Abstract:
본 발명은 서브 샘플링 클록 생성 장치 및 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일면에 따른 검출할 신호의 직교 서브 샘플링에 이용되는 서브 샘플링 클록(Sub Sampling Clock) 생성 장치는, 서브 샘플링 주파수의 N배인 제1 주파수 신호를 생성하는 주파수 생성기; 및 상기 제1 주파수 신호를 기설정된 제1 분배율로 분할하여 적어도 하나의 동상신호(In-Phase signal)를 생성하고, 상기 적어도 하나의 동상신호에 직교하는 적어도 하나의 직교신호(Quadrature signal)를 생성하며, 상기 적어도 하나의 동상신호 및 상기 적어도 하나의 직교신호를 그 위상 차를 유지하면서 기설정된 제2 분배율로 분할하여 상기 서브 샘플링 주파수에 대응하는 적어도 하나의 제1 신호 및 적어도 하나의 제2 신호를 생성하는 주파수 분배기;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
무선통신 디지털 방식 수신기가 개시된다. 디지털 수신기는 필터, 증폭기, 및 주파수 선택적 잡음 제거기를 포함하며, 아날로그 신호를 입력 신호 크기에 따라 증폭/감쇠시키며, 원하는 대역 신호 이외의 백색 잡음과 간섭 신호를 효과적으로 감쇠시키는 잡음 감쇠 및 신호 파워 매핑부를 구비한다. 또한, 수신기는, 서브 샘플링 및 오버 샘플링을 수행하여 입력되는 아날로그 신호를 DC 주파수 대역 또는 중간 주파수 대역의 디지털 신호로 변환하는 다이나믹 신호 입력 레인지를 갖는 아날로그-디지털 변환부와, 상기 디지털 신호를 처리하는 디지털 신호 처리부를 포함함에 의해, 잡음 제거 성능이 최대화 또는 개선된다.
Abstract:
본 발명은 전압제어발진기(VCO) 및 이에 사용되는 가변 커패시턴스 모듈에 대한 것이다. VCO는 입력 제어 신호(전압 또는 전류)에 대하여 어떤 주파수를 출력하는 회로이다. VCO는 인덕터와 가변 커패시터 그리고 인덕터와 커패시터에서 발생하는 손실 에너지를 보상하는 액티브 소자로 구성이 되어있다. VCO의 주파수 가변은 인덕턴스나 커패시턴스를 가변함으로써 가능하다. 일반적으로는 가변 커패시터 소자(바랙터)를 두어 제어 전압에 의해 커패시턴스가 바뀜으로써 VCO의 주파수가 바뀌도록 한다. 이때 가변 커패시터로 사용하는 소자들은 대부분 제어 전압에 대하여 주파수 가변이 선형적이지 않다. 비선형적인 주파수 가변은 결국 어떤 제어 전압 범위에서 VCO의 이득이 크게 변하는 결과를 가져온다. VCO의 이득 변화는 결국 PLL을 구성하였을 경우 전체 Loop 이득의 변화를 가져오고 출력 신호의 위상 잡음 변화를 가져온다. 이에 본 발명에서는 가변 커패시터를 제어 전압에 대하여 선형적인 주파수 가변 특성을 갖도록 설계하여 VCO의 이득이 일정하도록 하였다. 본 발명의 가변 커패시턴스 모듈은, 인가 전압축상에서 서로 다른 선형 가변 영역을 가지는 다수개의 가변 커패시턴스 소자로 이루어지며, 상기 가변 커패시턴스 소자들의 일단은 공통으로 연결되어 제어 전압이 인가되며, 상기 가변 커패시턴스 소자들의 타단은 서로 다른 고정 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다. VCO, 발진기, 가변 커패시터, 바렉터, PLL
Abstract:
본 발명은 고성능 집적형 인덕터에 관한 것으로, 실리콘 기판상에 배치되며 고저항의 폴리로 이루어지는 중심 관통 패턴형 그라운드 차폐층, 및 그라운드 차폐층 상에 배치되며 바깥쪽 금속 라인 폭에 비해서 안쪽 금속 라인 폭이 작게 형성된 나선형 금속 배선을 포함한 집적형 인덕터를 제공하며, 인덕터의 충실도와 자기 공진 주파수를 동시에 향상시킬 수 있다. 인덕터, 집적형, 평면형, 나선형, 금속 배선, 폭, patterned ground shield
Abstract:
PURPOSE: A flipflop using complementary clocking and a prescaler using the same are provided to improve the current driving capacity by using the complementary relation between an NMOS transistor and a PMOS transistor. CONSTITUTION: A first p-type transistor(mp11) is connected between a supply voltage supply unit and the first node to receive data. A second p-type transistor(mp12) is connected between the first and the second nodes to receive the first clock. A first n-type transistor(mn11) is connected between the second node and the ground to receive the data. A third p-type transistor(mp13) is connected between the supply voltage supply unit and the third node. A second n-type transistor(mn12) is connected between the third and the fourth nodes to receive the first clock. A third n-type transistor(mn13) is connected between the fourth node and the ground. A fourth p-type transistor(mp14) is connected between the supply voltage supply unit and an output terminal. A fourth n-type transistor(mn14) is connected between the output terminal and the ground to receive the second clock. A fifth n-type transistor is connected between the first and the second nodes to receive the second clock. A fifth p-type transistor is connected between the third and the fourth nodes to receive the second clock.
Abstract:
PURPOSE: A broadband high gain amplification circuit is provided to maintain a high gain and a bandwidth even though an input frequency is increased. CONSTITUTION: An amplification part(100) amplifies an input signal. An impedance control part(200) constitutes a current mirror by receiving a constant voltage(Vb1), and improves a gain of the amplification part by increasing an output impedance of the amplification part at a half power frequency where the gain of the amplification becomes a half of its peak value. The impedance control part includes an inductor(210) connected to a power supply, and a PMOS(220) having a gate connected to the constant voltage and being connected to the inductor, and a resistor(230) connected between one side of the PMOS and another side of the inductor and connected to another side of the PMOS.