公开(公告)号：DE102015208133B3

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：DE102015208133

申请日：2015-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MANGER DIRK ,  TEGEN STEFAN ,  PRIBIL ANDREAS ,  HOFFMANN FRANK ,  PROBST MARC

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/331 ,  H01L27/06 ,  H01L29/737

Abstract: Verfahren (10) zur Herstellung eines Bipolartransistors (100), wobei das Verfahren (10) Folgendes umfasst: Bereitstellen (12) eines Substrats (102) eines ersten leitfähigen Typs und eines Schichtstapels (104), der auf dem Substrat (102) angeordnet ist, worin der Schichtstapel (104) eine erste Isolationsschicht (106), die auf einem Oberflächengebiet (108) des Substrats (102) angeordnet ist, eine Opferschicht (110), die auf der ersten Isolationsschicht (106) angeordnet ist, und eine zweite Isolationsschicht (112), die auf der Opferschicht (110) angeordnet ist, umfasst, worin der Schichtstapel (104) ein Fenster (114) umfasst, das in dem Schichtstapel (104) durch die zweite Isolationsschicht (112), die Opferschicht (110) und die erste Isolationsschicht (106) bis zum Oberflächengebiet (108) des Substrats (102) ausgebildet ist; Bereitstellen (14) einer Kollektorschicht (130) des ersten halbleitfähigen Typs auf dem Substrat (102) innerhalb vom Fenster (114) des Schichtstapels (104); Bereitstellen (16) einer Basisschicht (132) eines zweiten halbleitfähigen Typs auf der Kollektorschicht innerhalb vom Fenster (114) des Schichtstapels (104); Bereitstellen (18) einer Emitterschicht (152) oder eines Emitterschichtstapels (150) auf der Basisschicht (132) innerhalb vom Fenster (114) des Schichtstapels (104), sodass ein Überfüllen des Fensters (114) des Schichtstapels (104) erreicht wird, worin der Emitterschichtstapel (150) die Emitterschicht (152) und eine Abdeckschicht (154) umfasst, worin die Emitterschicht (152) vom ersten halbleitfähigen Typ ist; und selektives Entfernen (20) der Emitterschicht (152) oder des Emitterschichtstapels zumindest bis zur zweiten Isolationsschicht (112).

公开(公告)号：DE102012022829B4

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：DE102012022829

申请日：2012-11-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER BORIS ,  HELM TORSTEN ,  KAUTZSCH THORALF ,  KOLB STEFAN ,  PROBST MARC ,  RUDOLPH UWE

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01J5/00 ,  G01L9/06

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, aufweisend:Ausbilden mehrerer erster Gräben (102) in einem Halbleitersubstrat (100),Ausbilden von mindestens einem zweiten Graben (104) in dem Halbleitersubstrat (100),derartiges Anwenden eines Migrationsprozesses, dass das Halbleitermaterial, das sich zwischen den ersten Gräben (100) befindet, derart migriert, dass sich eine fortlaufende Halbleiterschicht (112) und ein fortlaufender Hohlraum (111) ausbilden, wobei die fortlaufende Halbleiterschicht (112) im Wesentlichen parallel zu einer Hauptfläche des Halbleitersubstrats (100) verläuft und von dem darunterliegenden Teil des Halbleitersubstrats (100) in einer Richtung, die senkrecht zu der Hauptfläche (100a) verläuft, durch den fortlaufenden Hohlraum (111) getrennt ist, wobei der fortlaufende Hohlraum (111) mit mindestens einer ersten Öffnung (114) in der Halbleitersubstratoberfläche (100a) verbunden ist, wobei sich die erste Öffnung (114) nach dem Migrationsprozess aus dem zweiten Graben (104) ausbildet,Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht (116) zum Füllen von mindestens einem oberen Abschnitt der mindestens einen ersten Öffnung (114), während der Hohlraum (111) ungefüllt bleibt,Entfernen von Abschnitten der fortlaufenden Halbleiterschicht (112) zum Ausbilden von mindestens einer zweiten Öffnung (118), die die Halbleitersubstratoberfläche (100a) mit einem ungefüllten Bereich des Hohlraums (111) verbindet,und Füllen von mindestens einem oberen Abschnitt der mindestens einen zweiten Öffnung (118) mit einer zweiten dielektrischen Schicht (120), so dass der Hohlraum (111) versiegelt ist.

