公开(公告)号：WO2012177380A3

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PCT/US2012040849

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM ,  THOMPSON ERIC ,  BOOTH JR ROGER A ,  LU NING ,  PUTNAM CHRISTOPHER S

Inventor： THOMPSON ERIC ,  BOOTH JR ROGER A ,  LU NING ,  PUTNAM CHRISTOPHER S

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L27/0207 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A metal capacitor structure includes a plurality of line level structures (15, 16, 25, 26) vertically interconnected with via level structures (31, 32, 33, 34, 41, 42). Each first line level structure (15 or 25) and each second line level structure (16 or 26) includes a set of parallel metal lines (11 or 21, 12 or 22) that is physically joined at an end to a rectangular tab structure (13 or 23, 14 or 24) having a rectangular horizontal cross-sectional area. A first set of parallel metal lines (11 or 21) within a first line level structure (15 or 25) and a second set of parallel metal lines (12 or 22) within a second line level structure (16 or 26) are interdigitated and parallel to each other, and can collectively form an interdigitated uniform pitch structure ((11, 12) or (21, 22)). Because the rectangular tab structures (13 or 23, 14 or 24) do not protrude toward each other within a region between two facing sidewalls of the rectangular tab structures (13 or 23, 14 or 24), sub- resolution assist features (SRAFs) can be employed to provide a uniform width and a uniform pitch throughout the entirety of the interdigitated uniform pitch structure ((11, 12) or (21, 22)).

Abstract translation: 金属电容器结构包括与通孔级结构（31,32,33,34,41,42）垂直互连的多个线路层结构（15,16,25,26）。 每个第一线路层结构（15或25）和每个第二线路层结构（16或26）包括一组平行金属线（11或21,12或22），其在端部处物理地连接到矩形突起结构（ 13或23,14或24）具有矩形水平横截面积。 在第二行级结构（16或26）内的第一行级结构（15或25）和第二组平行金属线（12或22）内的第一组平行金属线（11或21）被交叉指向， 彼此平行，并且可以共同形成叉指均匀间距结构（（11,12）或（21,22））。 因为矩形突片结构（13或23,14或24）在矩形突片结构（13或23,14或24）的两个相对的侧壁之间的区域内不会彼此突出，所以分解辅助特征（SRAF） 可以用于在整个交叉的均匀间距结构（（11,12）或（21,22））的整个上提供均匀的宽度和均匀的间距。

公开(公告)号：WO2011031512A3

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：PCT/US2010046742

申请日：2010-08-26

Applicant: IBM ,  BOOTH JR ROGER A ,  COOLBAUGH DOUGLAS D ,  ESHUN EBENEZER E ,  HE ZHONG-XIANG

Inventor： BOOTH JR ROGER A ,  COOLBAUGH DOUGLAS D ,  ESHUN EBENEZER E ,  HE ZHONG-XIANG

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/86 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An interdigitated structure may include at least one first metal line, at least one second metal line parallel to the at least one first metal line and separated from the at least one first metal line, and a third metal line contacting ends of the at least one first metal line and separated from the at least one second metal line. The at least one first metal line does not vertically contact any metal via and at least one second metal line may vertically contact at least one metal via. Multiple layers of interdigitated structure may be vertically stacked. Alternately, an interdigitated structure may include a plurality of first metal lines and a plurality of second metal lines, each metal line not vertically contacting any metal via. Multiple instances of interdigitated structure may be laterally replicated and adjoined, with or without rotation, and/or vertically stacked to form a capacitor.

Abstract translation: 叉指结构可以包括至少一个第一金属线，平行于至少一个第一金属线并与至少一个第一金属线分离的至少一个第二金属线，以及接触该至少一个第一金属线的端部的第三金属线 第一金属线并与所述至少一个第二金属线分离。 所述至少一个第一金属线不垂直接触任何金属通孔，并且至少一个第二金属线可垂直接触至少一个金属通孔。 多层交错结构可以垂直堆叠。 替代地，叉指结构可以包括多个第一金属线和多个第二金属线，每条金属线不垂直地接触任何金属通孔。 交叉结构的多个实例可以横向复制和邻接，具有或不具有旋转和/或垂直堆叠以形成电容器。

公开(公告)号：DE112010003252B4

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：DE112010003252

申请日：2010-08-04

Applicant: IBM

Inventor： KOTHANDARAMAN CHANDRASEKHARAN ,  CHENG KANGGUO ,  BOOTH JR ROGER A

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

Abstract: Struktur einer Antisicherung, die Folgendes umfasst: ein Substrat (100); eine Vielzahl paralleler leitender Rippen (104), die auf dem Substrat angeordnet sind, wobei jede der Rippen ein erstes Ende (108) und ein zweites Ende (106) aufweist; einen Isolator (120), der das erste Ende der Rippen bedeckt; einen ersten elektrischen Leiter (140), der auf dem Isolator angeordnet ist, wobei der erste elektrische Leiter durch den Isolator vom ersten Ende der Rippen elektrisch isoliert ist; und einen zweiten elektrischen Leiter (180), der mit dem zweiten Ende der Rippen elektrisch verbunden ist, wobei der Isolator eine Dicke aufweist, die ausreicht, um beim Anlegen einer vorgegebenen Spannung zwischen dem zweiten elektrischen Leiter und dem ersten elektrischen Leiter durchzubrechen und dadurch über die Rippen eine ständige elektrische Verbindung zwischen dem zweiten elektrischen Leiter und dem ersten elektrischen Leiter zu bilden.

