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公开(公告)号：KR101331053B1
公开(公告)日：2013-11-19
申请号：KR1020100043177
申请日：2010-05-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 터보부호를 이용하는 부호화 장치와 방법 및 순열치환기와 순열치환기법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일면에 따른 터보부호를 이용하는 부호화 장치는, 각각 N개의 비트로 구성된 제1 내지 제3 블록으로부터 각각 입력받은 3비트를 순환 조직형 길쌈 부호(Recursive Systematic Convolutional Codes)화하여 제1 잉여비트(parity bit)를 출력하는 제1 부호기; 상기 3비트를 순열치환(Permutation)하는 순열치환기; 순열치환된 상기 3비트를 순환 조직형 길쌈 부호화하여 제2 잉여비트를 출력하는 제2 부호기; 및 기설정된 터보부호의 부호율을 고려하여 상기 제1 잉여비트와 제2 잉여비트를 선택적으로 제거하여 상기 부호율을 조절하는 펑처링기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020030013193A
公开(公告)日：2003-02-14
申请号：KR1020010047549
申请日：2001-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03D7/00
CPC classification number: H03D7/1441 , H03D7/1408 , H03D7/1458 , H03D7/1466 , H03D7/1475
Abstract: PURPOSE: A frequency mixer using half local oscillation frequency is provided to remove an offset of a direct current voltage when using a frequency mixer at a homo heterodyne transceiver, and to half a frequency of a local oscillator needed for a high frequency heterodyne transceiver. CONSTITUTION: The first and second input terminals(IN+,IN-) receive high frequency signals as differential signals. The first mixing part(100) comprises the first and second NMOS transistors(M10,M20), which have sources connected to the first input terminal(IN+), drains connected to each other, and gates connected to receive signals(LO+,LO-) from a local oscillator. The second mixing part(200) comprises the third and fourth NMOS transistors(M30,M40), which have sources connected to the second input terminal(IN-), drains connected to each other, and gates connected to receive the signals(LO+,LO-) from the local oscillator.
Abstract translation: 目的：提供使用半本地振荡频率的混频器，以在同频外差收发器使用混频器时消除直流电压的偏移，以及高频外差收发器所需的本地振荡器的一半频率。 构成：第一和第二输入端子（IN +，IN-）接收高频信号作为差分信号。 第一混合部分（100）包括第一和第二NMOS晶体管（M10，M20），其具有连接到第一输入端（IN +）的源极，彼此连接的漏极，以及连接到接收信号（LO +，LO- ）从本地振荡器。 第二混合部分（200）包括具有连接到第二输入端子（IN-）的源极的第三和第四NMOS晶体管（M30，M40），彼此连接的漏极，以及连接以接收信号（LO +， LO-）。
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公开(公告)号：KR1020030002416A
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：KR1020010038011
申请日：2001-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
Abstract: PURPOSE: A multi-metal inductor is provided to reduce a loss of a substrate and minimize a loss of a serial resistance generated from an inductor line by controlling the width of metal wires. CONSTITUTION: The first insulating layer(20) of TEOS/BPSG is formed on a silicon substrate(10). The second insulating layer(40) having a structure of SiO2/SOG/SiO2 is formed on the first insulating layer(20). The first metal wire(30) is formed on the second insulating layer(40). A via-hole(50) is formed on the second insulating layer(40) in order to connect the second metal wire(60) for forming the first metal wire(30) and the inductor. The third insulating layer(80) having the structure of SiO2/SOG/SiO2 is formed on the second insulating layer(40). A plurality of metal layers are formed within the third insulating layer(60). The third metal wire(70) is formed on the second metal wire(60). The third metal wire(70) is protected by a protective layer(90). The third metal wire(70) is connected with the second metal wire(60) through a via hole(51).
Abstract translation: 目的：提供多金属电感以减少基板的损耗，并通过控制金属线的宽度来最小化从电感线产生的串联电阻的损失。 构成：TEOS / BPSG的第一绝缘层（20）形成在硅衬底（10）上。 在第一绝缘层（20）上形成具有SiO 2 / SOG / SiO 2结构的第二绝缘层（40）。 第一金属线（30）形成在第二绝缘层（40）上。 为了连接用于形成第一金属线（30）的第二金属线（60）和电感器，在第二绝缘层（40）上形成通孔（50）。 具有SiO 2 / SOG / SiO 2结构的第三绝缘层（80）形成在第二绝缘层（40）上。 在第三绝缘层（60）内形成多个金属层。 第三金属线（70）形成在第二金属线（60）上。 第三金属线（70）由保护层（90）保护。 第三金属线（70）通过通孔（51）与第二金属线（60）连接。
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公开(公告)号：KR1019960014674B1
公开(公告)日：1996-10-19
申请号：KR1019930029600
申请日：1993-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/18
Abstract: The forward link RF channel simulator apparatus comprises: a first and second fading means 202, 205 for outputting and fading the high output signal sent from a first and second base station 201, 204 to make an input level to be possible; a first and second fading means 203, 206 for inputting a fading control variable, and outputting and fading the signal inputted from the first and second fading means 202, 205; a routing means 207 for outputting to a plurality of mobile station by inputting the output signals from the first and second fading means 203, 206, and outputting the sending signals from each mobile station into a first and second base station 203, 204; and a control means 208 for outputting a fading control variable into the first and second fading means 203, 206.
