公开(公告)号：DE102020102876A1

公开(公告)日：2021-08-05

申请号：DE102020102876

申请日：2020-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTTO FREDERIK ,  FRANK PAUL

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/485 ,  H05K13/04

Abstract: Elektronisches Bauelement (10) mit einem Halbleiterdie (1), einem Schichtstapel (2.1), der auf dem Halbleiterdie (1) angeordnet ist und eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweist, wobei der Schichtstapel (2.1) eine Schutzschicht (2.11), die eine äußerste funktionelle Schicht des Schichtstapels (2.1) ist, und eine Opferschicht (2.2) aufweist, die auf der Schutzschicht (2.11) angeordnet ist, wobei die Opferschicht (2.2) ein Material aufweist, das sich bei einer Temperatur zwischen 100° und 400°C zersetzt oder flüchtig wird.

公开(公告)号：DE102014115770B4

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102014115770

申请日：2014-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK PAUL ,  JÜRSS MICHAEL ,  CHIONG YONG TAY ,  HEINRICH ALEXANDER

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: Verfahren zur Verbindung eines Substrats, wobei das Substrat ein Wafer ist und eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche umfasst, umfassend: Bilden mindestens eines Vorsprungs auf der ersten Hauptfläche des Substrats, aufweisend ein Bilden einer Struktur, die eine Mehrzahl von Wänden aufweist, auf der ersten Hauptfläche des Substrats, wobei die Mehrzahl von Wänden mindestens eine Vertiefung dazwischen definiert und wobei die Wände in Schnittregionen des Substrats gebildet werden; Bilden eines Fixiermittels über der ersten Hauptfläche des Substrats und über dem mindestens einen Vorsprung; Trennen des Substrats in einzelne Chips vor dem Anordnen des Substrats auf einem Träger; und Anordnen des Substrats auf dem Träger, wobei der mindestens eine Vorsprung eine Oberfläche des Trägers berührt und so ausgelegt ist, dass er die erste Hauptfläche des Substrats in einem Abstand zu einer Berührungsfläche des Trägers hält, der einer Höhe des Vorsprungs entspricht, um dadurch einen Raum zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und dem Träger zu bilden; wobei während des Anordnens des Substrats auf dem Träger wenigstens ein Teil des über dem mindestens einen Vorsprung ausgebildeten Fixiermittels in den Raum zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und dem Träger verdrängt wird.

公开(公告)号：DE102016117826A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE102016117826

申请日：2016-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK PAUL ,  SEIFERT JOACHIM ,  SCHMIDT TOBIAS ,  GRAETZ ERIC ,  ADEMA GRETCHEN ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  EHMANN MICHAEL ,  ROBL WERNER ,  BERTAUD THOMAS ,  KARLOVSKY KAMIL ,  WOEHLERT STEFAN ,  WAGNER FRANK ERIC

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Es werden eine elektronische Vorrichtung, ein die elektronische Vorrichtung umfassendes Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung dieser gezeigt. Die elektronische Vorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und einen auf dem Halbleitersubstrat angeordneten Metallstapel, wobei der Metallstapel eine erste Schicht umfasst, wobei die erste Schicht NiSi umfasst.

公开(公告)号：DE102014115770A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014115770

申请日：2014-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK PAUL ,  JÜRSS MICHAEL ,  CHIONG YONG TAY ,  HEINRICH ALEXANDER

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Verbindung eines Substrats bereitgestellt, wobei das Substrat eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche umfassen kann. Das Verfahren kann das Bilden mindestens eines Vorsprungs auf der ersten Hauptfläche des Substrats; Bilden eines Fixiermittels über der ersten Hauptfläche des Substrats und über dem mindestens einen Vorsprung und Anordnen des Substrats auf einem Träger umfassen. Der mindestens eine Vorsprung kann eine Oberfläche des Trägers berühren und so ausgelegt sein, dass er die erste Hauptfläche des Substrats in einem Abstand zur Berührungsfläche des Trägers hält, der einer Höhe des Vorsprungs entspricht, um dadurch einen Raum zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und dem Träger zu bilden. Während des Anordnens des Substrats auf dem Träger kann wenigstens ein Teil des über dem mindestens einen Vorsprung ausgebildeten Fixiermittels in den Raum zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und dem Träger verdrängt werden.