公开(公告)号：SG11202109843RA

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：SG11202109843R

申请日：2020-03-20

Applicant: IBM

Inventor： RUBIN JOSHUA ,  HERTZBERG JARED ,  ROSENBLATT SAMI ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  BRINK MARKUS ,  KUMAR ARVIND

IPC: G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L23/532 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: On a first superconducting layer deposited on a first surface of a substrate, a first component of a resonator is pattered. On a second superconducting layer deposited on a second surface of the substrate, a second component of the resonator is patterned. The first surface and the second surface are disposed relative to each other in a non-co-planar disposition. In the substrate, a recess is created, the recess extending from the first superconducting layer to the second superconducting layer. On an inner surface of the recess, a third superconducting layer is deposited, the third superconducting layer forming a superconducting path between the first superconducting layer and the second superconducting layer. Excess material of the third superconducting layer is removed from the first surface and the second surface, forming a completed through-silicon via (TSV).

公开(公告)号：IL287255D0

公开(公告)日：2021-12-01

申请号：IL28725521

申请日：2021-10-13

Applicant: IBM ,  RUBIN JOSHUA ,  HERTZBERG JARED ,  ROSENBLATT SAMI ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  BRINK MARKUS ,  KUMAR ARVIND

Inventor： RUBIN JOSHUA ,  HERTZBERG JARED ,  ROSENBLATT SAMI ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  BRINK MARKUS ,  KUMAR ARVIND

IPC: G06N20/10 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L27/18 ,  H01L39/02 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: On a first superconducting layer deposited on a first surface of a substrate, a first component of a resonator is pattered. On a second superconducting layer deposited on a second surface of the substrate, a second component of the resonator is patterned. The first surface and the second surface are disposed relative to each other in a non-co-planar disposition. In the substrate, a recess is created, the recess extending from the first superconducting layer to the second superconducting layer. On an inner surface of the recess, a third superconducting layer is deposited, the third superconducting layer forming a superconducting path between the first superconducting layer and the second superconducting layer. Excess material of the third superconducting layer is removed from the first surface and the second surface, forming a completed through-silicon via (TSV).

公开(公告)号：GB2581311B

公开(公告)日：2021-02-17

申请号：GB202009117

申请日：2018-11-09

Applicant: IBM

Inventor： SAMI ROSENBLATT ,  JASON SCOTT ORCUTT ,  MARTIN SANDBERG ,  MARKUS BRINK ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  NICHOLAS TORLEIV BRONN

IPC: H01L25/065 ,  G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: A quantum bit (qubit) flip chip assembly may be formed when a qubit it formed on a first chip and an optically transmissive path is formed on a second chip. The two chips may be bonded. The optically transmissive path may provide optical access to the qubit on the first chip.

公开(公告)号：BR112021021816A2

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：BR112021021816

申请日：2020-03-20

Applicant: IBM

Inventor： VIVEKANANDA ADIGA ,  KUMAR ARWIND ,  HERTZBERG JARED ,  RUBIN JOSHUA ,  BRINK MARKUS ,  ROSENBLATT SAMI

IPC: H01L23/532 ,  G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: fabricação de via através de silício em dispositivos quânticos planares. em uma primeira camada supercondutora (316) depositada em uma primeira superfície de um substrato (312), um primeiro componente de um ressonador é padronizado. em uma segunda camada supercondutora (326) depositada em uma segunda superfície do substrato (312), um segundo componente do ressonador é padronizado. a primeira superfície e a segunda superfície são dispostas em relação uma à outra em uma disposição não coplanar. no substrato, um recesso é criado, o recesso se estendendo da primeira camada supercondutora para a segunda camada supercondutora. em uma superfície interna do recesso, uma terceira camada supercondutora (322) é depositada, a terceira camada supercondutora formando um caminho supercondutor entre a primeira camada supercondutora e a segunda camada supercondutora. o excesso de material da terceira camada supercondutora é removido da primeira superfície e da segunda superfície, formando um uma via através de silício (tsv) completa(320).

