公开(公告)号：WO2013168941A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/KR2013/003910

申请日：2013-05-06

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  김효숙 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  임종선

IPC: C01F5/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/403

Abstract: 본 발명은 β-다이케토네이트와 아미노알콕사이드 리간드를 갖는 산화 마그네슘 전구체에 관한 것으로, 상기 산화 마그네슘 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及具有β-二酮酸盐和氨基 - 醇盐配体的氧化镁前体。 氧化镁前体具有良好的热稳定性和挥发性，因此可以获得改善的含氧化镁薄膜。

公开(公告)号：WO2013165221A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：PCT/KR2013/003879

申请日：2013-05-03

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  이영국 ,  박주현 ,  강성구 ,  송정인 ,  여소정 ,  정윤장 ,  공기정 ,  정석종 ,  김효숙

IPC: C07F1/08 ,  C07F3/06 ,  C07F7/22 ,  C07F7/24 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/305 ,  C07F1/005 ,  C07F3/003 ,  C07F7/003 ,  C07F7/2284 ,  C07F9/902

Abstract: 본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用氨基硫醇配体的金属前体，其中金属前体包含硫，并且具有在制造薄膜时不需要单独添加硫的优点，并且由于制备高质量的金属硫化物薄膜而形成 增强的热稳定性和挥发性。

公开(公告)号：KR1020100002842A

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：KR1020080062886

申请日：2008-06-30

Applicant: 한국화학연구원 ,  전북대학교산학협력단 ,  단국대학교 산학협력단

Inventor： 이정오 ,  장현주 ,  소혜미 ,  김주진 ,  김효숙 ,  박노정

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/45 ,  H01L51/0048

Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof are provided to maintain the characteristics of an n-type semiconductor in air for long time by using a gadolinium as a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: In a carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof, a source electrode(12) is formed on a substrate. A drain electrode(14) is formed on the substrate, and the carbon nanotube channel(18) interlinks the source electrode and the drain electrode. A part or greater of the drain electrode and source electrode is formed with a gadolinium metal. The carbon nanotube channel has the characteristics of n-type semiconductor chip.

Abstract translation: 目的：提供一种碳纳米管晶体管及其制造方法，其通过使用钆作为源电极和漏电极，将n型半导体的特性长时间地维持在空气中。 构成：在碳纳米管晶体管及其制造方法中，在基板上形成源电极（12）。 在基板上形成漏电极（14），碳纳米管通道（18）将源电极和漏电极互连。 漏电极和源电极的一部分或更多部分由钆金属形成。 碳纳米管通道具有n型半导体芯片的特性。

公开(公告)号：KR101472473B1

公开(公告)日：2014-12-12

申请号：KR1020120136556

申请日：2012-11-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  김효숙 ,  송정인 ,  정석종

IPC: C07F7/30 ,  C23C16/06

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체에 관한 것으로, 상기 게르마늄 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화게르마늄 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]

(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)

Abstract translation: 本发明涉及涉及由式（1），其中，所述的Ge前体具有的是不需要在作为含有硫和在质量硫化物的热稳定性和挥发性提高的前体产生的薄膜添加一个额外的硫的优点表示的Ge前体 可以形成锗薄膜。

公开(公告)号：KR1020130125594A

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：KR1020120049237

申请日：2012-05-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  김효숙 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  임종선

IPC: C01F5/02 ,  C01F5/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/403

Abstract: The present invention relates to a magnesium oxide precursor which is denoted by chemical formula 1. The magnesium oxide precursor is thermally stable and highly volatile to obtain a thin film which contains high quality magnesium oxide.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的氧化镁前体。氧化镁前体是热稳定且高挥发性的，以获得含有高质量氧化镁的薄膜。

公开(公告)号：KR1020140068720A

公开(公告)日：2014-06-09

申请号：KR1020120136560

申请日：2012-11-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  김효숙 ,  송정인 ,  정석종

IPC: C07F7/30 ,  C23C16/06

CPC classification number: C07F7/30 ,  C23C16/18

Abstract: The present invention relates to a germanium precursor represented by Chemical Formula 1. If the germanium precursor is a precursor which has improved thermal stability and includes chalcogen, the germanium precursor is advantageous because separated chalcogen does not have to be added during the production of a thin film so that a germanium thin film including good quality chalcogen can be produced. [Chemical Formula 1] (In Formula, A is O or S; E is S, Se, or Te; R1 and R2 are independently C1-C10 linear or branched alkyl groups; R3 and R4 are independently C1-C10 linear or branched alkyl or fluoroalkyl groups; and n is selected from the numbers between 1 and 3.).

