中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

16 records (took 0.061 seconds)

    LOW ACTIVATION ENERGY DISSOLUTION MODIFICATION AGENTS FOR PHOTORESIST APPLICATIONS
    1.
    发明申请
    LOW ACTIVATION ENERGY DISSOLUTION MODIFICATION AGENTS FOR PHOTORESIST APPLICATIONS 审中-公开
    低激活能量溶解剂用于光电子学应用的改性剂

    公开(公告)号：WO2007039346A2

    公开(公告)日：2007-04-12

    申请号：PCT/EP2006065528

    申请日：2006-08-21

    Applicant: IBM ,  IBM UK ,  ALLEN ROBERT DAVID ,  DIPIETRO RICHARD ANTHONY ,  TRUONG HOA ,  BROCK PHILLIP JOE ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM

    Inventor： ALLEN ROBERT DAVID ,  DIPIETRO RICHARD ANTHONY ,  TRUONG HOA ,  BROCK PHILLIP JOE ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM

    CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07J9/005 ,  C07J17/00 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

    Abstract: A photoresist composition including a polymer, a photoacid generator and a dissolution modification agent, a method of forming an image using the photoresist composition and the dissolution modification agent composition. The dissolution modification agent is insoluble in aqueous alkaline developer and inhibits dissolution of the polymer in the developer until acid is generated by the photoacid generator being exposed to actinic radiation, whereupon the dissolution modifying agent, at a suitable temperature, becomes soluble in the developer and allows the polymer to dissolve in the developer. The DMAs are glucosides, cholates, citrates and adamantanedicarboxylates protected with acid-labile ethoxyethyl, tetrahydrofuranyl, and angelicalactonyl groups.

    Abstract translation: 包括聚合物，光致酸产生剂和溶解改性剂的光致抗蚀剂组合物，使用光致抗蚀剂组合物形成图像的方法和溶解改性剂组合物。 溶解改性剂不溶于含水碱性显影剂中，并且抑制聚合物在显影剂中的溶解，直至酸被光致酸性发生剂暴露于光化辐射为止，因此溶解改性剂在合适的温度下变得可溶于显影剂， 允许聚合物溶解在显影剂中。 DMA是用酸不稳定的乙氧基乙基，四氢呋喃基和天竺葵酰基保护的葡糖苷，胆酸盐，柠檬酸盐和金刚烷二羧酸盐。

    Chemisch verstärkte Fotolack-Zusammensetzunig und Verfahren zu ihrer Verwendung
    5.
    发明专利
    Chemisch verstärkte Fotolack-Zusammensetzunig und Verfahren zu ihrer Verwendung 未知

    公开(公告)号：DE112010003408T5

    公开(公告)日：2012-08-30

    申请号：DE112010003408

    申请日：2010-08-03

    Applicant: IBM

    Inventor： DIPIETRO RICHARD ANTHONY ,  BROCK PHILLIP JOE ,  TRUONG HOA ,  ALLEN ROBERT DAVID

    IPC: G03F7/039

    Abstract: Fotolack-Zusammensetzungen umfassen ein Gemisch eines Phenolpolymers mit einem Copolymer auf (Meth)acrylatbasis, das frei ist von Ether-enthaltenden und/oder Carbonsäure-enthaltenden Einheiten. Das (Meth)acrylat-Copolymer umfasst ein erstes Monomer, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Alkylacrylat, einem substituierten Alkylacrylat, einem Alkyl(meth)acrylat, einem substituierten Alkylmethacrylat und Gemischen davon, und ein zweites Monomer, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Acrylat, einem (Meth)acrylat oder einem Gemisch davon mit einem säurespaltbaren Estersubstituenten; und einen Fotosäuregenerator. Es werden auch Verfahren zum Herstellen eines Fotolack-Bilds auf einem Substrat mit der Fotolack-Zusammensetzung offenbart.