公开(公告)号：DE112012001824T5

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE112012001824

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： THOMPSON ERIC ,  BOOTH JR ROGER A ,  LU NING ,  PUTNAM CHRISTOPHER S

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/8242

Abstract: Eine Metallkondensatorstruktur beinhaltet eine Vielzahl von Leitungsebenenstrukturen (15, 16, 25, 26), die vertikal mit Durchkontaktierungsebenenstrukturen (31, 32, 33, 34, 41, 42) verbunden sind. Jede erste Leitungsebenenstruktur (15 oder 25) und jede zweite Leitungsebenenstruktur (16 oder 26) beinhaltet einen Satz paralleler Metallleitungen (11 oder 21, 12 oder 22), der physisch an einem Ende mit einer rechteckigen Laschenstruktur (13 oder 23, 14 oder 24) verbunden ist, die eine rechteckige horizontale Querschnittsfläche aufweist. Ein erster Satz paralleler Metallleitungen (11 oder 21) innerhalb einer ersten Leitungsebenenstruktur (15 oder 25) und ein zweiter Satz paralleler Metallleitungen (12 oder 22) innerhalb einer zweiten Leitungsebenenstruktur (16 oder 26) greifen ineinander und verlaufen parallel zueinander und können gemeinsam eine ineinandergreifende, gleichmäßige Rasterabstandstruktur ((11, 12) oder (21, 22)) ausbilden. Da die rechteckigen Laschenstrukturen (13 oder 23, 14 oder 24) nicht innerhalb eines Bereichs zwischen zwei gegenüberliegenden Seitenwänden der rechteckigen Laschenstrukturen (13 oder 23, 14 oder 24) in Richtung zueinander vorstehen, können nicht auflösbare Hilfsstrukturen (SRAFs) eingesetzt werden, um eine gleichmäßige Breite und einen gleichmäßigen Rasterabstand in der gesamten ineinandergreifenden, gleichmäßigen Rasterabstandstruktur ((11, 12) oder (21, 22)) bereitzustellen.

公开(公告)号：DE112010003252T5

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE112010003252

申请日：2010-08-04

Applicant: IBM

Inventor： KOTHANDARAMAN CHANDRASEKHARAN ,  CHENG KANGGUO ,  BOOTH JR ROGER A

IPC: H01L23/62 ,  H01L21/82

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Bilden der Struktur einer Antisicherung beschrieben, die eine Vielzahl paralleler leitender Rippen umfasst, die auf einem Substrat angeordnet sind, wobei jede der Rippen ein erstes und ein zweites Ende aufweist. Ein zweiter elektrischer Leiter ist mit dem zweiten Ende der Rippen elektrisch verbunden. Ein Isolator bedeckt das erste Ende der Rippen, und ein erster elektrischer Leiter ist auf dem Isolator angeordnet. Der erste elektrische Leiter ist durch den Isolator vom ersten Ende der Rippen elektrisch isoliert. Der Isolator wird mit einer Dicke gebildet, die ausreicht, um beim Anlegen einer vorgegebenen Spannung zwischen dem zweiten elektrischen Leiter und dem ersten elektrischen Leiter durchzubrechen und dadurch über die Rippen eine ständige elektrische Verbindung zwischen dem zweiten elektrischen Leiter und dem ersten elektrischen Leiter zu bilden.

公开(公告)号：DE112010003418T5

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：DE112010003418

申请日：2010-08-26

Applicant: IBM

Inventor： BOOTH JR ROGER A ,  COOLBAUGH DOUGLAS D ,  ESHUN EBENEZER E ,  HE ZHONG-XIANG

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52

Abstract: Eine verflochtene Struktur kann mindestens eine erste Metallleitung, mindestens eine zweite Metallleitung, die parallel zu der mindestens einen ersten Metallleitung verläuft und von der mindestens einen ersten Metallleitung getrennt ist, und eine dritte Metallleitung umfassen, die mit Enden der mindestens einen ersten Metallleitung in Kontakt steht und von der mindestens einen zweiten Metallleitung getrennt ist. Die mindestens eine erste Metallleitung steht vertikal mit keiner Metalldurchkontaktierung in Kontakt, und mindestens eine zweite Metallleitung kann vertikal mit mindestens einer Metalldurchkontaktierung in Kontakt stehen. Mehrere Schichten verflochtener Strukturen können vertikal gestapelt sein. Alternativ kann eine verflochtene Struktur mehrere erste Metallleitungen und mehrere zweite Metallleitungen umfassen, wobei keine Metallleitung vertikal mit einer Metalldurchkontaktierung in Kontakt steht. Mehrere Einheiten einer verflochtenen Struktur können sich seitlich wiederholen und einander benachbart sein, mit oder ohne Drehung, und/oder vertikal gestapelt sein, um einen Kondensator zu bilden.