公开(公告)号：DE102016104788A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Metallstruktur, die elektrisch mit einem Halbleiterkörper verbunden ist. Eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur ist zwischen der Metallstruktur und dem Halbleiterkörper. Die Metalladhäsions- und Barrierestruktur umfasst eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist.

公开(公告)号：DE102016104788B4

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleitervorrichtung (100, 200, 300), die aufweist:eine Metallstruktur (105, 205, 305), die elektrisch mit einem Halbleiterkörper (106, 206, 306) verbunden ist,eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur (107, 207, 307) zwischen der Metallstruktur (105, 205, 305) und dem Halbleiterkörper (106, 206, 306), wobei die Metalladhäsions- und Barrierestruktur (107, 207, 307) eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, umfasst, sowie eine Wolframschicht auf der Titan, Wolfram und Stickstoff aufweisenden Schicht.