Abstract translation: 前向链路RF信道模拟器装置包括：第一和第二衰落装置202,205，用于输出和衰落从第一和第二基站201,204发送的高输出信号，以使输入电平成为可能; 用于输入衰落控制变量的第一和第二衰落装置203,206，并且从第一和第二衰落装置202,205输入的信号输出和衰落; 路由装置207，用于通过输入来自第一和第二衰落装置203,206的输出信号向多个移动站输出，并将每个移动站的发送信号输出到第一和第二基站203,204中; 以及用于将衰减控制变量输出到第一和第二衰落装置203,206中的控制装置208。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960011110B1
公开(公告)日：1996-08-20
申请号：KR1019930029179
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K7/00
Abstract: a mixer (201) for synthesizing a base band signal and a carrier frequency; an oscillator (202) for generating the carrier frequency to a mixer (201); a phase inverter (203) for inverting the phase of the carrier frequency generated from the oscillator (202); an amplitude adjustor (204) for adjusting the amplitude of the signal from the phase inverter (203); and a signal synthesizer (205) for synthesizing an output signals of the mixer (201) and the amplitude adjustor (204).
Abstract translation: 用于合成基带信号和载波频率的混频器（201）; 用于向混频器（201）产生载波频率的振荡器（202）; 用于反转从振荡器（202）产生的载波频率的相位的相位反相器（203）。 用于调整来自所述相位逆变器（203）的信号的幅度的幅度调节器（204）; 以及用于合成混频器（201）和幅度调节器（204）的输出信号的信号合成器（205）。
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公开(公告)号：KR1019960027850A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940033094
申请日：1994-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/00
Abstract: 입력신호의 크기와 무관하게 이미 고정된 임계전압에 의하여 입력신호를 클리핑(clipping)하여 증폭함으로써 진폭에 정보를 담고있는 통신방식의 복조회로로써 활용할 수 없으며 임펄스 형태의 재밍신호를 차단하지 않고 원하는 회망신호와 재밍신호가 동시에 증폭되므로 신호대 간섭비가 작아져서 통신품질을 저하시키는 고정 진폭 제한 리미터 증폭기의 문제점을 개선하여 임펄스성 재밍이 포함된 수신신호로부터 재밍신호를 대부분 차단하고, 희망신호만 자동 이득 증폭기에 의하여 일정한 레벨로 증폭하여 출력시키는 본 발명에 의한 가변 진폭제한 리미터 증폭기에 의하여 통신 품질을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950022096A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029179
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K7/00
Abstract: 본 발명은 기존의 믹서회로에 누설 캐리어 신호를 제거하기 위한 회로를 부가적으로 삽입 시켜서 누설 캐리어를 제거할 뿐만 아니라 누설 캐리어에 의하여 발생되는 DC성분송출을 제거하여, 수신시 누설 캐리어와 DC오프셋으로 인하여 발생하는 수신 오율의 증가를 방지하도록 한 누설 캐리어 제거 변조 회로를 새로이 첨가 하였는데, 상기 누설캐리어 제거회로는 위상 반전 회로(203)와, 반전된 캐리어의 진폭 조정회로(204), 그리고 신호 합성기(205)를 구비한다. 이에 따라 본 발명은, 변조회로 구성시 믹서의 출럭으로 유출되는 캐리어 성분을 제거하고, 코우히어런트 수신기와 병행하여 사용할 때 수신 오율을 감소시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019950004010A
公开(公告)日：1995-02-17
申请号：KR1019930013968
申请日：1993-07-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F13/38
Abstract: 본 발명은 범용 실시간 OS(VRTX32) 환경의 제어보드에서 캐릭터 입출력 디바이스를 통한 PC 모니터와 캐릭터 송수신 처리 방법에 관한 것으로, 범용 실시간 OS(VRTX32) 환경에서 수행되는 프로세서 보드의 상태 파악과 PC 모니터를 통해서 프로세서 보드에 응용 프로그램의 다운로드 및 제어가 가능하게 되는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100613180B1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：KR1020010038011
申请日：2001-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
Abstract: 본 발명은 주파수 대역에서 직렬 저항 손실이 적고, 기판으로의 손실을 저감시키고, 저 잡음 증폭기나 전압제어 발진기나 정합 회로, 대역 통과 회로에 사용함에 있어 높은 충실도로 인해 낮은 잡음 지수나 원하지 않는 신호를 감쇄시키므로, 집적화되지 못한 부품들을 다른 회로들과 같이 집적화할 수 있어 높은 성능을 가지면서 가격의 부담을 낮출 수 있는 다층 금속 인덕터에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 기판 상의 제1 절연층에 형성되고 외부와 전기적으로 연결되는 제 1 금속 배선; 상기 제 1 절연층 상의 제 2 절연층에 형성되고, 상기 제 1 금속 배선과 비아 홀(Via Hole)로 연결되는 제 2 금속 배선; 및 상기 제 2 금속 배선과 동일한 형태를 가지고, 상기 제 2 금속 배선 상에 순차적으로 적층되며, 각각이 비아 홀로 연결되는 하나 이상의 금속 배선; 을 포함하고, 상기 제 2 금속 배선의 폭은 상기 하나 이상의 금속 배선의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 다층 금속 인덕터를 제공한다.
인덕터, 금속층, 배선폭, 직렬저항, 고주파 집적회로
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