公开(公告)号：CA3137245A1

公开(公告)日：2020-11-05

申请号：CA3137245

申请日：2020-03-20

Applicant: IBM

Inventor： RUBIN JOSHUA ,  HERTZBERG JARED ,  ROSENBLATT SAMI ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  BRINK MARKUS ,  KUMAR ARVIND

IPC: H01L27/18 ,  H01L23/532 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: On a first superconducting layer (316) deposited on a first surface of a substrate (312), a first component of a resonator is pattered. On a second superconducting layer (326) deposited on a second surface of the substrate (312), a second component of the resonator is patterned. The first surface and the second surface are disposed relative to each other in a non-co-planar disposition. In the substrate, a recess is created, the recess extending from the first superconducting layer to the second superconducting layer. On an inner surface of the recess, a third superconducting layer (322) is deposited, the third superconducting layer forming a superconducting path between the first superconducting layer and the second superconducting layer. Excess material of the third superconducting layer is removed from the first surface and the second surface, forming a completed through-silicon via TSV (320).

公开(公告)号：BR112021021816A8

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：BR112021021816

申请日：2020-03-20

Applicant: IBM

Inventor： VIVEKANANDA ADIGA ,  KUMAR ARVIND ,  HERTZBERG JARED ,  RUBIN JOSHUA ,  BRINK MARKUS ,  ROSENBLATT SAMI

IPC: H01L23/532 ,  G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: fabricação de via através de silício em dispositivos quânticos planares. em uma primeira camada supercondutora (316) depositada em uma primeira superfície de um substrato (312), um primeiro componente de um ressonador é padronizado. em uma segunda camada supercondutora (326) depositada em uma segunda superfície do substrato (312), um segundo componente do ressonador é padronizado. a primeira superfície e a segunda superfície são dispostas em relação uma à outra em uma disposição não coplanar. no substrato, um recesso é criado, o recesso se estendendo da primeira camada supercondutora para a segunda camada supercondutora. em uma superfície interna do recesso, uma terceira camada supercondutora (322) é depositada, a terceira camada supercondutora formando um caminho supercondutor entre a primeira camada supercondutora e a segunda camada supercondutora. o excesso de material da terceira camada supercondutora é removido da primeira superfície e da segunda superfície, formando um uma via através de silício (tsv) completa(320).

公开(公告)号：AU2020265711A1

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：AU2020265711

申请日：2020-03-20

Applicant: IBM

Inventor： RUBIN JOSHUA ,  HERTZBERG JARED ,  ROSENBLATT SAMI ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  BRINK MARKUS ,  KUMAR ARWIND

IPC: H01L27/18 ,  G06N10/00 ,  H01L23/532 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: On a first superconducting layer (316) deposited on a first surface of a substrate (312), a first component of a resonator is pattered. On a second superconducting layer (326) deposited on a second surface of the substrate (312), a second component of the resonator is patterned. The first surface and the second surface are disposed relative to each other in a non-co-planar disposition. In the substrate, a recess is created, the recess extending from the first superconducting layer to the second superconducting layer. On an inner surface of the recess, a third superconducting layer (322) is deposited, the third superconducting layer forming a superconducting path between the first superconducting layer and the second superconducting layer. Excess material of the third superconducting layer is removed from the first surface and the second surface, forming a completed through-silicon via TSV (320).

公开(公告)号：GB2581311A

公开(公告)日：2020-08-12

申请号：GB202009117

申请日：2018-11-09

Applicant: IBM

Inventor： SAMI ROSENBLATT ,  JASON SCOTT ORCUTT ,  MARTIN SANDBERG ,  MARKUS BRINK ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  NICHOLAS TORLEIV BRONN

IPC: H01L25/065 ,  G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: A quantum bit (qubit) flip chip assembly is formed when a qubit is formed on a first chip and an optically transmissive path is formed on a second chip. The two chips are bonded using solder bumps. The optically transmissive path provides optical access to the qubit on the first chip.