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    Leistungshalbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
    2.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102018132237B4

    公开(公告)日：2025-02-06

    申请号：DE102018132237

    申请日：2018-12-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRANDENBURG JENS ,  CAR DIANA ,  HUMBEL OLIVER ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  KREMP SEBASTIAN ,  KURZMANN THOMAS ,  LERCHER ERWIN ,  RUETHING HOLGER

    IPC: H10D62/10 ,  H10D12/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D30/67

    Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), das Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109);- ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist;- ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert;- eine Isolationsschicht (15), die auf der Vorderseite (10-1) angeordnet ist, wobei ein lateraler Rand (151) der Isolationsschicht (15) wenigstens ein Kontaktloch (H) definiert, wobei das Kontaktloch (H) mit einer Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) gefüllt ist, die sich in Kontakt mit einem dotierten Halbleitergebiet (1711) des Halbleiterkörpers (10) befindet; und- eine Hartpassivierungsschicht (18), die auf eine solche Weise auf der Vorderseite (10-1) in wenigstens einem Teil des Randabschlussgebiets (17) angeordnet ist, dass sich die Hartpassivierungsschicht (18) nicht oberhalb des lateralen Randes (151) der Isolationsschicht (15) erstreckt, wobei die Hartpassivierungsschicht (18) die Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) zumindest teilweise bedeckt.

    HALBLEITERBAUELEMENT
    4.
    发明专利
    HALBLEITERBAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102017116574A1

    公开(公告)日：2019-01-24

    申请号：DE102017116574

    申请日：2017-07-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  HUMBEL OLIVER ,  KARLOVSKY KAMIL ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MILLONIG HANS ,  PLAPPERT MATHIAS ,  PRELLER FALKO ,  UNTERMOSER HEINZ

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst Bilden einer Bondpadmaterialschicht mit einer Reliefoberfläche, die eine Vertiefung zwischen Erhöhungen umfasst. Das Verfahren umfasst Abscheiden eines Hartmaterials in der Vertiefung. Ferner umfasst das Verfahren Abscheiden einer homogenen Schicht auf einer an den Erhöhungen durch die Bondpadmaterialschicht und an der Vertiefung durch das Hartmaterial gebildeten Abscheidungsfläche. Ein Halbleiter-Die einen aktiven Bereich, der eine Schaltungsstrukturschicht mit einer Reliefkontur, die einer anderen Materialschicht oben auf der Strukturschicht zugekehrt ist, umfasst. Die Reliefkontur umfasst eine Vertiefung zwischen Erhöhungen. Ein Grund der Vertiefung ist durch ein Hartmaterial bedeckt.

    Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren
    6.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren 未知

    公开(公告)号：DE102019122888B4

    公开(公告)日：2024-09-26

    申请号：DE102019122888

    申请日：2019-08-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FUERGUT EDWARD ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  PINDL STEPHAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L23/29 ,  H01L21/31

    Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:- einen Halbleiterkörper (10), der eine Vorderseitenoberfläche (10-1) aufweist; und- eine erste Passivierungsschicht (15-1), die oberhalb der Vorderseitenoberfläche (10-1) angeordnet ist, wobei die erste Passivierungsschicht (15-1) eine polykristalline Diamantschicht ist; wobei- die polykristalline Diamantschicht (15-1) Kristalle mit einem Durchmesser von wenigstens 10 nm umfasst;- die polykristalline Diamantschicht (15-1) eine Wärmeleitfähigkeit von wenigstens 1200 W/(K m) aufweist;- die polykristalline Diamantschicht (15-1) wenigstens teilweise oberhalb einer Randabschlussstruktur (13) der Leistungshalbleitervorrichtung (1) angeordnet ist;- eine zweite Passivierungsschicht (15-2) zwischen der ersten Passivierungsschicht (15-1) und der Vorderseitenoberfläche (10-1) angeordnet ist; wobei die zweite Passivierungsschicht (15-2) wenigstens eines der folgenden Materialien umfasst: Oxid, amorpher Kohlenstoff, amorphes Silicium, amorphes Siliciumcarbid, Nitrid; und wobei.- eine dritte Passivierungsschicht (15-3) oberhalb der polykristallinen Diamantschicht (15-1) angeordnet ist, wobei die dritte Passivierungsschicht (15-3) eine Polyimidschicht, eine Oxidschicht und/oder eine Nitridschicht umfasst.

    Leistungshalbleitervorrichtung
    7.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102018132237A1

    公开(公告)日：2020-06-18

    申请号：DE102018132237

    申请日：2018-12-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRANDENBURG JENS ,  CAR DIANA ,  HUMBEL OLIVER ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  KREMP SEBASTIAN ,  KURZMANN THOMAS ,  LERCHER ERWIN ,  RUETHING HOLGER

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

    Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), die eine Leistungshalbleitertransistorkonfiguration aufweist, die Folgendes umfasst: einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109); ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist; und ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert. Das Randabschlussgebiet (17) umfasst auf der Vorderseite (10-1) ein Schutzgebiet (172), das keinerlei metallische Strukturen umfasst, außer die metallische Struktur ist elektrisch von unten durch eine Polysiliciumschicht (178) abgeschirmt, die sich um eine laterale Entfernung (d5) von wenigstens 20 µm weiter zu dem lateralen Chiprand (109) als die metallische Struktur erstreckt. Das Schutzgebiet (172) ist in einem sperrenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) dazu konfiguriert, eine Spannungsänderung von wenigstens 90 % einer Sperrspannung innerhalb des Halbleiterkörpers in einer lateralen Richtung von dem aktiven Gebiet (16) zu dem lateralen Chiprand (109) hin aufzunehmen..

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