公开(公告)号：EP1324391B1

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：EP01811273.0

申请日：2001-12-24

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Meysenc, Luc ,  Hamidi, Amina ,  Joerg, Pieder ,  Akdag, Alper

IPC: H01L25/16 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/07 ,  H01L25/165 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP1324391A1

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：EP01811273.0

申请日：2001-12-24

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Meysenc, Luc ,  Hamidi, Amina ,  Joerg, Pieder ,  Akdag, Alper

IPC: H01L25/16 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/07 ,  H01L25/165 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The power module housing comprises two electrically insulating housing elements (1, 2) that are attached to each other. A first of said housing elements (2) comprises at least two openings (24) for electric power terminals (31, 32) and a slot-like recess (23). Between the openings (24) three insulating walls (11, 21, 22) are arranged on and perpendicular to a surface of the housing. One insulating wall (11) is part of a second of said housing elements (1) and is inserted into the recess (23) in said first housing element (2), while an at least one second of said insulating walls (21, 22) is part of the first housing element (2).
The insulating walls between the openings for the power terminals allow a compact arrangement of the terminals.

Abstract translation: 功率模块壳体包括彼此附接的两个电绝缘壳体元件（1,2）。 所述壳体元件（2）中的第一个包括用于电力端子（31,32）和槽状凹部（23）的至少两个开口（24）。 在开口（24）之间，三个绝缘壁（11,21,22）设置在壳体的表面上并垂直于壳体的表面。 一个绝缘壁（11）是所述壳体元件（1）中的第二个的一部分，并且插入所述第一壳体元件（2）中的凹部（23）中，而所述绝缘壁（21,22）中的至少一个 ）是第一个壳体元件（2）的一部分。 用于电源端子的开口之间的绝缘壁允许端子的紧凑布置。

公开(公告)号：EP1465250A1

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：EP03405223.3

申请日：2003-04-02

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Hamidi, Amina ,  Knapp, Wolfgang ,  Meysenc, Luc ,  Keser, Helmut

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00012

Abstract: A method for assembling a power semiconductor module with reduced partial discharge behavior is described. The method comprises the steps of bonding an insulating substrate (2) onto a bottom plate (11); disposing a first conductive layer (4) on a portion of said insulating substrate (2), so that at least one peripheral top region of said insulating substrate (2) remains uncovered by the first conductive layer (4); bonding a semiconductor chip (6) onto said first conductive layer (4); disposing a precursor (51) of a first insulating material (5) in a first corner (24) formed by said first conductive layer (4) and said peripheral region of said insulating substrate (2); polymerizing the precursor (51) of the first insulating material (5) to form the first insulating material (5); and covering said semiconductor chip (6), said substrate (2), said first conductive layer (4), and said first insulating material (5) at least partially with a second insulating material. According to the invention, the precursor (51) of the first insulating material is a low viscosity monomer or oligomer, which forms a polyimide when polymerizing. Also disclosed is a semiconductor module with reduced partial discharge behavior.

Abstract translation: 描述了一种用于组装具有降低的局部放电行为的功率半导体模块的方法。 所述方法包括键合步骤到一个底板绝缘基板（2）（11）; 布置在所述的部分上的第一导电层（4）绝缘性基板（2）一样，所述至少一个外围顶部区域绝缘基板（2）保持由所述第一导电层覆盖（4）; 到所述接合的半导体芯片（6）的第一导电层（4）; 通过形成在所述第一导电层中的第一角（24）上设置第一绝缘材料（5）的前体（51）（4）和所述的周边区域绝缘基板（2）; 聚合所述第一绝缘材料（5）的前体（51），以形成第一绝缘材料（5）; 并覆盖所述半导体芯片（6），所述基板（2），所述第一导体层（4），并且所述第一绝缘材料（5）至少部分地与第二绝缘材料。 。根据本发明，第一绝缘材料的前体（51）是一种低粘度单体或低聚物，其形成聚酰亚胺聚合时。 游离缺失所以盘是具有降低的局部放电行为的半导体模块。

公开(公告)号：EP1318545A1

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：EP01811189.8

申请日：2001-12-06

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Zwick, Fabian ,  Bijlenga, Bo ,  Erne, Patrick ,  Hamidi, Amina ,  Kaufmann, Stefan ,  Meysenc, Luc

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L24/72 ,  H01L23/62 ,  H01L25/072 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: Das Leistungshalbleiter-Submodul (1) umfasst zwischen zwei Hauptanschlüssen (6, 7) wenigstens zwei Halbleiterchips (21, 22), welche zwei Hauptelektroden (3, 4) umfassen, wobei auf die eine Hauptelektrode (3) durch ein Kontaktstempel (8) eine Kontaktkraft ausgeübt wird und der Halbleiterchip (21, 22) so mit der anderen Hauptelektrode (4) auf eine Grundplatte (5) gedrückt wird. Die beiden Halbleiterchips (21, 22) zwischen den beiden Hauptanschlüssen (6, 7) des Leistungshalbleiter-Submoduls sind elektrisch in Serie geschaltet.
Dadurch, dass die beiden Halbleiterchips wie bei herkömmlichen Press Pack Modulen nebeneinander auf der Grundplatte angeordnet sind, erhöht sich die Bauhöhe des erfindungsgemässen Leistungshalbleiter-Submoduls nicht. Hingegen wird durch die elektrische Serienschaltung die maximale Sperrspannung des Leistungshalbleiter-Submoduls erhöht.