公开(公告)号：DE102013100636B4

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE102013100636

申请日：2013-01-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELM TORSTEN ,  PROBST MARC ,  RUDOLPH UWE

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/74

Abstract: Halbleiterbauelement mit Kontaktstruktur, umfassend:einen ersten Trench (10), der in einem Halbleitermaterial (1) angeordnet ist, wobei der erste Trench (10) einen verbreiterten Trenchteil (32) und einen erstreckten Trenchteil (51) aufweist,wobei der verbreiterte Trenchteil (32) an eine Oberfläche (2) des Halbleitermaterials (1) angrenzt und der erstreckte Trenchteil (51) sich von dem verbreiterten Trenchteil (32) aus in einer Tiefenrichtung des Halbleitermaterials (1) erstreckt und eine Breite des erstreckten Trenchteils (51), gemessen in einer Ebene parallel zu der Oberfläche (2) des Halbleitermaterials (1), kleiner ist als eine größte Breite des verbreiterten Trenchteils (32),wobei eine Seitenwand des verbreiterten Trenchteils (32) gekrümmt ist, so dass eine Breite des verbreiterten Trenchteils (32) zum erstreckten Trenchteil (51) hin abnimmt, jede Breite in einer Ebene parallel zu einer Oberfläche (2) des Halbleitermaterials (1) gemessen ist und jede Breite einen Abstand zwischen Innenflächen von verbleibenden Halbleitermaterialteilen oder zwischen Außenflächen einer in dem ersten Trench (10) angeordneten Füllung (14) oder zwischen einer Innenfläche eines verbleibenden Halbleitermaterialteiles und einer Außenfläche einer in dem ersten Trench (10) angeordneten Füllung (14) angibt,wobei die Kontaktstruktur eine auf der Seitenwand des ersten Trenches angeordnete Isolationsschicht (12) sowie eine leitende Füllung (14) im ersten Trench (10) aufweist.

公开(公告)号：DE102013100636A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：DE102013100636

申请日：2013-01-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELM TORSTEN ,  PROBST MARC ,  RUDOLPH UWE

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/74

Abstract: Eine integrierte Schaltung umfasst einen ersten Trench (10), der in einem Halbleitermaterial (1) angeordnet ist, wobei eine Breite des ersten Trenches (10) in einem oberen Teil des ersten Trenches (10) benachbart zu einer Oberfläche (2) des Halbleitermaterials (1) kleiner ist als eine Breite des ersten Trenches (10) in einem unteren Teil des ersten Trenches (10), wobei der untere Teil innerhalb des Halbleitermaterials (1) angeordnet ist, jede Breite in einer Ebene parallel zu einer Oberfläche (2) des Halbleitermaterials (1) gemessen ist und jede Breite einen Abstand zwischen Innenflächen von verbleibenden Halbleitermaterialteilen oder zwischen Außenflächen einer in dem ersten Trench (10) angeordneten Füllung oder zwischen einer Innenfläche eines verbleibenden Halbleitermaterialteils und einer Außenfläche einer in dem ersten Trench (10) angeordneten Füllung bezeichnet.

公开(公告)号：DE102012022829A1

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：DE102012022829

申请日：2012-11-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER BORIS ,  HELM TORSTEN ,  KAUTZSCH THORALF ,  KOLB STEFAN ,  PROBST MARC ,  RUDOLPH UWE

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01J5/00 ,  G01L9/06

Abstract: In einem Aspekt weist ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur die Ausbildung mehrerer erster Gräben und mindestens eines zweiten Grabens in dem Halbleitersubstrat auf. Ein Migrationsprozess wird derart angewendet, dass die ersten Gräben auf eine fortlaufende Halbleiterschicht übertragen werden, die im Wesentlichen parallel zu einer Hauptfläche des Halbleitersubstrats verläuft und von dem darunterliegenden Teil des Substrats in einer Richtung, die senkrecht zu der Hauptfläche verläuft, durch einen fortlaufenden Hohlraum getrennt ist, wobei der fortlaufende Hohlraum mit mindestens einer ersten Öffnung in der Substratfläche verbunden ist, die durch den mindestens einen zweiten Graben ausgebildet ist. Eine erste dielektrische Schicht wird zum Füllen von mindestens einem oberen Abschnitt der mindestens einen ersten Öffnung ausgebildet, während der Hohlraum im Wesentlichen ungefüllt bleibt. Dann werden Abschnitte der fortlaufenden Halbleiterschicht zum Ausbilden von mindestens einer zweiten Öffnung entfernt, die die Substratoberfläche mit dem Hohlraum verbindet. Dann werden mindestens obere Abschnitte der mindestens einen zweiten Öffnung mit einer zweiten dielektrischen Schicht gefüllt, sodass der Hohlraum versiegelt ist.