Abstract:
Provided are chemically amplified resist compositions that include acid-labile sulfonate-ester photoresist polymers that are developable in an organic solvent. The chemically amplified resists produce high resolution positive tone development (PTD) and negative tone development (NTD) images depending on the selection of organic development solvent. Furthermore, the dissolution contrast of the traditional chemically amplified resists may be optimized for dual tone imaging through the addition of a photoresist polymer comprising an acid-labile sulfonate-ester moiety.
Abstract:
Beschichtungszusammensetzung, umfassend: ein Polymer, umfassendwobei R1 eine Silicium-enthaltende Einheit ist, R2 eine säurestabile Lactonfunktionalität ist und R3 eine säurelabile Lactonfunktionalität ist; X1, X2, X3 unabhängig H oder CH3 sind; und m, n und o von null verschiedene positive ganze Zahlen sind, die die Anzahl von Wiederholungseinheiten darstellen; und wobei die Silicium enthaltende Einheit (m) 20 bis 40 mol-Prozent, die säurestabile Lactonfunktionalität (n) 10 bis 40 mol-Prozent und die säurelabile Lactonfunktionalität (o) 20 bis 70 mol-Prozent des Polymers bildet; einen Fotosäuregenerator; und ein Lösungsmittel.
Abstract:
Beschichtungszusammensetzungen umfassen ein Polymer, umfassend (I), wobei R1 eine Silicium-enthaltende Einheit ist, R2 eine säurestabile Lactonfunktionalität ist und R3 eine säurelabile Lactonfunktionalität ist; X1, X2, X3 unabhängig H oder CH3 sind; und m und o von null verschiedene positive ganze Zahlen sind und n null oder eine positive ganze Zahl ist, die die Anzahl von Wiederholungseinheiten darstellen; einen Fotosäuregenerator; und ein Lösungsmittel. Ferner werden Verfahren zum Herstellen eines Musters in der Beschichtungszusammensetzung, welche dieses enthält, offenbart.
Abstract:
Block copolymers of polyimide and poly (phenylquinoxaline) are synthesized. They are useful as packaging materials in the electronics industry.
Abstract:
Coating compositions suitable for UV imprint lithographic applications include at least one vinyl ether crosslinker having at least two vinyl ether groups; at least one diluent comprising a monofunctional vinyl ether compound; at least one photoacid generator soluble in a selected one or both of the at least one monofunctional vinyl ether compound and the at least one vinyl ether crosslinker having the at least two vinyl ether groups; and at least one stabilizer comprising an ester compound selectively substituted with a substituent at an ester position or an alpha and the ester positions. Also disclosed are imprint processes.
Abstract:
Beschichtungszusammensetzungen, die für UV-Prägelithographie-Anwendungen geeignet sind, umfassen mindestens ein Vinylether-Vernetzungsmittel mit mindestens zwei Vinylethergruppen; mindestens ein Verdünnungsmittel, welches eine monofunktionelle Vinyletherverbindung umfasst; mindestens einen Photosäurebildner, der in einem ausgewählten oder beiden aus der mindestens einen monofunktionellen Vinyletherverbindung und dem mindestens einen Vinylether-Vernetzungsmittel mit mindestens zwei Vinylethergruppen löslich ist; und mindestens einen Stabilisator, der eine Esterverbindung umfasst, die selektiv entweder an einer Esterposition oder an einer Alphaposition und der Esterposition mit einem Substituenten substituiert ist. Es werden auch Prägeverfahren offenbart.
Abstract:
Vinylether-Resistformulierung, welche das Folgende umfasst:mindestens ein Vinylether-Vernetzungsmittel mit mindestens zwei Vinylethergruppen;mindestens ein Verdünnungsmittel, welches eine monofunktionelle Vinyletherverbindung umfasst;mindestens einen Photosäurebildner, der in einem ausgewählten oder beiden aus i) der monofunktionellen Vinyletherverbindung und ii) dem mindestens einen Vinylether-Vernetzungsmittel löslich ist; undmindestens einen Stabilisator, der eine Esterverbindung umfasst, die selektiv entweder i) an einer Esterposition oder ii) an einer Alphaposition und der Esterposition mit einem Substituenten substituiert ist, wobei die Esterverbindung die folgende Formel aufweist:wobei R1für einen Substituenten an der Alphaposition steht und R2für einen Substituenten an der Esterposition steht.
Abstract:
Coating compositions include a polymer including (I) wherein R1 is a silicon containing moiety, R2 is an acid stable lactone functionality, and R3 is an acid labile lactone functionality; X1, X2, X3 are independently H or CH3; and m and o are non-zero positive integers and n is zero or a positive integer representing the number of repeat units; a photoacid generator; and a solvent. Also disclosed are methods for forming a pattern in the coating composition containing the same.
Abstract:
Coating compositions suitable for UV imprint lithographic applications include at least one vinyl ether crosslinker having at least two vinyl ether groups; at least one diluent comprising a monofunctional vinyl ether compound; at least one photoacid generator soluble in a selected one or both of the at least one monofunctional vinyl ether compound and the at least one vinyl ether crosslinker having the at least two vinyl ether groups; and at least one stabilizer comprising an ester compound selectively substituted with a substituent at an ester position or an alpha and the ester positions. Also disclosed are imprint processes.