公开(公告)号：WO0052750A3

公开(公告)日：2001-08-09

申请号：PCT/DE0000677

申请日：2000-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HIRLER FRANZ ,  KANERT WERNER ,  GASSEL HELMUT ,  STRACK HELMUT ,  PAIRITSCH HERBERT

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KANERT WERNER ,  GASSEL HELMUT ,  STRACK HELMUT ,  PAIRITSCH HERBERT

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/225 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802

Abstract: The invention relates to a method for producing a body area for a vertical MOS transistor array in a semiconductor body, wherein the body area has at least one channel region disposed between the source area and the drain area and borders on a gate electrode. A first implantation of doping material is effected in the semiconductor body, wherein the maximum of doping material of the first implantation is placed in the back part of the channel region (11) within the semiconductor body. At least a second implantation of doping material is then effected with a smaller dose than in the first implantation, wherein the maximum of doping material of the second implantation lies within the semiconductor body below the maximum of doping material of the first implantation. Subsequently, the doping material is diffused off.

Abstract translation: 描述一种用于在半导体本体中的垂直MOS晶体管布置，其中所述体区包括至少一个沟道区，设置于栅极电极的源极区域和漏极区域和相邻之间产生的体区的过程。 有掺杂剂至该半导体本体的第一植入物，植入最大与沟道区（11）在半导体本体中的第一植入的复位。 接着进行掺杂材料中的至少一个第二注入具有比第一注入较低的剂量，植入低于最大值的最大注入所述第一注入的半导体主体内的第二植入的位置。 随后，执行掺杂材料的向外扩散。

公开(公告)号：DE102016015777A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102016015777

申请日：2016-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  VELLEI ANTONIO ,  HILLE FRANK ,  GATTERBAUER JOHANN ,  RUEHLE BRIGITTE ,  KANERT WERNER ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/18 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: Bei diversen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Bilden eines elektrischen Kontakts bereitgestellt. Das Verfahren kann das Einrichten einer Metallkontaktstruktur über oder auf einer Metalloberfläche, das Metallisieren einer Metallschicht auf der Metalloberfläche und auf der Metallkontaktstruktur, wodurch die Metallkontaktstruktur auf der Metalloberfläche fixiert wird und ein elektrischer Kontakt zwischen der Metallkontaktstruktur und der Metalloberfläche gebildet wird oder ein existierender elektrischer Kontakt zwischen der Metallkontaktstruktur und der Metalloberfläche verstärkt oder verdickt wird, aufweisen.

公开(公告)号：DE10239310A1

公开(公告)日：2004-03-25

申请号：DE10239310

申请日：2002-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER HERMANN ,  WERNER WOLFGANG ,  MAYER THORSTEN ,  KANERT WERNER ,  FUGGER JOSEF

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: Production of conducting connection between first trenched layer (2) of first conductivity arranged at distance from front side (101) of semiconductor body (100) and second layer (4) of second conductivity comprises forming recess from front side to first layer, and doping via recess into boundary region between first and second layer to produce strongly doped connecting zone (3). Production of an electrically conducting connection between a first trenched layer (2) of first conductivity arranged at a distance from a front side (101) of a semiconductor body (100) and a second layer (4) of a second conductivity comprises forming a recess (6) extending from the front side up to the first layer, and introducing doping atoms of first and second conductivity via the recess into a boundary region between the first layer and the second layer to produce a connecting zone (3) in the boundary region which is more strongly doped than the first layer forming a tunnel diode with the second layer.

公开(公告)号：DE10009347C2

公开(公告)日：2003-11-13

申请号：DE10009347

申请日：2000-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER HERMANN ,  NANCE PAUL ,  KANERT WERNER

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/749 ,  H01L29/78 ,  H01L21/332 ,  H01L29/74

公开(公告)号：DE102016109352B4

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：DE102016109352

申请日：2016-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL ,  KANERT WERNER ,  RUEHLE BRIGITTE

IPC: H01L23/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29

Abstract: Ein Chipgehäuse, das Folgendes umfasst:einen Chip (106), der eine Chipmetalloberfläche (106m) umfasst,eine Metallkontaktstruktur (110), die die Chipmetalloberfläche (106m) elektrisch kontaktiert,Packagingmaterial (224), das den Chip (106) und die Metallkontaktstruktur (110) mindestens teilweise kapselt, undeine chemische Zusammensetzung (332), die das Packagingmaterial (224) und die Chipmetalloberfläche (106m) und/oder die Metallkontaktstruktur (110) physisch kontaktiert,wobei die chemische Zusammensetzung (332) konfiguriert ist, um eine Haftung zwischen der Metallkontaktstruktur (110) und dem Packagingmaterial (224) und/oder zwischen der Chipmetalloberfläche (106m) und dem Packagingmaterial (224) im Vergleich zu einer Haftung in einer Anordnung ohne die chemische Zusammensetzung (332) zu erhöhen,wobei die chemische Zusammensetzung (332) im Wesentlichen frei von funktionalen Gruppen, die Schwefel, Selen oder Tellur enthalten, ist; undwobei die chemische Zusammensetzung (332) eine bi-funktionale substituierte sterische gehinderte Zusammensetzung umfasst, die Dicyclopentadien, Adamantan, Urotropin, Cyclodextrin und/oder Kryptanden aufweist.

