公开(公告)号：JP2006295181A

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：JP2006107761

申请日：2006-04-10

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テヒノロギーズ アーゲーInfineon TechnologiesAG

Inventor： STORBECK OLAF ,  HAHN JENS ,  SCHMIDBAUER SVEN ,  FAUL JUERGEN ,  JAKUBOWSKI FRANK ,  SCHUSTER THOMAS

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4925

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a semiconductor device configured by a gate dielectric layer and an impurity semiconductor formed so as to achieve a small gate leak current or at least a suitable gate leak current. SOLUTION: The manufacturing method of a semiconductor includes a step of providing a substrate, a step of forming a dielectric layer on the substrate, a step of growing an amorphous semiconductor layer on the dielectric layer, a step of doping impurity in the amorphous semiconductor layer, and a step of forming a crystallized layer from the amorphous semiconductor by performing a high-temperature process on the amorphous layer. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种形成由栅介质层和杂质半导体构成的半导体器件的方法，其形成为实现小的漏极电流或至少合适的栅极漏电流。 解决方案：半导体的制造方法包括提供衬底的步骤，在衬底上形成电介质层的步骤，在电介质层上生长非晶半导体层的步骤，将掺杂杂质的步骤 非晶半导体层，以及通过对非晶层进行高温处理从非晶半导体形成结晶化层的工序。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：WO02089190A3

公开(公告)日：2003-01-09

申请号：PCT/DE0201321

申请日：2002-04-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  MATTSON THERMAL PRODUCTS GMBH ,  FRIGGE STEFFEN ,  KEGEL WILHELM ,  SACHSE JENS-UWE ,  STADTMUELLER MICHAEL ,  HAYN REGINA ,  ROTERS GEORG ,  SCHOER ERWIN ,  STORBECK OLAF

Inventor： FRIGGE STEFFEN ,  KEGEL WILHELM ,  SACHSE JENS-UWE ,  STADTMUELLER MICHAEL ,  HAYN REGINA ,  ROTERS GEORG ,  SCHOER ERWIN ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/28061

Abstract: In selective oxidation of gate structures known per se, which contain a polycrystalline silicon layer and a tungsten layer, tungsten oxide evaporation is prevented or at least substantially reduced by means of a special process control, whereby the gate structure is exposed to a non-aqueous inert gas containing hydrogen before and optionally after a treatment step with a hydrogen/water mixture.

Abstract translation: 在包括多晶硅层和钨层是通过特殊工艺控制防止Wolframoxidausdampfung栅极结构的已知的选择性氧化，或至少大大降低。 与氢/水混合物中的处理步骤之后含有之前和任选该非水惰性气体，具有氢的栅极结构，采取行动。

公开(公告)号：DE102018122979A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018122979

申请日：2018-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  EHRENTRAUT GEORG ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  GOESCHL KLAUS ,  HEINRICI MARKUS ,  HUTZLER MICHAEL ,  KOELL WOLFGANG ,  KRIVEC STEFAN ,  NEUMANN INGMAR ,  PLAPPERT MATHIAS ,  ROESNER MICHAEL ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einem Aspekt ist ein Verfahren zum Bilden einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet ein Anordnen einer Siliciumstruktur in einer Plasmaätzprozesskammer und beinhaltet Anwenden eines Plasmas auf die Siliciumstruktur in der Plasmaätzprozesskammer bei einer Temperatur der Siliciumstruktur gleich oder unterhalb von 100 °C. Das Plasma beinhaltet eine Komponente und ein Halogenderivat, wodurch die Silicium-Isolator-Schicht gebildet wird. Die Silicium-Isolator-Schicht beinhaltet Silicium und die Komponente. Bei einem anderen Aspekt ist eine Halbleitervorrichtung mit einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt, die durch das Verfahren gebildet ist.

公开(公告)号：DE102018122109A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102018122109

申请日：2018-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUENLE MATTHIAS ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  ILLEMANN CHRISTIAN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  STORBECK OLAF

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: Ein CDV-Reaktor (100), einschließlich einer Abscheidungskammer (110), die einen ersten Suszeptor (121a) und einen zweiten Suszeptor (121b) aufnimmt, wobei der erste Suszeptor (121a) eine Kavität zur Aufnahme eines ersten Substrats (101a) aufweist, das erste Substrat (101a) eine Vorderfläche (102a) und eine Rückfläche (103a) aufweist, der zweite Suszeptor (121b) eine Kavität zur Aufnahme eines zweiten Substrats (101b) aufweist, das zweite Substrat (101b) eine Vorderfläche (102b) und eine Rückfläche (103b) aufweist und der erste Suszeptor (121a) und der zweite Suszeptor (121b) angeordnet sind, so dass die Vorderfläche (102a) des ersten Substrats (101a) gegenüberliegend von der Vorderfläche (102b) des zweiten Substrats (101b) ist, wodurch ein Abschnitt eines Gasstromkanals ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102015109842A1

