悬浮台，通过使用磁悬浮原理和控制圆柱形基板的旋转，通过高精度控制实现设备的集成。 构成：第一圆柱形衬底保持器（11）和第二圆柱形衬底保持器（12）连接到圆柱形衬底的两端。 第一永久磁铁布置在第一可移动元件（23）上，第二永久磁铁布置在第二可移动元件（33）上。 第一连接器（13）将第一可移动元件和第一圆柱形基板支架互连。 第二连接器（14）将第二可移动元件和第二圆柱形基板支架互连。
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公开(公告)号：KR100977466B1
公开(公告)日：2010-08-23
申请号：KR1020080065102
申请日：2008-07-04
Applicant: 한국전기연구원
CPC classification number: G03F7/70825 , G03F7/24 , G03F7/703 , G03F7/707 , G03F7/70725 , G03F7/70791 , G03F7/70816 , G03F7/70841 , G03F7/70858 , H02K7/09 , H02K16/00 , H02K21/12 , H02K41/031 , H02K2201/15 , H02K2201/18 , H02N15/00
Abstract: 본 발명은 반도체 칩의 소형화와 대용량화 추세로 인한 회로 패턴의 미세화로 고정밀도의 노광장치가 요구됨에 따라 종래의 평면형 스테이지를 대신하여 대면적의 반도체 기판이나 디스플레이 패널의 기판상에 다양한 임의 형상의 미세 크기의 패턴을 생성하기 위하여 원통형 기판을 사용하는 경우에 있어서, 원통형 기판과 상기 원통형 기판에 결합된 제1영구자석 배열과 제1코일 배열의 조합 그리고 제2영구자석 배열과 제2코일 배열의 조합을 포함하도록 구성하여 상기 코일 배열들에 전류를 인가함에 따라 발생한 자기장이 대응하는 상기 영구자석 배열들의 자기장과의 상호작용에 의하여 발생하는 자기력을 제어하여 미세하게 상기 원통형 기판의 부상과 이송 그리고 회전을 가능하도록 하는 원통형 자기부상 스테이지를 제공한다.
또한, 상기 코일 배열에 열이 발생하는 것을 해소하기 위하여 상기 코일 배열이 조립된 고정자에 냉각핀으로 접촉하고, 상기 고정자의 내부에 형성된 냉각관로를 포함하는 냉매 순환 루프를 포함하는 원통형 자기부상 스테이지용 냉각장치를 제공한다.
원통형 기판, 자기부상, 자기부상 스테이지, 노광 장치-
公开(公告)号：KR1020090051429A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020070117818
申请日：2007-11-19
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/3211
Abstract: 본 발명은 RF 안테나를 이루는 도체와 절연 진공관 사이에 절연 공간을 두고 용량성 결합 전극을 나선형으로 구성하여 내장형 안테나를 구성하며, 용량성 결합 전극(Capacitive Coupling Electrode)의 일단이 접지되면 패러데이 쉴드(FS, Faraday shield)로 작동할 수 있는 유도성 결합 플라즈마의 내장형 RF 안테나 및 이를 장착한 플라즈마 챔버에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 접지와 연결되고 도체로 이루어진 외벽으로 구성되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버로부터 절연되어 그 내부에 장착되는 가공물 지지대; 상기 가공물 지지대와 연결되는 전원공급부; 상기 공정 챔버의 밀봉 장치를 통해 밀봉되어 내장되는 한 개 이상의 RF 안테나; 상기 RF 안테나는 내부에 안테나 도체가 구성되고, 이 안테나 도체와 같은 축에서 절연 공간에 의해 분리되어 안테나 도체의 외부를 나선형으로 감싸는 용량성 결합 전극이 구성되고, 상기 안테나 도체와 용량성 결합 전극을 둘러싸는 절연 진공관이 동일한 축으로 구성되며;
상기 안테나 도체의 양단에 매칭 네트워크를 통해 연결되며, 접지와도 연결되는 RF 전원공급장치; 상기 용량성 결합 전극과 연결된 스위치를 통해 연결 구성되는 CCE 전원공급장치와 접지;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버를 제공한다.
