公开(公告)号：EP1854131A4

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：EP06849665

申请日：2006-01-12

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  GATES STEPHEN M ,  GRILL ALFRED ,  LANE MICHAEL W ,  LINIGER ERIC G ,  LIU XIAO HU ,  NGUYEN SON VAN ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  SHAW THOMAS M

IPC: H01L21/20 ,  B05C11/00 ,  B32B3/26

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249979

公开(公告)号：JP2006216541A

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：JP2006013182

申请日：2006-01-20

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： EDELSTEIN DANIEL C ,  GATES STEPHEN M ,  GRILL ALFRED ,  LANE MICHAEL ,  LIN QINGHUANG ,  MILLER ROBERT D ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  NGUYEN SON VAN

IPC: H01B3/00 ,  C23C16/42 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-k dielectric material with increased cohesive strength for use in electronic structures including interconnect and sensing structures. SOLUTION: The low-k dielectric material includes atoms of Si, C, O, and H in which a fraction of the C atoms are bonded as Si-CH 3 functional groups, and another fraction of the C atoms are bonded as Si-R-Si, wherein R is phenyl, -[CH 2 ] n -, (n is greater than or equal to 1), HC=CH, C=CH 2 , C≡C or a [S] n linkage, (n is as defined above). COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有增加的内聚强度的低k电介质材料，用于包括互连和感测结构的电子结构中。 解决方案：低k电介质材料包括Si，C，O和H的原子，其中C原子的一部分键合为Si-CH 3 S / S官能团，另一部分 的C原子键合为Si-R-Si，其中R是苯基， - （n大于或等于1） ，HC = CH，C = CH 2 ，C≡C或[S] n 键，（n如上所定义）。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：WO2007089223A3

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：PCT/US2006001154

申请日：2006-01-12

Applicant: IBM ,  DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  GATES STEPHEN M ,  GRILL ALFRED ,  LANE MICHAEL W ,  LINIGER ERIC G ,  LIU XIAO HU ,  NGUYEN SON VAN ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  SHAW THOMAS M

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  GATES STEPHEN M ,  GRILL ALFRED ,  LANE MICHAEL W ,  LINIGER ERIC G ,  LIU XIAO HU ,  NGUYEN SON VAN ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  SHAW THOMAS M

IPC: H01L21/20 ,  B05C11/00 ,  B32B3/26

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249979

Abstract: A method for forming a ultralow dielectric constant layer with controlled biaxial stress is described incorporating the steps of forming a layer containing Si, C, O and H by one of PECVD and spin-on coating and curing the film in an environment containing very low concentrations of oxygen and water each less than 10 ppm. A material is also described by using the method with a dielectric constant of not more than 2.8. The invention overcomes the problem of forming films with low biaxial stress less than 46 MPa.

Abstract translation: 描述了一种用于形成具有受控双轴应力的超低介电常数层的方法，其包括通过PECVD和旋涂涂覆之一形成含有Si，C，O和H的层并且在包含非常低浓度 的氧气和水每个小于10ppm。 还通过使用介电常数不超过2.8的方法来描述材料。 本发明克服了形成低双轴应力小于46MPa的薄膜的问题。

公开(公告)号：CA2828276A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：CA2828276

申请日：2012-03-08

Applicant: IBM

Inventor： AVOURIS PHAEDON ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  ZHU WENJUAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: A semiconductor structure which includes a substrate; a graphene layer on the substrate; a source electrode and a drain electrode on the graphene layer, the source electrode and drain electrode being spaced apart by a predetermined dimension; a nitride layer on the graphene layer between the source electrode and drain electrode; and a gate electrode on the nitride layer, wherein the nitride layer is a gate dielectric for the gate electrode.

公开(公告)号：DE102012222116A1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：DE102012222116

申请日：2012-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  FARMER DAMON B ,  GRILL ALFRED ,  LIN YU-MING ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  PFEIFFER DIRK ,  ZHU WENJUAN

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L29/16

Abstract: Auf einer Oberseite einer Graphenschicht wird eine Siliciumnitridschicht bereitgestellt, und dann wird auf einer Oberseite der Siliciumnitridschicht eine Hafniumdioxidschicht bereitgestellt. Die Siliciumnitridschicht wirkt als ein Benetzungsmittel für die Hafniumdioxidschicht und verhindert dadurch die Bildung von diskontinuierlichen Hafniumdioxidsäulen über der Graphenschicht. Die Siliciumnitridschicht und die Hafniumdioxidschicht, die zusammen ein Doppelschicht-Gate-Dielektrikum mit geringer äquivalenter Oxiddicke (EOT) bilden, weisen über der Graphenschicht eine kontinuierliche Morphologie auf.

公开(公告)号：DE112012000689T5

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：DE112012000689

申请日：2012-03-08

Applicant: IBM

Inventor： NEUMAYER DEBORAH A ,  AVOURIS PHAEDON ,  ZHU WENJUAN

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/04

Abstract: Eine Halbleiterstruktur, die ein Substrat; eine Graphenschicht auf dem Substrat; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auf der Graphenschicht beinhaltet, wobei sich die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode in einem festgelegten Abstand voneinander entfernt befinden; sowie eine Nitridschicht auf der Graphenschicht zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode; und eine Gate-Elektrode auf der Nitridschicht, wobei die Nitridschicht ein Gate-Dielektrikum für die Gate-Elektrode ist.

公开(公告)号：DE102012222116B4

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：DE102012222116

申请日：2012-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  FARMER DAMON B ,  GRILL ALFRED ,  LIN YU-MING ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  PFEIFFER DIRK ,  ZHU WENJUAN

IPC: H01L29/786 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/20 ,  H01L29/16

Abstract: Halbleiterstruktur, aufweisend: eine Graphenschicht (14), die auf einer Oberseite (12) eines Grundsubstrats (10) angeordnet ist; und ein Doppelschicht-Gate-Dielektrikum, das auf einer Oberseite (12) der Graphenschicht (14) angeordnet ist, wobei das Doppelschicht-Gate-Dielektrikum, von unten nach oben, eine Siliciumnitridschicht (16) auf der Oberseite (12) der Graphenschicht (14) bereitstellt und eine auf einer Oberseite (12) der Siliciumsnitridschicht (16) bereitgestellte HfO2-Schicht (18) einschließt, wobei die Siliciumnitridschicht (16) und die HfO2-Schicht (18) über der Oberseite (12) der Graphenschicht (14) kontinuierlich vorhanden sind.

公开(公告)号：DE112012000689B4

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE112012000689

申请日：2012-03-08

Applicant: IBM

Inventor： NEUMAYER DEBORAH A ,  AVOURIS PHAEDON ,  ZHU WENJUAN

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

Abstract: Halbleiterstruktur, aufweisend: ein Substrat; eine Graphenschicht auf dem Substrat; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auf der Graphenschicht, wobei sich die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode in einem festgelegten Abstand voneinander entfernt befinden; eine Nitridschicht auf der Graphenschicht zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode, wobei es sich bei der Nitridschicht um Hafniumnitrid oder Zirconiumnitrid handelt, wobei die Nitridschicht in direktem Kontakt mit der Graphenschicht steht; und eine Gate-Elektrode auf der Nitridschicht, wobei die Nitridschicht ein Gate-Dielektrikum für die Gate-Elektrode ist.