公开(公告)号：DE102018132237B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE102018132237

申请日：2018-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRANDENBURG JENS ,  CAR DIANA ,  HUMBEL OLIVER ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  KREMP SEBASTIAN ,  KURZMANN THOMAS ,  LERCHER ERWIN ,  RUETHING HOLGER

IPC: H10D62/10 ,  H10D12/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D30/67

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), das Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109);- ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist;- ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert;- eine Isolationsschicht (15), die auf der Vorderseite (10-1) angeordnet ist, wobei ein lateraler Rand (151) der Isolationsschicht (15) wenigstens ein Kontaktloch (H) definiert, wobei das Kontaktloch (H) mit einer Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) gefüllt ist, die sich in Kontakt mit einem dotierten Halbleitergebiet (1711) des Halbleiterkörpers (10) befindet; und- eine Hartpassivierungsschicht (18), die auf eine solche Weise auf der Vorderseite (10-1) in wenigstens einem Teil des Randabschlussgebiets (17) angeordnet ist, dass sich die Hartpassivierungsschicht (18) nicht oberhalb des lateralen Randes (151) der Isolationsschicht (15) erstreckt, wobei die Hartpassivierungsschicht (18) die Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) zumindest teilweise bedeckt.

公开(公告)号：DE102018132237A1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102018132237

申请日：2018-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRANDENBURG JENS ,  CAR DIANA ,  HUMBEL OLIVER ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  KREMP SEBASTIAN ,  KURZMANN THOMAS ,  LERCHER ERWIN ,  RUETHING HOLGER

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), die eine Leistungshalbleitertransistorkonfiguration aufweist, die Folgendes umfasst: einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109); ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist; und ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert. Das Randabschlussgebiet (17) umfasst auf der Vorderseite (10-1) ein Schutzgebiet (172), das keinerlei metallische Strukturen umfasst, außer die metallische Struktur ist elektrisch von unten durch eine Polysiliciumschicht (178) abgeschirmt, die sich um eine laterale Entfernung (d5) von wenigstens 20 µm weiter zu dem lateralen Chiprand (109) als die metallische Struktur erstreckt. Das Schutzgebiet (172) ist in einem sperrenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) dazu konfiguriert, eine Spannungsänderung von wenigstens 90 % einer Sperrspannung innerhalb des Halbleiterkörpers in einer lateralen Richtung von dem aktiven Gebiet (16) zu dem lateralen Chiprand (109) hin aufzunehmen..

公开(公告)号：DE102021118992A1

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE102021118992

申请日：2021-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NAPETSCHNIG EVELYN ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  RUPP THOMAS ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  BRANDENBURG JENS ,  ZISCHANG JULIA ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung (100). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält eine Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine direkt auf der Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102) angeordnete Dielektrikumsschichtstruktur (104). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält überdies eine zumindest teilweise direkt auf der Dielektrikumsschichtstruktur (104) angeordnete Bondingpad-Metallschichtstruktur (106). Eine Schichtdicke (td) der Dielektrikumsschichtstruktur (104) reicht von 1% bis 30% einer Schichtdicke (tw) der Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102). Die Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102) und die Bondingpad-Metallschichtstruktur (106) sind durch Öffnungen (108) in der Dielektrikumsschichtstruktur (104) elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102016120301A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE102016120301

申请日：2016-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BRANDENBURG JENS ,  BAUER JOSEF-GEORG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der an einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12) der Leistungshalbleitervorrichtung (1) gekoppelt ist und ein Driftgebiet (100) umfasst, wobei das Driftgebiet (100) Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; ein aktives Gebiet (16), das wenigstens eine Leistungszelle (14) aufweist, die sich wenigstens teilweise in den Halbleiterkörper (10) erstreckt und die mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist und die einen Abschnitt des Driftgebiets (100) umfasst, wobei die wenigstens eine Leistungszelle (14) konfiguriert ist, einen Laststrom zwischen den Anschlüssen (11, 12) zu leiten und eine zwischen den Anschlüssen (11, 12) angelegte Sperrspannung zu sperren; einen Rand (19), der den Halbleiterkörper (10) seitlich abschließt; und eine inaktive Abschlussstruktur (18), die zwischen dem Rand (19) und dem aktiven Gebiet (16) angeordnet ist. Die Abschlussstruktur (18) umfasst Folgendes: wenigstens ein dotiertes Halbleitergebiet (181, 182, 183), das in dem Halbleiterkörper (10) implementiert ist; eine Leiterstruktur (189), die an einem Isolatorblock (188) angebracht ist, der über einer Oberfläche (10-1) des Halbleiterkörpers (10) angeordnet ist; und einen ohmschen Weg (187), der die Leiterstruktur (189) mit einem elektrischen Potential des ersten Lastanschlusses (11) elektrisch koppelt, wobei der ohmsche Weg (187) über der Oberfläche (10-1) angeordnet ist.