公开(公告)号：KR1020120058762A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020100120197

申请日：2010-11-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  민재기 ,  김효숙

IPC: C07F9/00 ,  C07C211/65 ,  C23C16/40

CPC classification number: C07F9/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525

Abstract: PURPOSE: A tantalic compound and a method for preparing the same are provided to ensure excellent thermal stability and volatility. CONSTITUTION: A tantalic compound is denoted by chemical formula 1(R1N=Ta[O-A-NR2R3]x[R4]3-x), 2(R1N=Ta[O-CR5R6(CH2)m-NR2R3]x[R11]3-x), or 3(R1N=Ta[O-CR5R6(CH2)m-NR2R3]x[R12]3-x). The tantalic compound is Ta(NtBu)(OCMe2CH2NMe2)2Cl or Ta(NtBu)(OCMe2CH2NMe2)2Me. A method for preparing the tantanlic compounds comprises a step of reacting tantalic compounds of chemical formula 4(R1N=TaR113Py2) with metal amino alkoxide of chemical formula 5(MO-A-NR2R3).

Abstract translation: 目的：提供钽酸盐化合物及其制备方法以确保优异的热稳定性和挥发性。 构成：化学式1（R1N = Ta [OA-NR2R3] x [R4] 3-x），2（R1N = Ta [O-CR5R6（CH2）m-NR2R3] x [R11] 3 -x）或3（R1N = Ta [O-CR5R6（CH2）m-NR2R3] x [R12] 3-x）。 钽（NtBu）（OCMe2CH2NMe2）2Cl或Ta（NtBu）（OCMe2CH2NMe2）2Me的钽酸盐化合物。 制备钽酸钡化合物的方法包括使化学式4（R1N = TaR113Py2）的钽酸化合物与化学式5的金属氨基醇盐（MO-A-NR2R3）反应的步骤。

公开(公告)号：KR101255850B1

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：KR1020100094200

申请日：2010-09-29

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  정인경 ,  민재기

IPC: C07F5/00 ,  C01G15/00

Abstract: 본 발명은 변형된 글리콜레이트를 사용한 신규의 갈륨 글리콜레이트 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨 글리콜레이트 화합물에 관한 것이며, 본 발명에 따른 갈륨 글리콜레이트 화합물은 금속 산화물 박막 및 금속 산화물 나노입자 형성을 위한 전구체로 사용되며, 수분에 덜 민감하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 우수한 특성이 있다.

公开(公告)号：KR1020120032720A

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020100094200

申请日：2010-09-29

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  정인경 ,  민재기

IPC: C07F5/00 ,  C01G15/00

CPC classification number: C07F5/00 ,  C01G15/00 ,  C01P2004/64 ,  C23C16/40

Abstract: PURPOSE: A novel gallium glycolate compounds and a method for preparing the same are provided to ensure excellent thermal stability and easy storage. CONSTITUTION: A gallium glycolate compound is denoted by chemical formula 1. The gallium glycolate compound is prepared by reacting gallium compounds of chemical formula 2(GaX^1_3) and glycolate compound of chemical formulas 3(HOCOCH_2OR^3) and 4(HOCH_2COOR^3). A gallium oxide thin film is formed by MOCVD using gallium glycolate compounds as a precursor.

Abstract translation: 目的：提供新型的乙醇酸镓化合物及其制备方法，以确保优异的热稳定性和易于储存。 构成：化学式1表示乙酸羟乙酯化合物。通过使化学式2的镓化合物（GaX 3）和化学式3（HOCOCH 2 OR 3）和4（HOCH 2 COOR 3）的乙醇酸化合物 ）。 通过MOCVD，使用乙酸羟乙酯化合物作为前体形成氧化镓薄膜。