公开(公告)号：DE102016109352A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016109352

申请日：2016-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL ,  KANERT WERNER ,  RUEHLE BRIGITTE

IPC: H01L23/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29

Abstract: Bei diversen Ausführungsformen wird ein Chipgehäuse bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann einen Chip aufweisen, der eine Chipmetalloberfläche umfasst, eine Metallkontaktstruktur, die die Chipmetalloberfläche elektrisch kontaktiert, ein Packagingmaterial, das den Chip und die Metallkontaktstruktur mindestens teilweise kapselt, und eine chemische Zusammensetzung aufweisen, die das Packagingmaterial und die Chipmetalloberfläche und/oder die Metallkontaktstruktur physisch kontaktiert, wobei die chemische Zusammensetzung ausgelegt sein kann, um eine Haftung zwischen der Metallkontaktstruktur und dem Packagingmaterial und/oder zwischen der Chipmetalloberfläche und dem Packagingmaterial im Vergleich zu einer Haftung in einer Anordnung ohne chemische Zusammensetzung zu verbessern, wobei die chemische Zusammensetzung im Wesentlichen von funktionalen Gruppen, die Schwefel, Selenium oder Tellur umfassen, frei ist.

公开(公告)号：DE10009347A1

公开(公告)日：2001-09-13

申请号：DE10009347

申请日：2000-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER HERMANN ,  NANCE PAUL ,  KANERT WERNER

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/749 ,  H01L29/78 ,  H01L21/332 ,  H01L29/74

Abstract: The semiconductor device includes a substrate (5,6,10) with an (n-) type front region and a back region (5) forming a first main connection. An n type well (40') is formed in a first region (10). A p type well (70) is formed in the first region. The second well forms a p type channel region (K) in a portion of the first well. A (n+) type third well is formed in the first region. The third well forms a second main connection in a common portion of the first and second well. A third main connection is provided over the channel region (K).

公开(公告)号：DE102016109356A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016109356

申请日：2016-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KÖRNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL ,  KANERT WERNER ,  RUEHLE BRIGITTE

IPC: H01L23/26 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29

Abstract: Bei diversen Ausführungsformen wird ein Chipgehäuse bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann einen Chip aufweisen, der eine Chipmetalloberfläche aufweist, eine Metallkontaktstruktur, die die Chipmetalloberfläche elektrisch kontaktiert, und Packagingmaterial, das eine Kontaktschicht aufweist, die in physischem Kontakt mit der Chipmetalloberfläche und/oder mit der Metallkontaktstruktur ist, wobei mindestens in der Kontaktschicht des Packagingmaterials eine summierte Konzentration von chemisch reaktivem Schwefel, chemisch reaktivem Selen und chemisch reaktivem Tellur weniger als 10 Atomteile pro Million beträgt.

公开(公告)号：AT510300T

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：AT00918684

申请日：2000-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KANERT WERNER ,  GASSEL HELMUT ,  STRACK HELMUT ,  PAIRITSCH HERBERT

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Production of a body area (9) of first conductivity type comprises implanting a doping material of first conductivity type into a semiconductor body followed by implanting a doping material of second conductivity type having a lower dose than the first implantation step, and then diffusion of the doping material. Production of a body area (9) of first conductivity type comprises implanting a doping material of first conductivity type into a semiconductor body followed by implanting a doping material of second conductivity type having a lower dose than the first implantation step. The body area has at least one channel region (11) arranged between a source region (10) and a drain region (2, 3) of second conductivity and bordering a gate electrode (5). The body area and the source region extend from a first surface (14) into the semiconductor body, and the drain region extends from a second surface (15) into the semiconductor body. The dosage of the first implantation is 10-1000 times larger than that of the second implantation.

公开(公告)号：DE10239310B4

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：DE10239310

申请日：2002-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER HERMANN ,  WERNER WOLFGANG ,  MAYER THORSTEN ,  KANERT WERNER ,  FUGGER JOSEF

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336