公开(公告)号：DE102004063946A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：DE102004063946

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN ,  OSTERMANN THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/762 ,  G11C29/00 ,  H01L23/58 ,  H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: A transistor has a cell array with two or more transistor cells, a temperature sensor, which is integrated in the cell array or is adjacent to the cell array, and an isolation structure. The isolation structure isolates the temperature sensor from the cell array, and has an isolation trench, which is arranged between the cell array and the temperature sensor. The distance between the temperature sensor and the active transistor cell that is closest to the temperature sensor corresponds approximately to the pitch between active transistor cells within the cell array.

公开(公告)号：DE10228771B4

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：DE10228771

申请日：2002-06-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DETZEL THOMAS ,  LANZERSTORFER SVEN ,  SCHOENHERR HELMUT ,  SKRABL SILKE

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L23/52

公开(公告)号：DE10063443B4

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：DE10063443

申请日：2000-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANZERSTORFER SVEN ,  MAIER HUBERT

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: A field-effect-controllable semiconductor component and a method for fabricating an electrode of the component includes a semiconductor body having a first zone of a first conduction type, a second zone of a second conduction type disposed above the first zone, and at least one trench extending into the semiconductor body in a vertical direction through the second zone, applying a first insulation layer at least in a region of the second zone in the trench, applying a first layer of electrode material to the semiconductor body, applying an intermediate layer to the first layer, applying a second layer of electrode material to the intermediate layer, removing a portion of the second layer and of the intermediate layer to leave the intermediate layer and the second layer at least partly in the trench, and patterning the first layer.

公开(公告)号：DE10228771A1

公开(公告)日：2004-01-15

申请号：DE10228771

申请日：2002-06-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DETZEL THOMAS ,  LANZERSTORFER SVEN ,  SCHOENHERR HELMUT ,  SKRABL SILKE

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

Abstract: Process for filling holes and planarizing between metal strips (1) during the manufacture of integrated semiconductor circuits comprises depositing a filler layer (2) between the metal strips using a high density plasma oxide deposition process in a thickness so that the filler layer fills the holes between the metal strips lying on one level, depositing an undoped dielectric layer (3) on the filler layer, and anisotropically back-etching the dielectric layer to reach a final thickness of the filler layer and the dielectric layer. An independent claim is also included for an integrated semiconductor circuit produced by the above process.

公开(公告)号：DE102015118144B4

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：DE102015118144

申请日：2015-10-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAYER ALEXANDER ,  LANZERSTORFER SVEN

IPC: H01L23/58 ,  G01R31/28 ,  H01L23/525

Abstract: Eine Halbleiterkomponente wird hier beschrieben. Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfasst die Halbleiterkomponente einen Halbleiterkörper, der zumindest teilweise mit Dotierstoffen eines ersten Dotierstofftyps dotiert ist, sowie eine Wannenregion (well region), die in dem Halbleiterkörper eingebettet ist. Die Wannenregion ist mit Dotierstoffen eines zweiten Dotierstofftyps dotiert. Die Halbleiterkomponente umfasst des Weiteren eine Laser-Fuse, die in einer ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, welche über der Wannenregion auf dem Halbleiterkörper angeordnet und von der Wannenregion elektrisch isoliert ist. Eine Leckagedetektionsschaltung ist elektrisch mit der Wannenregion gekoppelt und dazu ausgebildet, basierend auf dem elektrischen Potential der Wannenregion Leckströme zwischen zumindest einem der Folgenden zu detektieren: der Wannenregion und der Laser-Fuse, und der Wannenregion und dem Halbleiterkörper.

公开(公告)号：DE102004024885A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：DE102004024885

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANZERSTORFER SVEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/01 ,  H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102015118144A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：DE102015118144

申请日：2015-10-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAYER ALEXANDER ,  LANZERSTORFER SVEN

IPC: H01L23/58 ,  G01R31/28 ,  H01L23/525

Abstract: Eine Halbleiterkomponente wird hier beschrieben. Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfasst die Halbleiterkomponente einen Halbleiterkörper, der zumindest teilweise mit Dotierstoffen eines ersten Dotierstofftyps dotiert ist, sowie eine Wannenregion (well region), die in dem Halbleiterkörper eingebettet ist. Die Wannenregion ist mit Dotierstoffen eines zweiten Dotierstofftyps dotiert. Die Halbleiterkomponente umfasst des Weiteren eine Laser-Fuse, die in einer ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, welche über der Wannenregion auf dem Halbleiterkörper angeordnet und von der Wannenregion elektrisch isoliert ist. Eine Leckagedetektionsschaltung ist elektrisch mit der Wannenregion gekoppelt und dazu ausgebildet, basierend auf dem elektrischen Potential der Wannenregion Leckströme zwischen zumindest einem der Folgenden zu detektieren: der Wannenregion und der Laser-Fuse, und der Wannenregion und dem Halbleiterkörper.

公开(公告)号：DE102004024885B4

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：DE102004024885

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANZERSTORFER SVEN

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/01 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102004024887A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：DE102004024887

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN ,  KROTSCHECK THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: The transistor has a cell array with two active transistor cells separated by a pitch, and a temperature sensor in proximate to the cell array. An isolation structure with an isolation trench (70) electrically isolates the temperature sensor from the cell array. The temperature sensor and the transistor cell are located in closest distance, approximately to the pitch between active transistor cells within the cell array.

公开(公告)号：DE10063443A1

公开(公告)日：2002-07-04

申请号：DE10063443

申请日：2000-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANZERSTORFER SVEN ,  MAIER HUBERT

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Production of an electrode of a semiconductor element comprises preparing a semiconductor body (10) having a first zone (12) of first conductivity (n) and a second zone (14) of second conductivity (p) and trenches (20A, 20B); forming a first insulating layer (34A, 34B) in the region of the second zone in one of the trenches; applying a first layer (40) of electrode material on the body; applying an intermediate layer (50) on the electrode layer; applying a second layer (60) of electrode material on the intermediate layer; removing the second layer and the intermediate layer; and structuring the first electrode material. Preferred Features: The semiconductor body has a third doped zone (16, 17, 18) of second conductivity in the lateral direction at a distance from the trenches. The third doped zone is partially covered by the second insulating layer.