안테나, 내장형, 플라즈마, 유도성 결합, 용량형 결합, 용량형 결합 전극, 증착용 재료, 패러데이 쉴드-
公开(公告)号：KR100995700B1
公开(公告)日：2010-11-22
申请号：KR1020080067915
申请日：2008-07-14
Applicant: 한국전기연구원
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32761 , H01J37/34
Abstract: 본 발명은 3차원 표면형상을 갖는 원통형 가공물을 위한 유도 결합형 플라즈마 공정 챔버 및 방법에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 유도 결합형 플라즈마 소스의 내부 RF 안테나 역할을 하는 원통형 가공물의 일측에는 임피던스 매칭 네트워크를, 타측에는 종단 축전기를 통하여 RF 전원과 연결함으로써, 낮은 플라즈마 오염, 기판 근처의 균일한 고밀도 플라즈마를 형성, 기판으로부터 발생되는 2차전자의 구속이 가능하며, 3차원 선형 반도체 장치, 평판 또는 3차원 구조의 마이크로 및 나노 패턴을 갖는 금속, 유리, 세라믹, 고분자 기판 등에 대한 플라즈마 공정의 적용을 가능하게 하는 3차원 표면형상을 갖는 원통형 가공물을 위한 유도 결합형 플라즈마 발생 공정 챔버 및 방법에 관한 것이다.
이를 위해,
접지되어 있으며 도전체로 구성되는 진공 챔버의 외벽;
상기 진공챔버의 외벽과 절연 연결된 가공물 지지 수단;
상기 가공물 지지 수단에 장착되며, 일단은 임피던스 매칭 네트워크를 통하여, 타단은 종단 커패시터를 통하여 외부 RF 전력원과 연결되는 원통형 가공물; 및
상기 외벽의 내측에 위치하여 가공물을 둘러싸는 기체 분사 전극;
을 포함하여 구성되는 3차원 표면형상을 갖는 원통형 가공물을 위한 유도 결합형 플라즈마 발생 공정 챔버를 제공한다.
유도 결합형 플라즈마, 용량 결합형 플라즈마, 내장형 안테나, 대면적, 3차원 형상 기판, RF, 세정, 에칭, 증착, 매칭 네트워크, 공정 챔버.-
公开(公告)号：KR100931846B1
公开(公告)日：2009-12-15
申请号：KR1020070117818
申请日：2007-11-19
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 RF 안테나를 이루는 도체와 절연 진공관 사이에 절연 공간을 두고 용량성 결합 전극을 나선형으로 구성하여 내장형 안테나를 구성하며, 용량성 결합 전극(Capacitive Coupling Electrode)의 일단이 접지되면 패러데이 쉴드(FS, Faraday shield)로 작동할 수 있는 유도성 결합 플라즈마의 내장형 RF 안테나 및 이를 장착한 플라즈마 챔버에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 접지와 연결되고 도체로 이루어진 외벽으로 구성되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버로부터 절연되어 그 내부에 장착되는 가공물 지지대; 상기 가공물 지지대와 연결되는 전원공급부; 상기 공정 챔버의 밀봉 장치를 통해 밀봉되어 내장되는 한 개 이상의 RF 안테나; 상기 RF 안테나는 내부에 안테나 도체가 구성되고, 이 안테나 도체와 같은 축에서 절연 공간에 의해 분리되어 안테나 도체의 외부를 나선형으로 감싸는 용량성 결합 전극이 구성되고, 상기 안테나 도체와 용량성 결합 전극을 둘러싸는 절연 진공관이 동일한 축으로 구성되며;
상기 안테나 도체의 양단에 매칭 네트워크를 통해 연결되며, 접지와도 연결되는 RF 전원공급장치; 상기 용량성 결합 전극과 연결된 스위치를 통해 연결 구성되는 CCE 전원공급장치와 접지;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버를 제공한다.
안테나, 내장형, 플라즈마, 유도성 결합, 용량형 결합, 용량형 결합 전극, 증착용 재료, 패러데이 쉴드Abstract translation: 电容耦合电极螺旋形成在形成RF天线的导体与绝缘真空管之间的绝缘空间中以形成内部天线。当电容耦合电极的一端接地时，法拉第屏蔽（FS ，法拉第屏蔽罩）以及配备RF天线的等离子体室。
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