    Verfahren zur gezielten Selbstorganisation mit Immersionslithographie bei 193 NM und daraus gebildete Schichtstrukturen
    6.
    发明专利
    Verfahren zur gezielten Selbstorganisation mit Immersionslithographie bei 193 NM und daraus gebildete Schichtstrukturen 未知

    公开(公告)号：DE112010004848T5

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：DE112010004848

    申请日：2010-11-26

    Applicant: IBM

    Inventor： CHENG JOY ,  HINSBERG WILLIAM ,  WALLRAFF GREGORY MICHAEL ,  SUNDBERG LINDA KARIN ,  SANDERS DANIEL PAUL ,  KIM HO-CHEOL ,  NA YOUNG-HYE ,  TRUONG HOA ,  ITO HIROSHI

    IPC: B81C1/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

    Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Schichtstruktur, die eine Struktur von Bereichen eines selbstorganisierten Materials umfasst, umfasst folgende Schritte: Aufbringen einer Fotolackschicht, die einen nicht vernetzenden Fotolack umfasst, auf ein Substrat; wahlweise Aushärten der Fotolackschicht; Belichten einzelner Strukturbereiche der Fotolackschicht mit einer ersten Strahlung; wahlweise Aushärten der belichteten Fotolackschicht; und Entwickeln der belichteten Fotolackschicht mit einem nicht alkalischen Entwickler, um eine strukturierte Negativ-Fotolackschicht zu bilden, die unvernetzten entwickelten Fotolack umfasst; wobei der entwickelte Fotolack in einem bestimmten organischen Lösemittel unlöslich ist, das zum Gießen eines bestimmten Materials geeignet ist, welches zur Selbstorganisation in der Lage ist, und wobei der entwickelte Fotolack in einem wässrigen alkalischen Entwickler und/oder in einem zweiten organischen Lösemittel löslich ist. Eine Lösung, die das bestimmte Material umfasst, welches zur Selbstorganisation in der Lage und in dem bestimmten organischen Lösemittel gelöst ist, wird auf die strukturierte Fotolackschicht gegossen und das bestimmte organische Lösemittel wird entfernt. Dem gegossenen bestimmten Material wird die Möglichkeit zur Selbstorganisation gegeben, während das gegossene bestimmte Material wahlweise erwärmt und/oder getempert wird, wodurch die Schichereichen des selbstorganisierten bestimmten Materials umfasst.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602006012076D1

    公开(公告)日：2010-03-18

    申请号：DE602006012076

    申请日：2006-08-21

    Applicant: IBM

    Inventor： ALLEN ROBERT DAVID ,  DIPIETRO RICHARD ANTHONY ,  TRUONG HOA ,  BROCK PHILLIP JOE ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM

    IPC: G03F7/004 ,  C07J9/00 ,  C07J17/00 ,  G03F7/039

    Abstract: A dissolution modification agent suitable for use in a photoresist composition including a polymer, a photoacid generator and casting solvent. The dissolution modification agent is insoluble in aqueous alkaline developer and inhibits dissolution of the polymer in the developer until acid is generated by the photoacid generator being exposed to actinic radiation, whereupon the dissolution modifying agent, at a suitable temperature, becomes soluble in the developer and allows the polymer to dissolve in the developer. The DMAs are glucosides, cholates, citrates and adamantanedicarboxylates protected with acid-labile ethoxyethyl, tetrahydrofuranyl, and angelicalactonyl groups.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT456822T

    公开(公告)日：2010-02-15

    申请号：AT06778316

    申请日：2006-08-21

    Applicant: IBM

    Inventor： ALLEN ROBERT ,  DIPIETRO RICHARD ,  TRUONG HOA ,  BROCK PHILLIP ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM

    IPC: G03F7/004 ,  C07J9/00 ,  C07J17/00 ,  G03F7/039

    Abstract: A dissolution modification agent suitable for use in a photoresist composition including a polymer, a photoacid generator and casting solvent. The dissolution modification agent is insoluble in aqueous alkaline developer and inhibits dissolution of the polymer in the developer until acid is generated by the photoacid generator being exposed to actinic radiation, whereupon the dissolution modifying agent, at a suitable temperature, becomes soluble in the developer and allows the polymer to dissolve in the developer. The DMAs are glucosides, cholates, citrates and adamantanedicarboxylates protected with acid-labile ethoxyethyl, tetrahydrofuranyl, and angelicalactonyl groups.

Patent Agency Ranking