公开(公告)号：DE102011087845B4

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：DE102011087845

申请日：2011-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERTRAMS THOMAS ,  PRIBIL ANDREAS ,  LANDGRAF ERHARD ,  FEICK HENNING ,  DAHL CLAUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/266 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Transistorbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100); ein in dem Halbleiterkörper (100) angeordnetes aktives Transistorgebiet (110); ein das aktive Transistorgebiet in dem Halbleiterkörper (100) ringförmig umgebendes Isolationsgebiet (120); eine Sourcezone (11), eine Drainzone (12), eine Bodyzone (13) und eine Driftzone (14) in dem aktiven Transistorgebiet (110), wobei die Sourcezone (11) und die Drainzone (12) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind und die Bodyzone (13) zwischen der Sourcezone (11) und der Driftzone (14) und die Driftzone (14) zwischen der Bodyzone (13) und der Drainzone angeordnet ist; eine Gate- und Feldelektrode (20), wobei die Gate- und Feldelektrode (20) oberhalb des aktiven Transistorgebiets (110) angeordnet ist, das Isolationsgebiet (120) wenigstens im Bereich der Drainzone (12) überlappt, gegenüber dem aktiven Transistorgebiet (100) durch eine Dielektrikumsschicht (30) isoliert ist, die im Bereich der Bodyzone (13) eine erste Dicke (d1) und im Bereich der Driftzone (14) abschnittsweise eine zweite Dicke (d2), die größer als die erste Dicke (d1) ist, aufweist und wobei die Gate- und Feldelektrode (20) eine erste Kontaktöffnung (21) oberhalb der Drainzone (12) aufweist; und eine Drainelektrode (41), die die Drainzone (12) durch die erste Kontaktöffnung (21) kontaktiert.

公开(公告)号：DE102011087845A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102011087845

申请日：2011-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANDGRAF ERHARD ,  FEICK HENNING ,  BERTRAMS THOMAS ,  PRIBIL ANDREAS ,  DAHL CLAUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06

Abstract: Beschrieben werden eine Transistorbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Ein Ausführungsbeispiel des Transistorbauelements umfasst: einen Halbleiterkörper (100); ein in dem Halbleiterkörper (100) angeordnetes aktives Transistorgebiet (110); ein das aktive Transistorgebiet in dem Halbleiterkörper (100) ringförmig umgebendes Isolationsgebiet (120); eine Sourcezone (11), eine Drainzone (12), eine Bodyzone (13) und eine Driftzone (14) in dem aktiven Transistorgebiet (110), wobei die Sourcezone (11) und die Drainzone (12) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind und die Bodyzone (13) zwischen der Sourcezone (11) und der Driftzone (14) und die Driftzone (14) zwischen der Bodyzone (13) und der Drainzone angeordnet ist; eine Gate- und Feldelektrode (20), wobei die Gate- und Feldelektrode (20) oberhalb des aktiven Transistorgebiets (110) angeordnet ist, das Isolationsgebiet (120) wenigstens im Bereich der Drainzone (12) überlappt, gegenüber dem aktiven Transistorgebiet (100) durch eine Dielektrikumsschicht (30) isoliert ist, die im Bereich der Bodyzone (13) eine erste Dicke (d1) und im Bereich der Driftzone (14) abschnittsweise eine zweite Dicke (d2), die größer als die erste Dicke (d1) ist, aufweist und wobei die Gate- und Feldelektrode (20) eine erste Kontaktöffnung oberhalb der Drainzone (12) aufweist; und eine Drainelektrode (42), die die Drainzone (12) durch die zweite Kontaktöffnung (24) kontaktiert.

公开(公告)号：DE102011122906A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：DE102011122906

申请日：2011-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PRIBIL ANDREAS ,  DAHL CLAUS ,  FEICK HENNING ,  BERTRAMS THOMAS ,  LANDGRAF ERHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06

Abstract: Beschrieben werden eine Transistorbauelement und ein Verfahren zur Herstellung einer Dielektrikumsschicht. Ein Ausführungsbeispiel des Transistorbauelements umfasst: einen Halbleiterkörper (100); ein in dem Halbleiterkörper (100) angeordnetes aktives Transistorgebiet (110); ein das aktive Transistorgebiet in dem Halbleiterkörper (100) ringförmig umgebendes Isolationsgebiet (120); eine Sourcezone (11), eine Drainzone (12), eine Bodyzone (13) und eine Driftzone (14) in dem aktiven Transistorgebiet (110), wobei die Sourcezone (11) und die Drainzone (12) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind und die Bodyzone (13) zwischen der Sourcezone (11) und der Driftzone (14) und die Driftzone (14) zwischen der Bodyzone (13) und der Drainzone angeordnet ist; eine Gate- und Feldelektrode (20), wobei die Gate- und Feldelektrode (20) oberhalb des aktiven Transistorgebiets (110) angeordnet ist und gegenüber dem aktiven Transistorgebiet (100) durch eine Dielektrikumsschicht (30) isoliert ist, die im Bereich der Bodyzone (13) eine erste Dicke (d1) und im Bereich der Driftzone (14) abschnittsweise eine zweite Dicke (d2), die größer als die erste Dicke (d1) ist, aufweist und wobei die Dielektrikumsschicht (30) einen Übergangsbereich (33) aufweist, in dem die Dicke von der ersten Dicke (d1) zu der zweiten Dicke (d2) zunimmt und in dem die Dielektrikumsschicht (30) wenigstens abschnittsweise unter einem Winkel kleiner als 90° gegenüber einer Seite (101) des Halbleiterkörper geneigt ist.

