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    Associative memory array
    1.
    发明专利
    Associative memory array 有权
    相关记忆阵列

    公开(公告)号：JP2011048894A

    公开(公告)日：2011-03-10

    申请号：JP2010180536

    申请日：2010-08-11

    Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

    Inventor： MONTOYE ROBERT KEVIN ,  DITLOW GARY ,  JI BRIAN L ,  CHANG LELAND

    IPC: G11C15/04 ,  G11C13/00

    CPC classification number: G11C15/046 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory device used particularly for an associative memory, a method for operating the associative memory, and a system including the associative memory. SOLUTION: The memory device for storing one or a plurality of addresses includes a coincidence line and first and second memory cells forming a two-bit memory cell. Each memory cell includes two memory elements connected to the coincidence line, and a selection line connected there. The selection line provides a signal expression of logical combinations of at least two different inputs. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供特别用于关联存储器的存储器件，用于操作关联存储器的方法以及包括关联存储器的系统。 解决方案：用于存储一个或多个地址的存储器件包括一致线和形成两位存储器单元的第一和第二存储器单元。 每个存储单元包括连接到重合线的两个存储元件，以及连接在该存储单元上的选择线。 选择线提供至少两个不同输入的逻辑组合的信号表达。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    ELECTRONIC SYNAPSES FOR REINFORCEMENT LEARNING
    3.
    发明专利
    ELECTRONIC SYNAPSES FOR REINFORCEMENT LEARNING 未知

    公开(公告)号：CA2817802C

    公开(公告)日：2018-07-24

    申请号：CA2817802

    申请日：2011-10-18

    Applicant: IBM

    Inventor： MODHA DHARMENDRA SHANTILAL ,  CHANG LELAND ,  MONTOYE ROBERT KEVIN

    IPC: G06N3/063

    Abstract: Embodiments of the invention provide electronic synapse devices for reinforcement learning. An electronic synapse is configured for interconnecting a pre-synaptic electronic neuron and a post-synaptic electronic neuron. The electronic synapse comprises memory elements configured for storing a state of the electronic synapse and storing meta information for updating the state of the electronic synapse. The electronic synapse further comprises an update module configured for updating the state of the electronic synapse based on the meta information in response to an update signal for reinforcement learning. The update module is configured for updating the state of the electronic synapse based on the meta information, in response to a delayed update signal for reinforcement learning based on a learning rule.

    Enhanced data retention mode for dynamic memories
    6.
    发明专利
    Enhanced data retention mode for dynamic memories 未知

    公开(公告)号：GB2511248A

    公开(公告)日：2014-08-27

    申请号：GB201410074

    申请日：2012-11-23

    Applicant: IBM

    Inventor： REOHR WILLIAM ROBERT ,  MONTOYE ROBERT KEVIN ,  SPERLING MICHAEL

    IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4072 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4094

    Abstract: A memory device includes one or more memory cells, each of the memory cells having corresponding bit and word lines connected thereto for individually accessing the memory cells, a word line circuit coupled with at least one word line, and a bit line circuit coupled with at least one bit line. The memory device further includes at least one control circuit coupled with the bit and word line circuits. The control circuit is operative, via the bit and word line circuits, and the bit and word lines, to cause state information to be stored in the memory cells. At least one switching element selectively connects the memory cells, the bit and word line circuits, and the control circuit to at least one power supply as a function of at least one control signal. The control circuit generates the control signal, in a data retention mode, for disconnecting at least portions of the word line and bit line circuits from the power supply while state information is retained in the memory cells.

    WIDERSTANDSSPEICHEREINHEITEN MIT EINER NICHT-UND-STRUKTUR (NAND- STRUKTUR)
    9.
    发明专利
    WIDERSTANDSSPEICHEREINHEITEN MIT EINER NICHT-UND-STRUKTUR (NAND- STRUKTUR) 未知

    公开(公告)号：DE112010004647B4

    公开(公告)日：2015-09-24

    申请号：DE112010004647

    申请日：2010-10-20

    Applicant: IBM

    Inventor： FRANCESCHINI MICHELE MARTINO ,  BREITWISCH MATTHEW JOSEPH ,  DITLOW GARY ,  LASTRAS-MONTANO LUIS ,  RAJENDRAN BIPIN ,  MONTOYE ROBERT KEVIN

    IPC: G11C15/04 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

    Abstract: Speicher, der Folgendes umfasst: eine Gruppe von Widerstandsspeicherzellen (402), die Folgendes umfasst: eine Vielzahl von Widerstandsspeicherzellen (402), die untereinander in einer Reihenschaltung verbunden sind und zwei Außenenden aufweisen, wobei jede einzelne Widerstandsspeicherzelle (402) in der Gruppe Folgendes umfasst: ein Widerstandsspeicherelement (404) zum Speichern eines Widerstandswertes; und eine Speicherelement-Zugriffseinheit (406) zum Steuern des Zugriffs auf das Widerstandsspeicherelement (404), wobei die Speicherelement-Zugriffseinheit (406) in einer Parallelschaltung mit dem Widerstandsspeicherelement (404) verbunden ist; eine Gruppenzugriffseinheit (504) zum Steuern des Zugriffs auf die Widerstandsspeicherzellen (402), wobei die Gruppenzugriffseinheit (504) mit einem der Außenenden verbunden ist; und wobei der Speicher eine weitere Widerstandsspeicherzelle (204) umfasst, die mit der Gruppe von Widerstandsspeicherzellen (402) verbunden ist, wobei die weitere Widerstandsspeicherzelle (204) folgendes umfasst: ein Widerstandsspeicherelement (210) zum Speichern eines Widerstandswertes; und eine Speicherelement-Zugriffseinheit (212) zum Steuern des Zugriffs auf das Widerstandsspeicherelement (210), wobei die Speicherelement-Zugriffseinheit (212) in einer Reihenschaltung mit dem Widerstandsspeicherelement (210) verbunden ist, das zwei Außenenden aufweist und jedes Außenende mit einer Stromversorgung, einer Masse oder aber mit einer Schaltung zum Steuern einer Spannung des Außenendes verbunden ist; wobei die Widerstandsspeicherelemente (210, 404) Phasenwechsel-Speicherelemente (PCM-Elemente) sind.

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