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公开(公告)号：EP1394825A1
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：EP02405741.6
申请日：2002-08-30
Applicant: ABB RESEARCH LTD.
Inventor： Strümpler, Ralf , Kotilainen, Sami , Fabian, Jan-Henning
IPC: H01H1/00
CPC classification number: H01H1/0036 , H01H1/24 , H01H1/38 , H01H1/52 , H01H59/0009 , H01H2001/0042 , H01H2001/0047
Abstract: Die mikro-elektromechanische (MEMS-) Kontaktanordnung beinhaltet mindestens ein erstes Kontaktstück (1) und ein zweites Kontaktstück (2), wobei mindestens eines der beiden Kontaktstücke (1;2) antreibbar ist. Die MEMS-Kontaktanordnung ist mittels des antreibbaren Kontaktstücks (1;2) zwischen einem ersten Schaltzustand (A) und mindestens einem zweiten Schaltzustand (B) schaltbar, wobei die beiden Kontaktstücke (1,2) in dem ersten Schaltzustand (A) voneinander getrennt sind und in dem zweiten Schaltzustand (B) einander kontaktierend sind. Es ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens das erste Kontaktstück (1) mindestens ein flexibles Kontaktsegment (11) und einen Kontaktsegment-Träger (12) aufweist, sowie dadurch, dass das mindestens eine flexible Kontaktsegment (11) mittels mindestens des zweiten Kontaktstücks (2) bei dem Schaltvorgang elastisch verformbar ist. Die elastische Verformbarkeit des flexiblen Kontaktsegments (11) ergibt sich aufgrund der Dünnwandigkeit des flexiblen Kontaktsegments (11). Es kann eine sichere und gute Kontaktierung erreicht werden. Grosse Kontaktflächen (5), eine vorgebbare Mehrzahl von Kontaktpunkten (5) und selbstreinigende Kontakte durch Reibung zwischen den Kontaktstücken (1,2) sind realisierbar.
Abstract translation: 微机电（MEMS）触点和微型继电器（1）可用于开关电气和电子设备。 它具有保持在其边缘的柔性膜（12）。 驱动执行器（4）在触点（B）和非接触（A）位置之间移动。 膜可以在一侧承载可接触固定触点（2,3）的柔性接触区域（11）。
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公开(公告)号：EP1320111A1
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：EP01811208.6
申请日：2001-12-11
Applicant: ABB RESEARCH LTD.
Inventor： Fuhrmann, Henning , Carlen, Martin , Strümpler, Ralf , Fabian, Jan-Henning
CPC classification number: H01H1/0094 , B82Y10/00 , H01H1/06
Abstract: A low voltage switch consisting of two contact elements has a contact material forming the contact surface and comprising nanotubes. The latter are arranged perpendicular to the substrate and are made of carbon, i.e. multiwalled carbon nanotubes are used preferentially. Upon closing of the switch, the nanotube layers of the two contact elements penetrate each other like two brushes, thereby forming many contact lines as opposed to the conventional contact points.
Abstract translation: 由两个接触元件构成的低压开关具有形成接触表面并包含纳米管的接触材料。 后者垂直于衬底设置并由碳制成，即优先使用多壁碳纳米管。 在闭合开关时，两个接触元件的纳米管层像两个电刷相互穿透，从而形成与常规接触点相反的许多接触线。
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公开(公告)号：EP2528092A1
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：EP11167810.8
申请日：2011-05-27
Applicant: ABB Research Ltd.
Inventor： Kicin, Slavo , Schulz, Nicola , Häfner, Jürgen , Liu, Chunlei , Hamidi, Amina , Fabian, Jan-Henning
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/62 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/29339 , H01L2224/30181 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2224/8384 , H01L2224/97 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: A semiconductor device (509a, b) comprises a semiconductor chip (504a, b) comprising a bottom electrode and a top electrode and a bottom electrode-baseplate (502). The bottom electrode-baseplate (502) is electrically and thermally conductive. The semiconductor device (509a, b) comprises a top electrode-baseplate (508). The top electrode-baseplate (508) is electrically and thermally conductive. The semiconductor device (509a, b) comprises a first preform (506a, b) made of material configured for supporting a creation of an electrically conductive alloy when being melted. In order to provide a semiconductor device having enhanced characteristics, the bottom electrode of the semiconductor chip (504a, b) is thermally and electrically connected to the bottom electrode-baseplate (502) via a first bonding layer (618), the top electrode of the semiconductor chip (504a, b) is thermally and electrically connected to a first side of the first preform (506a, b) via a second bonding layer (620), and the second side of the first preform (506a, b) is thermally and electrically connected to the top electrode-baseplate (508) via a third bonding layer (624).
Abstract translation: 半导体器件（509a，b）包括具有底部电极和顶部电极以及底部电极基板（502）的半导体芯片（504a，b）。 底部电极基板（502）是导电且导热的。 半导体器件（509a，b）包括顶部电极基板（508）。 顶部电极基板（508）是导电且导热的。 半导体器件（509a，b）包括由材料制成的第一预制件（506a，506b），所述第一预制件被构造成用于在熔化时支持导电合金的形成。 为了提供具有增强特性的半导体器件，半导体芯片（504a，b）的底部电极经由第一键合层（618）与底部电极基板（502）热和电连接， 半导体芯片（504a，b）经由第二结合层（620）热和电连接到第一预成型件（506a，506b）的第一侧，并且第一预成型件（506a，506b）的第二侧是热 并经由第三结合层（624）电连接到顶部电极基板（508）。
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公开(公告)号：EP1394825B1
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：EP02405741.6
申请日：2002-08-30
Applicant: ABB RESEARCH LTD.
Inventor： Strümpler, Ralf , Kotilainen, Sami , Fabian, Jan-Henning
IPC: H01H1/00
CPC classification number: H01H1/0036 , H01H1/24 , H01H1/38 , H01H1/52 , H01H59/0009 , H01H2001/0042 , H01H2001/0047
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