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锗前体。如果锗前体是具有改善的热稳定性并包括硫族元素的前体，锗前体是有利的，因为在制备薄的时候不必加入分离的硫族元素 使得可以生产包括优质硫属元素的锗薄膜。 [化学式1]（式中，A为O或S; E为S，Se或Te; R 1和R 2独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基; R 3和R 4独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基 或氟代烷基; n选自1和3之间的数字）。

公开(公告)号：KR1020140068718A

公开(公告)日：2014-06-09

申请号：KR1020120136556

申请日：2012-11-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  김효숙 ,  송정인 ,  정석종

IPC: C07F7/30 ,  C23C16/06

CPC classification number: C07F7/30 ,  C23C16/305

Abstract: The present invention relates to a germanium precursor represented by Chemical Formula 1. The germanium precursor is a precursor including sulfur. The germanium precursor is advantageous because separated sulfur does not have to be added during the production of a thin film and has improved thermal stability and volatility so that a good quality germanium sulfide thin film can be produced. [Chemical Formula 1] (In Formula, R1 and R2 are independently C1-C10 linear or branched alkyl groups; R3 and R4 are independently C1-C10 linear or branched alkyl or fluoroalkyl groups; and n is selected from the numbers between 1 and 3.).

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锗前体。锗前体是包含硫的前体。 锗前体是有利的，因为在制备薄膜期间不必加入分离的硫，并且具有改善的热稳定性和挥发性，从而可以生产出优质的硫化锗薄膜。 [化学式1]（式中，R 1和R 2独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基; R 3和R 4独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基或氟代烷基; n选自1至3 ）。

公开(公告)号：KR101359518B1

公开(公告)日：2014-02-07

申请号：KR1020120049237

申请日：2012-05-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  김효숙 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  임종선

IPC: C01F5/02 ,  C01F5/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/403

Abstract: 본 발명은 하기 화학식1로 표시되는 산화 마그네슘 전구체에 관한 것으로, 상기 산화 마그네슘 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]

公开(公告)号：KR1020120058762A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020100120197

申请日：2010-11-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  민재기 ,  김효숙

IPC: C07F9/00 ,  C07C211/65 ,  C23C16/40

CPC classification number: C07F9/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525

Abstract: PURPOSE: A tantalic compound and a method for preparing the same are provided to ensure excellent thermal stability and volatility. CONSTITUTION: A tantalic compound is denoted by chemical formula 1(R1N=Ta[O-A-NR2R3]x[R4]3-x), 2(R1N=Ta[O-CR5R6(CH2)m-NR2R3]x[R11]3-x), or 3(R1N=Ta[O-CR5R6(CH2)m-NR2R3]x[R12]3-x). The tantalic compound is Ta(NtBu)(OCMe2CH2NMe2)2Cl or Ta(NtBu)(OCMe2CH2NMe2)2Me. A method for preparing the tantanlic compounds comprises a step of reacting tantalic compounds of chemical formula 4(R1N=TaR113Py2) with metal amino alkoxide of chemical formula 5(MO-A-NR2R3).

Abstract translation: 目的：提供钽酸盐化合物及其制备方法以确保优异的热稳定性和挥发性。 构成：化学式1（R1N = Ta [OA-NR2R3] x [R4] 3-x），2（R1N = Ta [O-CR5R6（CH2）m-NR2R3] x [R11] 3 -x）或3（R1N = Ta [O-CR5R6（CH2）m-NR2R3] x [R12] 3-x）。 钽（NtBu）（OCMe2CH2NMe2）2Cl或Ta（NtBu）（OCMe2CH2NMe2）2Me的钽酸盐化合物。 制备钽酸钡化合物的方法包括使化学式4（R1N = TaR113Py2）的钽酸化合物与化学式5的金属氨基醇盐（MO-A-NR2R3）反应的步骤。

公开(公告)号：KR101472472B1

公开(公告)日：2014-12-12

申请号：KR1020120136560

申请日：2012-11-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  김효숙 ,  송정인 ,  정석종

IPC: C07F7/30 ,  C23C16/06

Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는게르마늄전구체에관한것으로, 상기게르마늄전구체는열적안정성이향상되고, 칼코겐을포함하고있는전구체인경우에는박막제조중에별도의칼코겐을첨가시키지않아도되는장점이있어양질의칼코겐이포함된게르마늄박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, A는 O 또는 S이고, E는 S, Se 또는 Te이고, R1, R2는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R3, R4는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬또는플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의숫자에서선택된다.)