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE102015109842

申请日：2015-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERTRAMS THOMAS ,  FEICK HENNING ,  KAEMMER KERSTIN ,  SCHMEIDE MATTHIAS ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/085 ,  H01L27/112

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten eines Trägers (102) enthalten: Dotieren eines Trägers (102) mit Fluor, so dass eine erste Oberflächenregion des Trägers (102) fluordotiert ist und eine zweite Oberflächenregion des Trägers (102) frei von der Fluordotierung und/oder weniger fluordotiert als die erste Oberflächenregion ist; und Oxidieren des Trägers (102) um eine erste Gateoxidschicht (104a) von der ersten Oberflächenregion des Trägers (102) mit einer ersten Dicke und gleichzeitig von der zweiten Oberflächenregion des Trägers (102) mit einer zweiten Dicke, die sich von der ersten Dicke unterscheidet, zu wachsen.

公开(公告)号：DE102004007409A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：DE102004007409

申请日：2004-02-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAUPT MORITZ ,  FOERSTER MATTHIAS ,  KEGEL WILHELM ,  STADTMUELLER MICHAEL ,  DIETEL ANDREAS ,  STORBECK OLAF ,  GEIDL JOCHEN

IPC: H01L21/763 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242

Abstract: Semiconductor structure manufacturing method has the following steps: provision of a semiconductor substrate (1) with a trench (5) and deposition of a filling layer (10b) of doped silicon to fill the trench and cover the surrounding structure using an over-conforming separation method that has an over-conforming separation rate due to a dosing concentration gradient. This ensures that the trench is at least partially filled from the bottom to the top.

公开(公告)号：DE10143074A1

公开(公告)日：2003-03-27

申请号：DE10143074

申请日：2001-09-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  FRAUNHOFER GES FORSCHUNG

Inventor： TRUNK RALPH ,  SCHNEIDER CLAUS ,  PFITZNER LOTHAR ,  STORBECK OLAF

IPC: G01N15/06

Abstract: A loading/unloading chamber (9) includes a probe (1) with an opening for removing a gas sample from the chamber. A controller (5) is connected to a robot arm (2) in the chamber, for moving the probe to a desired position in the chamber. A particle detector (4) connected to the controller counts the contaminants in the sample. An Independent claim is also included for a method of determining contaminants density.

公开(公告)号：DE50211205D1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：DE50211205

申请日：2002-04-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  MATTSON THERMAL PRODUCTS GMBH

Inventor： FRIGGE STEFFEN ,  KEGEL WILHELM ,  SACHSE JENS-UWE ,  STADTMUELLER MICHAEL ,  HAYN REGINA ,  ROTERS GEORG ,  SCHOER ERWIN ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: During a selective oxidation of gate structures that includes a polycrystalline silicon layer and a tungsten layer, which is known per se, a vapor deposition of tungsten oxide is prevented or at least greatly reduced by a special process. The gate structure is acted on by a hydrogen-containing, nonaqueous inert gas before and, if appropriate, after a treatment step with a hydrogen/water mixture.

公开(公告)号：DE102005024855A8

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：DE102005024855

申请日：2005-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JAKSCHIK STEFAN ,  AVELLAN ALEJANDRO ,  SCHROEDER UWE ,  ORTH ANDREAS ,  GOLDBACH MATTHIAS ,  STORBECK OLAF ,  STADTMUELLER MICHAEL ,  HECHT THOMAS

IPC: H01L21/8242

Abstract: Memory and method for fabricating it A memory formed as an integrated circuit in a semiconductor substrate and having storage capacitors and switching transistors. The storage capacitors are formed in the semiconductor substrate in a trench and have an outer electrode layer, which is formed around the trench, a dielectric intermediate layer, which is embodied on the trench wall, and an inner electrode layer, with which the trench is essentially filled, and the switching transistors are formed in the semiconductor substrate in a surface region and have a first source/drain doping region, a second source/drain doping region and an intervening channel, which is separated from a gate electrode by an insulator layer.

公开(公告)号：DE102004007409B4

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：DE102004007409

申请日：2004-02-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAUPT MORITZ ,  FOERSTER MATTHIAS ,  KEGEL WILHELM ,  STADTMUELLER MICHAEL ,  DIETEL ANDREAS ,  STORBECK OLAF ,  GEIDL JOCHEN

IPC: H01L21/763 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242