公开(公告)号：DE102020114527A1

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE102020114527

申请日：2020-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SAX HARRY ,  GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  ROGALLI MICHAEL

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: Ein Chipgehäuse ist bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann Folgendes beinhalten: wenigstens einen Chip, ein freigelegtes Metallgebiet, eine Metallschutzschichtstruktur über dem freigelegten Metallgebiet und zum Schützen des Metallgebiets vor Oxidation eingerichtet, wobei die Schutzschichtstruktur ein niedertemperaturabgeschiedenes Oxid beinhaltet, und eine hydrothermal umgewandelte Metalloxidschicht über der Schutzschichtstruktur.

公开(公告)号：DE102019101061B4

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE102019101061

申请日：2019-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAIS NORBERT ,  MUHR VERENA ,  RIEDL EDMUND ,  SAX HARRY

IPC: C23C22/00 ,  C23C16/50

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Kontaktstruktur, wobei das Verfahren umfasst:Bilden von nukleophilen Gruppen, die an einer Metalloberfläche befestigt sind (910);Ausbilden einer organischen Schicht, die kovalent an die nukleophilen Gruppen gebunden ist,wobei die organische Schicht mindestens ein organisches Material umfasst, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus:N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilan;(3-Trimethoxysilylpropyl)diethylentriamin;Cycloamin-silan 2,2-Dimethoxy-1,6-diaza-2-silacyclooctan,Aminopropyltrimethoxysilan;(Aminoethylaminomethyl)-Phenethyltrimethoxysilan;Bis(triethoxysilylpropyl)amin;Bis(trimethoxysilylpropyl)amin;N,N'-Bis(3-(trimethoxysilyl)propyl)ethylendiamin;Bis(triethoxysilyl)ethan;3-Amino-5-mercapto-1,2,4-triazol;3-Mercaptopropyltrimethoxysilan und3-Mercaptopropyltriethoxysilan (920); undvor oder nach dem Bilden der nukleophilen Gruppen ein Ausbilden eines elektrischen Kontakts an der Metalloberfläche.

公开(公告)号：DE102021100737A1

公开(公告)日：2022-07-21

申请号：DE102021100737

申请日：2021-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CRAES FABIAN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  LOHMANN MAIK ,  SAX HARRY

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/301 ,  H01L23/29 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterpackages wird bereitgestellt. Das Verfahren kann ein Vereinzeln eines Wafers, der eine Mehrzahl von Dies, die an einem Hilfsträger befestigt sind, aufweist, aufweisen, um Dies zu erzeugen, die freigelegte Seitenflächen aufweisen, ein Bedecken von zumindest den Seitenflächen der Dies mit einer Passivierungsschicht mittels eines Ablagerungsprozesses bei einer Temperatur unterhalb der Schmelztemperatur des Hilfsträgers, wobei eine Lücke zwischen der Passivierungsschichten an den Seitenflächen benachbarter Dies der Mehrzahl von Dies erhalten bleibt.

公开(公告)号：DE102019114242A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：DE102019114242

申请日：2019-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LI WU HU ,  SCHWAB STEFAN ,  ROTH ALEXANDER ,  MUHR VERENA ,  RIEDL EDMUND ,  SAX HARRY

IPC: B05C11/00 ,  G01B11/06 ,  G01N19/04 ,  G01N21/21 ,  G01N21/55 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren (10) zum Bereitstellen von beschichteten Leadframes in einer Prozesslinie, umfassend das Bereitstellen einer Vielzahl von Leadframes und das sukzessive Zuführen derselben in eine Prozesslinie (11), das Abscheiden einer Schicht auf einer Hauptfläche der Leadframes (12), das Messen physikalischer Eigenschaften der Schicht durch eines von einer Ellipsometrie oder einer Reflektometrie und das Zuordnen von gemessenen physikalischen Daten zu einer von einer Anzahl von Kategorien (13), und abhängig von einer resultierenden Kategorie der gemessenen physikalischen Daten, entweder Ändern von Prozessparametern des Abscheidungsprozesses, oder Nicht Ändern der Prozessparameter des Abscheidungsprozesses, oder Abschalten der Prozesslinie (14).

公开(公告)号：DE102019101061A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102019101061

申请日：2019-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAIS NORBERT ,  MUHR VERENA ,  RIEDL EDMUND ,  SAX HARRY

IPC: C23C22/00 ,  C23C16/50

Abstract: Es ist ein Verfahren zum Ausbilden einer Schichtstruktur bereitgestellt. Das Verfahren kann eine Plasmabehandlung einer Metalloberfläche mit einem wasserstoffhaltigen Plasma umfassen, wodurch nukleophile Gruppen über der Metalloberfläche entstehen, und ein Ausbilden einer organischen Schicht über der Metalloberfläche, wobei die organische Schicht Silan umfasst oder daraus besteht und kovalent an die nukleophilen Gruppen gebunden ist.