公开(公告)号：DE102011122988B3

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102011122988

申请日：2011-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANDGRAF ERHARD ,  FEICK HENNING ,  BERTRAMS THOMAS ,  PRIBIL ANDREAS ,  DAHL CLAUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/266 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100);ein in dem Halbleiterkörper (100) angeordnetes aktives Transistorgebiet (110);ein das aktive Transistorgebiet in dem Halbleiterkörper (100) ringförmig umgebendes Isolationsgebiet (120);eine Sourcezone (11), eine Drainzone (12), eine Bodyzone (13) und eine Driftzone (14) in dem aktiven Transistorgebiet (110), wobei die Sourcezone (11) und die Drainzone (12) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind und die Bodyzone (13) zwischen der Sourcezone (11) und der Driftzone (14) und die Driftzone (14) zwischen der Bodyzone (13) und der Drainzone angeordnet ist;eine Gate- und Feldelektrode (20), wobei die Gate- und Feldelektrode (20) oberhalb des aktiven Transistorgebiets (110) angeordnet ist und gegenüber dem aktiven Transistorgebiet (100) durch eine Dielektrikumsschicht (30) isoliert ist, die im Bereich der Bodyzone (13) eine erste Dicke (d1) und im Bereich der Driftzone (14) abschnittsweise eine zweite Dicke (d2), die größer als die erste Dicke (d1) ist, aufweist, und wobei die Dielektrikumsschicht (30) einen Übergangsbereich (33) aufweist, in dem die Dicke von der ersten Dicke (d1) zu der zweiten Dicke (d2) zunimmt und in dem die Dielektrikumsschicht (30) wenigstens abschnittsweise unter einem Winkel kleiner als 90° gegenüber einer Seite (101) des Halbleiterkörper geneigt ist; undeinen Abschnitt der Driftzone (14), in dem eine effektive Dotierungskonzentration der Driftzone (14) in Richtung der Drainzone (12) kontinuierlich zunimmt oder abnimmt.

公开(公告)号：DE102015208133B3

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：DE102015208133

申请日：2015-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MANGER DIRK ,  TEGEN STEFAN ,  PRIBIL ANDREAS ,  HOFFMANN FRANK ,  PROBST MARC

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/331 ,  H01L27/06 ,  H01L29/737

Abstract: Verfahren (10) zur Herstellung eines Bipolartransistors (100), wobei das Verfahren (10) Folgendes umfasst: Bereitstellen (12) eines Substrats (102) eines ersten leitfähigen Typs und eines Schichtstapels (104), der auf dem Substrat (102) angeordnet ist, worin der Schichtstapel (104) eine erste Isolationsschicht (106), die auf einem Oberflächengebiet (108) des Substrats (102) angeordnet ist, eine Opferschicht (110), die auf der ersten Isolationsschicht (106) angeordnet ist, und eine zweite Isolationsschicht (112), die auf der Opferschicht (110) angeordnet ist, umfasst, worin der Schichtstapel (104) ein Fenster (114) umfasst, das in dem Schichtstapel (104) durch die zweite Isolationsschicht (112), die Opferschicht (110) und die erste Isolationsschicht (106) bis zum Oberflächengebiet (108) des Substrats (102) ausgebildet ist; Bereitstellen (14) einer Kollektorschicht (130) des ersten halbleitfähigen Typs auf dem Substrat (102) innerhalb vom Fenster (114) des Schichtstapels (104); Bereitstellen (16) einer Basisschicht (132) eines zweiten halbleitfähigen Typs auf der Kollektorschicht innerhalb vom Fenster (114) des Schichtstapels (104); Bereitstellen (18) einer Emitterschicht (152) oder eines Emitterschichtstapels (150) auf der Basisschicht (132) innerhalb vom Fenster (114) des Schichtstapels (104), sodass ein Überfüllen des Fensters (114) des Schichtstapels (104) erreicht wird, worin der Emitterschichtstapel (150) die Emitterschicht (152) und eine Abdeckschicht (154) umfasst, worin die Emitterschicht (152) vom ersten halbleitfähigen Typ ist; und selektives Entfernen (20) der Emitterschicht (152) oder des Emitterschichtstapels zumindest bis zur zweiten Isolationsschicht (112).