Abstract translation: 该装置具有主要电极的芯片，一个由接触柱，一个在基板上的一个，连接到基板的第一连接和至少第一芯片的第一主电极，第二连接电连接到 至少第二芯片的第二主电极，其第一电极在基板上并连接到接触柱。 第一和第二芯片在连接之间串联连接。 该器件具有多个具有至少两个主电极（3,4）的半导体芯片（2,21,22），一个受到接触柱（8）的接触力，另一个搁置在基板 （5），与所述基板电连接并与至少一个第一半导体芯片的第一主电极电连接的第一主连接（7），至少电连接到第二主电极的第二主连接（6） 一个第二芯片，其第一电极在基板上并与相应的接触柱电气相互作用。 第一和第二芯片串联地电连接在第一和第二主连接之间。 AN还包括以下独立权利要求：功率半导体模块。

公开(公告)号：EP2528092A1

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：EP11167810.8

申请日：2011-05-27

Applicant: ABB Research Ltd.

Inventor： Kicin, Slavo ,  Schulz, Nicola ,  Häfner, Jürgen ,  Liu, Chunlei ,  Hamidi, Amina ,  Fabian, Jan-Henning

IPC: H01L23/62 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/62 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: A semiconductor device (509a, b) comprises a semiconductor chip (504a, b) comprising a bottom electrode and a top electrode and a bottom electrode-baseplate (502). The bottom electrode-baseplate (502) is electrically and thermally conductive. The semiconductor device (509a, b) comprises a top electrode-baseplate (508). The top electrode-baseplate (508) is electrically and thermally conductive. The semiconductor device (509a, b) comprises a first preform (506a, b) made of material configured for supporting a creation of an electrically conductive alloy when being melted. In order to provide a semiconductor device having enhanced characteristics, the bottom electrode of the semiconductor chip (504a, b) is thermally and electrically connected to the bottom electrode-baseplate (502) via a first bonding layer (618), the top electrode of the semiconductor chip (504a, b) is thermally and electrically connected to a first side of the first preform (506a, b) via a second bonding layer (620), and the second side of the first preform (506a, b) is thermally and electrically connected to the top electrode-baseplate (508) via a third bonding layer (624).

Abstract translation: 半导体器件（509a，b）包括具有底部电极和顶部电极以及底部电极基板（502）的半导体芯片（504a，b）。 底部电极基板（502）是导电且导热的。 半导体器件（509a，b）包括顶部电极基板（508）。 顶部电极基板（508）是导电且导热的。 半导体器件（509a，b）包括由材料制成的第一预制件（506a，506b），所述第一预制件被构造成用于在熔化时支持导电合金的形成。 为了提供具有增强特性的半导体器件，半导体芯片（504a，b）的底部电极经由第一键合层（618）与底部电极基板（502）热和电连接， 半导体芯片（504a，b）经由第二结合层（620）热和电连接到第一预成型件（506a，506b）的第一侧，并且第一预成型件（506a，506b）的第二侧是热 并经由第三结合层（624）电连接到顶部电极基板（508）。

公开(公告)号：EP1336990A1

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：EP02405110.4

申请日：2002-02-14

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Meysenc, Luc ,  Hamidi, Amina ,  Joerg, Pieder ,  Akdag, ALper

IPC: H01L23/04 ,  H05K5/06 ,  H05K7/14

CPC classification number: H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L23/10 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H05K5/06 ,  H05K7/1432 ,  H01L2924/00

Abstract: In einem Gehäuse für ein Hochspannungsfestes Leistungshalbleitermodul mit einem teilweise mit einem Isolationsmaterial (4) gefüllten Gehäuse, einem vom Isolationsmaterial (4) bedeckten Leistungshalbleiterbauelement (7), einem gasgefüllten Volumen (30) in einem Inneren des Gehäuses, einer an das gasgefüllte Volumen (30) grenzenden Oberfläche (5) des Isolationsmaterials, mindestens einer ersten elektrischen Zuleitung (1) und einer zweiten elektrischen Zuleitung (2), welche durch das gasgefüllte Volumen (30) und die Oberfläche (5) in das Isolationsmaterial (4) geführt sind, werden Kriechströme zwischen der ersten elektrischen Zuleitung (1) und der zweiten elektrischen Zuleitung (2) auf der Oberfläche (5) dadurch unterbunden, dass eine elektrisch isolierende Ausformung einer Gehäusewand (31, 32, 33) in einem Bereich zwischen der ersten elektrischen Zuleitung (1) und der zweiten elektrischen Zuleitung (2) in die Oberfläche (5) des Isolationsmaterials (4) eingesenkt ist.

Abstract translation: 该装置具有部分地填充有绝缘材料的壳体，由绝缘材料覆盖的功率半导体部件，由绝缘材料表面界定的充气体积，通过气体填充体积馈入绝缘材料的第一和第二供电引线 以及用于在供给引线之间的区域中延伸或消除绝缘材料表面上的泄漏路径的装置。 该装置具有部分地填充有绝缘材料（4）的壳体，由绝缘材料覆盖的功率半导体部件（7），由绝缘材料的表面（5）限定的充气体积（30），至少一个第一电 供给引线（1）和通过气体填充的体积进入绝缘材料的第二供应引线（2）和用于在绝缘材料的区域内延伸或消除绝缘材料表面上的泄漏路径的装置（34） 第一和第二供应引线凹入表面。